Сверхпроводники и сверхпроводимость: словарь-справочник. Том 3. Применения и перспективы

Министерство образования и науки Российской Федерации 

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ  
УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ  
«ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
И. А. ПАРИНОВ 
 
 
СВЕРХПРОВОДНИКИ 
 
И СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ 
 
 
Словарь-справочник  
 
 
Том 3 
 
ПРИМЕНЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ 
 
 
 
 
 
 
 
Ростов-на-Дону 
Издательство Южного федерального университета 
2010 
 

УДК 538.9:621.31(038) 
ББК 22.36+31.32я2 
 
Печатается по решению редакционно-издательского совета 
Южного федерального университета 
 
Словарь-справочник подготовлен и издан в рамках национального проекта «Образование» по 
«Программе развития федерального государственного образовательного учреждения 
 высшего профессионального образования  
“Южный федеральный университет” на 2007–2010 гг.»  
 
 
             Паринов И. А. 
    П 18         Сверхпроводники и сверхпроводимость:  словарь-справочник. 
          Т. 3. Применения и перспективы / И. А. Паринов.  Ростов н/Д: Изд-во 
              ЮФУ, 2010.  862 с. 
                      ISBN 978-5-9275-0461-9 
                      ISBN 978-5-9275-0735-1 
                          Заключительный  том  трёхтомного  словаря-справочника  содержит   свыше 
                1500  понятий и терминов, связанных с применениями и перспективными исследо-    
                ваниями  сверхпроводников и сверхпроводимости.  Все представленные в словаре 
                термины  расположены по алфавиту.  Каждому термину посвящена отдельная ста-                 
                тья,  раскрывающая  его смысловое научно-техническое  и/или математическое со- 
                держание, область применения и связь с другими терминами, при этом все  терми- 
                ны  снабжены английскими эквивалентами.  Кроме того,  целый ряд статей  посвя- 
                щён  родственным для  сверхпроводимости вопросам из  смежных тематик, в част- 
                ности наноструктурам и нанотехнологиям.  
                           Приложения  охватывают  основные  физические  свойства и постоянные,  а  
                также  характеристики некоторых элементарных  частиц. Представлены книги  по 
                сверхпроводимости и смежным направлениям, печатные, электронные и  справоч- 
                ные  издания, а  также поисковые  системы  и  web-сайты, связанные  с  вопросами   
                изучения и  применения  сверхпроводимости, а также материаловедения сверхпро-   
                водников  и  родственных структур. В третьем томе приведены предметный указа-  
                тель и алфавитный указатель английских терминов, охватывающие все статьи сло-     
                варя-справочника. 
                          Словарь-справочник предназначен, в первую очередь,  для студентов и аспи- 
                рантов, изучающих проблемы сверхпроводимости, а  также  специализирующихся  
                в смежных научных областях.  Он  будет  полезен для  инженеров и специалистов,   
                занимающихся разработкой, созданием и исследованием сверхпроводящих и  дру- 
                гих новых материалов и композитов. 
 
      ISBN 978-5-9275-0461-6                                                   УДК 538.9:621.31(038) 
      ISBN 978-5-9275-0735-1                                                           ББК 22.36+31.32я2 
 
                                                                                            
 
                                                                                                           
© Паринов И. А., 2010 
© Южный федеральный университет, 2010 
© Оформление. Макет. Издательство Южного 
федерального университета, 2010 
                                                                                   

      
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ISBN 978-5-9275-0461-9                                                           УДК 538.9:621.31(038) 
ISBN 978-5-9275-0735-1                                                                 ББК 22.36+31.32я2 

ПРЕДИСЛОВИЕ К 3 ТОМУ 
 
Заключительный том трёхтомного словаря-справочника представляет ретроспективу понятий и терминов, связанных с применениями и перспективными исследованиями сверхпроводников и сверхпроводимости. Каждому термину посвящена 
отдельная статья, раскрывающая смысловое научно-техническое содержание термина, область его применения и связь с другими терминами. Кроме того, целый ряд 
статей посвящён родственным для сверхпроводимости вопросам из смежных тематик, в частности, наноструктурам и нанотехнологиям. Это связано с тем, что многие 
свойства сверхпроводников проявляются в нанометровом диапазоне (например, 
длина сверхпроводящей когерентности, глубина проникновения магнитного потока 
и т. д.). Стоит также вспомнить осторожное предположение нобелевского лауреата 
2003 г., получившего  премию по физике за свои достижения в области сверхпроводимости, – академика В. Л. Гинзбурга, высказанное в 2008 г., о том, что комнатная 
сверхпроводимость будет достигнута с привлечением подходов нанотехнологий.  
Каждый термин словаря снабжён английским эквивалентом, что очень важно 
для овладения будущими инженерами и специалистами специальной и технической 
терминологией на английском языке, а также для более плавного вхождения образовательного сообщества России в Болонский процесс в 2010 г. Наличие в третьем томе алфавитного указателя английских терминов, относящегося ко всем трём томам 
словаря-справочника, позволяет использовать словарь при работе с англоязычными 
научно-техническими текстами. Дополнительно представлен предметный указатель 
русскоязычных терминов, облегчающий работу со словарём. Отдельные понятия и 
термины также снабжены латинскими, греческими и другими словообразованиями, 
демонстрирующими историческое происхождение того или иного термина. По характеру изложения, структуре и охвату материала предлагаемый том словарясправочника – это краткая энциклопедия. В то же время, наличие ссылок на смежные вопросы (курсивом обозначены термины, представленные в словаре самостоятельными статьями) позволяет одновременно использовать его в качестве учебного 
пособия, так как по базовому термину читатель может быстро ознакомиться с соответствующим разделом науки и техники. Словарь-справочник предназначен как для 
студентов и аспирантов, изучающих проблемы сверхпроводимости, так и для инженеров и специалистов, занимающихся разработкой, созданием, исследованием и 
применением новых материалов (в том числе, сверхпроводящих). 
 Приложения третьего тома посвящены книгам по сверхпроводимости и 
смежным направлениям, печатным, электронным и справочным изданиям, а также 
поисковым системам и web-сайтам, связанным с вопросами изучения и применения 
сверхпроводимости, а также материаловедения сверхпроводников и родственных 
структур.  
При создании словаря-справочника перед автором стояла сложная задача. Ограничение материала исключительно вопросами, относящимися только к сверхпроводникам и сверхпроводимости, неизбежно привело бы к трудностям понимания и 
восприятия читателем отобранного материала («нечитабельности» монографии). С 
другой стороны, включение больших разделов из смежных научных направлений 

могло привести к «размытию» содержания, относящегося к основной тематике. Это 
определяется тем, что идеи и методы сверхпроводимости основываются на большей 
части разделов современной физики, химии, материаловедения и математики. Приведённый обширный список монографической литературы непосредственно подтверждает такую опасность. Таким образом, необходимо было установить тонкую 
грань между этими двумя противоположными методологическими концепциями. 
Поэтому главной целью издания стало представление сверхпроводимости в контексте современной науки и техники. Автор также поставил перед собой ряд задач, связанных с тем, чтобы разбудить интерес читателя к такой перспективнейшей области 
научного знания, как сверхпроводимость; обозначить отправные точки возможных 
исследований; высветить основные идеи и методы; дать информацию об имеющихся достижениях и стоящих проблемах; познакомить с имеющимися литературными 
источниками и авторами, активно работающими в данной области науки и зтехники. 
Хотелось бы думать, что указанные цели были достигнуты. 
Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность Российскому 
Фонду Фундаментальных Исследований, Министерству Образования и науки РФ, 
Южному федеральному университету, Фонду Сороса и Международной Программе 
COBASE (Collaboration in Basic Science and Engineering, USA), гранты которых в последние годы оказали существенную финансовую поддержку и способствовали появлению этой книги. 
Автор благодарен коллегам и ближайшим сотрудникам, помогавшим в написании словаря-справочника. Особую признательность выражаю О. Л. Никишевой, 
оказавшей огромную помощь в подготовке рукописи к печати. 
 
                                                                       И. А. Паринов, октябрь 2009 г. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

А 
 
АДГЕЗАТОР м. адиабатический генератор заряженных тороидов [adhesator, 
adiabatic generator of charged toroids]. Устройство, применяемое в коллективном ускорителе ионов с электронными кольцами для формирования колец с высокой плотностью частиц. В основу устройства положено свойство кольца электронов менять 
свои основные параметры (размеры и энергию) в меняющемся во времени магнитном поле (См. Коллективные методы ускорения). 
АКТИВНАЯ СРЕДА ж. [active medium]. Вещество, в котором создана инверсия населённостей энергетических уровней квантовой системы. А. с. усиливает проходящее через неё резонансное электромагнитное излучение при условии, что коэффициент квантового усиления превышает коэффициент потерь энергии в А. с. (Cм. 
Квантовая электроника). Применение положительной обратной связи позволяет 
использовать А. с. для создания генератора когерентного электромагнитного излучения. 
АКУСТОЭЛЕКТРОНИКА ж. [acousto-electronics]. Раздел акустики, на стыке акустики твёрдого тела, физики полупроводников и радиоэлектроники. А. занимается 
исследованием принципов построения УЗ-устройств для преобразования и обработки радиосигналов. Преобразование СВЧ-сигнала в звуковой, длина волны которого 
в 105 раз меньше, значительно облегчает его обработку. Для выполнения операций 
над сигналами используются взаимодействие УЗ с электронами проводимости (См. 
Акустоэлектронное взаимодействие), электромагнитными полями, оптическим излучением, а также нелинейное взаимодействие акустических волн (См. Нелинейная 
акустика). Акустоэлектронные устройства позволяют производить различные операции над сигналами: преобразования во времени (задержку сигналов, изменение их 
длительности), частотные и фазовые (сдвиг фаз, преобразование частоты и спектра), 
изменение амплитуды (усиление, модуляция), а также более сложные функциональные преобразования (интегрирование, кодирование и декодирование, получение 
функций свёртки, корреляции сигналов и т. д.). Выполнение таких операций часто 
необходимо в радиолокации, технике дальней связи, системах автоматического 
управления, вычислительных и других радиоэлектронных устройствах. По физическим принципам, лежащим в основе работы, и по назначению акустоэлектронные 
устройства можно разделить на пассивные линейные устройства, в которых производится линейное преобразование сигнала (линии задержки, фильтры и др.) активные линейные устройства (усилители и генераторы сигналов) и нелинейные устройства, где происходят генерация, модуляция, перемножение и другие преобразования сигналов. 
АЛМАЗ м. изотопически чистый [isotopic-clean diamond]. Для организации квантовых вычислений со спиновыми кубитами в твёрдом теле требуются материалы с 
минимально возможной концентрацией магнитных примесей. Только в этом случае 
спиновые состояния будут оставаться когерентными в течение времени, достаточного для проведения с ними необходимого количества квантовых операций. Помимо 
примесей, магнитные моменты (спины) могут быть и у атомных ядер. Например, хотя углеродные соединения на 98,9 % состоят из бесспинового изотопа 12С, ядра ос

тальных 1,1 % атомов углерода имеют спин (изотоп 13С). По мере развития технологии изготовления искусственных алмазов «спиновая чистота» образцов постоянно 
улучшалась. В 2009 г. Г. Баласубраманиан (G. Balasubramanian) с соавт. сообщили о 
синтезе рекордно чистых алмазных слоёв с концентрацией парамагнитных дефектов 
менее 1013 см3 и содержанием изотопа 13С всего лишь 0,3 %. При комнатной температуре время декогерентизации электронного спина на центре азот-вакансия (NV) 
такого образца составила  t = 1,8 мс, что являлось максимальным значением, наблюдавшимся до этого в твёрдотельных системах. Поскольку время top одной операции 
со спиновыми кубитами имеет порядок наносекунды, то отношение  top/t ~ 106 оказывается достаточно большим для организации полномасштабных квантовых вычислений (а также для использования протоколов коррекции ошибок). При такой 
величине t когерентное взаимодействие между кубитами NV-центров имеет место 
на расстояниях до ~ 100 нм, что допускает индивидуальную адресацию каждого из 
них оптическими методами. Помимо квантовых вычислений А. и. ч. можно использовать для регистрации локальных магнитных полей с субнанометровым разрешением. Для этого на кончик иглы сканирующего туннельного микроскопа нужно поместить алмазный нанокристалл с единственным NV-центром. Предварительные 
эксперименты уже показали, что чувствительность такого устройства будет на порядок выше, чем у известных аналогов, и тогда, в частности, удастся непосредственно изучать атомную структуру отдельных молекул. Тем же авторам в 2009 г. 
удалось понизить концентрацию изотопов 13С в алмазе до 0,01 %. В таких образцах 
величина t превышает 10 мс, то есть начинает приближается к верхнему пределу ~ 
100 с, обусловленному спин-решёточной релаксацией.  
АНАЛОГИЯ ж. между сверхпроводящим током и лазером [analogy between superconducting current and laser]. Сверхпроводящий ток возникает из движения состояния, включающего множество бозонов. Такое многочастичное состояние не может 
быть разрушено примесями, фононами и т. д. Это подобно ситуации, в которой 
движение реки (макрообъект) не может быть остановлено малыми препятствиями 
(микрообъектами). В более строгой формулировке: изменение состояния множества 
Купера пар  так называемых пайронов (pairons)  может происходить только в случае, когда переход, включающий большое число пайронов, осуществляется от одного состояния системы к другому. В этом смысле сверхпроводящий ток очень похож 
на лазер. В частности, в СКВИДе два сверхпроводящих тока, отстоящих друг от 
друга на расстоянии до 1 мм могут демонстрировать интерференцию. Также как лазер сверхпроводящий ток описывается волновой функцией Aexp[i(kr  t)], где A  
амплитуда, 
1


i
, k  волновой вектор, r  вектор координат,   круговая частота, 
t  время. Это соответствует конденсированным бозонам, движущимся в соответствии с линейным дисперсионным соотношением. Такой поток бозонов обладает самофокусирующейся энергией. В свою очередь, лазерный луч становится самофокусированным после прохождения стеклянной пластинки (рассеивающего элемента). 
Аналогично, поток конденсированных пайронов становится монохроматичным после прохождения Джозефсона перехода. Таким образом, как лазер, так и сверхпроводящий ток могут интерферировать на макроуровне. Однако только сверхпроводящий ток может переносить электрические токи, поскольку пайроны имеют заряды 

 2e (где e  заряд электрона) и следовательно взаимодействуют с электромагнитными полями. Таким образом, пайроны могут остановиться при нулевом моменте 
количества движения, в то время как фотоны перемещаются со скоростью света и 
не могут остановиться. В то же время, самофокусирующаяся энергия пока неизвестна для потоков фермионов. 
АНОМАЛИЯ  ж. удельной теплоёмкости при температуре сверхпроводящего перехода в ВТСП [specific-heat anomaly at temperature of superconducting transition in 
high-temperature superconductors (HTSC)]. Вследствие короткой длины когерентности в высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП), флуктуационные эффекты 
в удельной теплоёмкости вблизи температуры сверхпроводящего перехода Tc при 
нулевом поле, уже наблюдавшиеся для классических низкотемпературных сверхпроводников, также характерны и для ВТСП. Однако существует неясность: являются ли эти флуктуации двух- или трёхмерными, и гауссовыми или критическими. 
Для магнитно-полевых измерений существенен также вопрос применимости ряда 
соотношений масштабирования (скейлинга). Другим фундаментальным моментом, 
связанным с аномалией теплоёмкости вблизи Tc, является изменение формы аномалии с уровнем допирования. Экспериментальные свидетельства того, что такое изменение формы аномалии отражает изменение от БКШ-перехода к одному из тех 
переходов, которые являются вариантом Бозе-Эйнштейна конденсации, были представлены в 2007 г. Р. А. Фишером (R. A. Fisher) с соавт. А. у. т. при Tc лучше определяется в YBCO и в REBCO соединениях, нежели в других ВТСП. Флуктуации в 
оптиально допированных образцах при нулевом поле. Гинзбурга − Ландау (ГЛ) теория может хорошо объяснить характер фазового перехода в среднего поля приближении в сверхпроводниках, подчиняющихся БКШ-теории, и предсказать поведение 
перехода пока флуктуационные эффекты ещё достаточно малы и могут быть описаны Гаусса распределением. Однако, при достаточном приближении T к Tc, когда образец уже находится в критической зоне, для описания флуктуаций более подходит 
ренорм-групп теория, развитая для описания фазовых переходов Н. Голденфельдом 
(N. Goldenfeld) в 1992 г. Температурные области, в которых ожидаются два вида 
флуктуаций сравнимы по размеру со среднеполевой разрывностью Ce(Tc), выраженной в терминах критерия В. Л. Гинзбурга (1960 г.) или менее известного критерия Р. Браута (R. Brout, 1960 г.). Здесь Ce  вклад в удельную теплоёмкость электронов проводимости. Оба критерия могут быть выражены в терминах нормированной 
температуры t ≡ (T/Tc − 1). По этим критериям критическая область трёхмерного 
сверхпроводника принадлежит интервалу |t| < tG ≡ {kB/[πCe(Tc)ξ3]}2/32, где ξ = 
(ξaξbξc)1/3  ГЛ-длина когерентности сверхпроводящего параметра порядка при T = 
0; Ce(Tc) выражается в единицах плотности энергии K−1; kB  Больцмана постоянная. Гауссовы флуктуации, установленные в 1988 г. А. Капитульником (A. 
Kapitulnik) с соавт., могут быть выражены в более широком интервале 1 >> tB > |t| > 
tG, где tB  (tG)1/2. Вклад флуктуаций в аномалию удельной теплоёмкости вблизи Tc 
определяется положительной кривизной Ce/T ниже Tc и «хвостом» выше Tc. Существует важное свидетельство, что сверхпроводимость в ВТСП характеризуется сильной связью, которая увеличивает Ce(Tc), а также создаёт положительную кривизну 
ниже Tc. Поэтому, возможность сильной связи вводит дальнейшую неопределён

ность в дополнение к той, которая ассоциируется с выделением решёточного вклада 
в анализе удельной теплоёмкости вблизи Tc. Сильная зависимость как tB, так и tG от ξ 
делает очевидным то, что длина когерентности является определяющим фактором 
вне зависимости от существования эффектов флуктуаций. В случае типичного 
сверхпроводника первого рода, например, Sn с Ce(Tc)  1 мДж/(см3К) и ξ  2000 Å, 
tG  10−14 и tB  10−7, критерий Р. Браута утверждает, что вклад гауссовых флуктуаций нельзя наблюдать до тех пор, пока ни сделать измерения удельной теплоёмкости в интервале 1 мкК или меньше вблизи Tc. Поэтому, неудивительно, что А. у. т. 
вблизи Tc классического сверхпроводника хорошо описываются стандартной теорией среднего поля. Напротив, в случае ВТСП, таких как YBCO с Ce(Tc)  30 
мДж/(см3К), ξ  10 Å и Tc  90 K, tG  0,0015 и tB  0,04. В этом случае, критерии В. 
Л. Гинзбурга и Р. Браута предполагают, что гауссовы флуктуации должны проявляться в интервале  5 K около Tc, в то время как критические флуктуации должны 
принадлежать гораздо более узкому интервалу  0,1 K около Tc. Вычисления, выполненные в 1991 г. С. Е. Индерхисом (S. E. Inderhees) с соавт., показали, что для sволнового спаривания вклад гауссовых флуктуаций Cf в Ce при нулевом поле можно 
записать в виде: Cf
± = A±[kB/(16πξd )]|t|−α, где α = (4−d)/2, d – размерность системы, A+ 
= 2 и A− = 2d/2 для t > 0 и t < 0, соответственно. Измерения Cf, осуществлённые для 
YBCO в 1988 г. С. Е. Индерхисом (S. E. Inderhees) с оавт., соответствовали α = ½, 
как и ожидалось для трёхмерных систем, но при этом не были получены значения A+ 
и A− или их отношение A+/A−. В 1993 г. Т. Шнейдер (T. Schneider) и Х. Келлер (H. 
Keller) показали, что в критической области Cf можно представить в виде: Cf
± = 
(A±/α)|t|−α, где «критическая степень» α и коэффициенты A± являются постоянными, 
зависящими от «класса универсальности» (трёхмерного XY, Изинга и т. д). При этом 
значение α близко, но не равно 0. Для очень малых α член |t|−α можно заменить через 
(1 − αln|t|). Критерии В. Л. Гинзбурга и Р. Браута, хоть и являются полезными правилами, но не позволяют различить области гауссовых и критических флуктуаций. 
Например, в 1991 г. Д. С. Фишер (D. S. Fisher) с соавт. предположили, что для 
сверхпроводников второго рода границы критической области превышают значение 
tG, в отличие от того, как это определено выше. Кроме того, существует расхождение с природой «кроссовера» от гауссовых к критическим флуктуациям. Поэтому, 
из-за указанных противоречий, как с определением ширины критической области, 
так и формы флуктуационного члена в каждой области «кроссовера» полезно провести сравнение с экспериментальными данными. Различные группы исследователей уже показали, что для оптимально допированных одиночных кристаллов YBCO 
и DyBCO удельная теплоёмкость хорошо предсказывается на основе трёхмерной 
XY-модели, которая хорошо описывает λ-переход жидкого 4He. Флуктуации в оптиально допированных образцах при ненулевом поле. В присутствии поля результаты 
измерения оптимально допированных REBCO в случае критического представления 
лучше совпадают с трёхмерной XY-моделью, по сравнению с гауссовым случаем. 
Как было показано в 1994 г. И. Д. Лаври (I. D. Lawrie), полевая и температурная зависимость Cf может быть представлена в виде: Cf  = C0 − Bα/2νf (x), где C0 = 0 для t > 0 
и является константой для t < 0, x = t/B1/2ν, α – степень теплоёмкости, а ν – степень 
длины когерентности, например, ξ(t) = ξ/tν. В флуктуационном уравнении появляет

ся масштабированная температура x, а не нормированная температура t, как раньше. 
Упрощённую форму уравнения для флуктуаций, как показали в 1993 г. М. Б. Саламон (M. B. Salamon) с соавт., можно записать в виде: [C(0, T) − C(B, T)]Bα/2ν = f (x), 
где в случае трёхмерной XY-модели ν = 0,669, и α = − 0,013 – экспериментальное 
значение, полученное для 4He. Преимущество упрощённого уравнения состоит в 
том, что оно позволяет предсказать скейлинг без допущений, принятых для решёточной удельной теплоёмкости Clat, за исключением того, что она не зависит от магнитного поля B. На практике, из-за неопределённости оценки критической температуры Tc авторы предпочитают определять её на основе готовых значений, нежели на 
основе измерений C(0, T). Удовлетворительность трёхмерной XY-модели для описания критического поведения оптимально допированных REBCO уже была установлена в 1999 г. А. Джунодом (A. Junod) с соавт. Другие авторы оттестировали предсказания трёхмерного XY-скейлинга, исследуя то, как производные от C изменяются 
в зависимости от поля и температуры. Были также изучены предсказания скейлинга 
с целью применить их к полевой зависимости намагниченности. Кроме того, в 1998 
г. С. У. Пирсон (S. W. Pierson) с соавт. проверили применимость другого подхода к 
масштабированию  скейлинга наименьшего уровня Ландау (lowest Landau level, 
LLL-scaling). Хотя имеется расхождение во мнениях относительно наиболее приемлемого интервала изменения поля B для данной процедуры масштабирования, но, 
если предположить, что верхнее критическое поле Bc2(T) изменяется как |t|4/3, а не 
как |t|, то обе модели (трёхмерная XY и LLL) обеспечивают удовлетворительное описание удельной теплоёмкости и намагниченности в магнитных полях от 1 до 16 Тл. 
Флуктуации в недодопированных и передопированных образцах. Высота аномалии 
удельной теплоёмкости в оптимально и слабо передопированных REBCO может 
быть порядка 3 – 4 % от C. В случае недодопированного сверхпроводящего REBCO 
эта высота, в общем случае, меньше, в то же время, в La-, Tl- Bi-, и Hg-ВТСП она 
редко превосходит 1,5 % от C. Измерения, выполненные в 1990 г. Н. Оказаки (N. 
Okazaki) с соавт. на Pb-стабилизированном Bi-2212 и в 1993 г. В. Шнелле (W. 
Schnelle) с соавт. на Bi-2212, согласуются с двухмерными (а не трёхмерными) гауссовыми флуктуациями, поскольку было найдено, что Cf изменяется как |t| − 1, а не 
как |t| − 1/2. Существующие экспериментальные данные для Tl-2201, Hg-1201 и Hg1223 показывают аномалию удельной теплоёмкости, подобную Bi-2212. 
АНТЕННА ж. (от лат. antenna  мачта, рея) [antenna]. Преобразователь (обычно 
линейный) волновых полей; в традиционном понимании  устройство, осуществляющее излучение волн, поступающих к А. либо непосредственно от передатчика, 
либо через антенно-фидерный тракт (А., работающая в режиме передачи, излучения), или устройство, осуществляющее преобразование падающего излучения и посылку его к приёмнику (А., работающая в режиме приёма, поглощения). В более 
широком смысле А. можно назвать любой преобразователь волнового поля в неоднородной среде (в волноводах, резонаторах и т. п.), то есть А. принципиально не отличается от трансформатора мод, преобразующего (по возможности оптимально, 
то есть согласованно с окружающим пространством) поле одного типа (например, 
моду, бегущую по линии передачи) в поле другого типа (например, моду, излучённую в окружающее пространство). Приёмные и передающие А. по принципу дейст

вия идентичны, ибо в любых линейных системах (кроме гиротропных) коэффициенты преобразования полей взаимны. Однако технические особенности приёмных и 
передающих А. могут значительно расходиться из-за различий в предъявляемых к 
ним эксплуатационных требованиях (предельные мощности, полоса частот, шумы и 
т. п.). 
АНТЕННА ж. адаптивная (от лат. adapto  приспособляю, прилаживаю) [adaptive 
antenna]. Разновидность антенны с обработкой сигналов, предназначенная для максимизации отношения «сигнал/шум». Максимизация осуществляется автоматической регулировкой весовых коэффициентов, с которыми суммируются сигналы, поступающие от отдельных приёмных каналов. Чаще всего А. а. является решётка 
антенная. Один из вариантов А. а.  самофокусирующаяся антенная решётка. Приёмно-передающая самофокусирующаяся А. а. в известном смысле сходна с системами обращения волнового фронта, используемыми, в частности, в оптике. 
АНТЕННА ж. активная [active antenna]. Антенна, содержащая в своей структуре 
активные устройства, в частности усилители мощности (передающая А. а.) или малошумящие усилители (приёмная А. а.). Чаще всего А. а. является решётка антенная. Использование активных устройств в передающей А. а. позволяет компенсировать потери в трактах и обеспечивать оптимальное распределение амплитуд и фаз 
токов по излучающей аппаратуре. Регулируя усиление активных устройств, можно 
эффективно осуществлять управление диаграммой направленности, независимо регулируя амплитуды и фазы токов в элементах решётки (например, в антеннах 
адаптивных). Амплитудно-фазовое управление диаграммой направленности можно 
реализовать в приёмных А. а. с преобразованием радиосигналов (например, аналогоцифровым) соответствующим выбором амплитуд и фаз весовых коэффициентов при 
обработке. Недостатки А. а.: активные элементы выделяют тепло, разброс их характеристик приводит к дополнительным искажениям поля. 
АНТЕННА ж. бегущей волны [antenna of running wave]. Антенна, у которой поле на 
апертуре аналогично полю бегущей волны. А. б. в. используют для приёма (излучения) волновых полей любой природы (электромагнитных, акустических), но чаще 
всего в диапазоне радиоволн. В А. б. в. с быстрыми волнами используют экранированные или открытые линии передачи, в которых возбуждаются бегущие моды, задающие требуемые амплитудно-фазовые распределения на расположенных вдоль 
линии излучателях (щелях, штырях и т. п.). В А. б. в. с медленными волнами используют линии, поддерживающие поверхностные волны (диэлектрические, металлические с диэлектрическим покрытием, гофрированные и т. п.  См. Система замедляющая). Важной разновидностью являются антенны с обратными волнами (в 
которых фазовая скорость противоположна групповой). А. б. в. обладают неоспоримыми преимуществами при необходимости «вписать» антенну в контуры обтекаемых поверхностей подвижных объектов, такие антенны называются невыступающими. Применение А. б. в. в диапазоне средних и длинных волн связано, в частности, с возможностью электрического сканирования диаграммы направленности путём управления фазами на апертуре. 
АНТЕННА ж. зеркальная [mirror antenna]. Антенна, в которой формирование диаграммы направленности осуществляется с помощью зеркально отражающих по