Современные требования к кремниевым пластинам большого диаметра
Покупка
Новинка
Тематика:
Полупроводниковая электроника
Год издания: 2006
Кол-во страниц: 50
Дополнительно
Вид издания:
Учебное пособие
Уровень образования:
ВО - Бакалавриат
ISBN: 5-7038-2926-7
Артикул: 838789.01.99
Приведены современные требования к геометрической точности изготовления пластин-подложек интегральных микросхем. Рассмотрены кремниевые подложки диаметром 150 и 200 мм, а также сапфировые подложки
диаметром 100 мм. Описаны новые технологические операции, применяемые при производстве полупроводниковых пластин. Для студентов специальности «Проектирование и производство электронной аппаратуры» и «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», изучающих курс «Микроэлектроника».
Тематика:
ББК:
УДК:
ОКСО:
- ВО - Бакалавриат
- 11.03.01: Радиотехника
- 11.03.03: Конструирование и технология электронных средств
- 11.03.04: Электроника и наноэлектроника
- ВО - Специалитет
- 11.05.01: Радиоэлектронные системы и комплексы
ГРНТИ:
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов
Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана Г.Р. Сагателян, Н.В. Макушина СОВРЕМЕННЫЕ ТРЕБОВАНИЯ К КРЕМНИЕВЫМ ПЛАСТИНАМ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА Рекомендовано редсоветом МГТУ им. Н.Э. Баумана в качестве учебного пособия М о с к в а Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана 2 0 0 6
УДК 621.38 ББК 32.843 С12 Рецензенты: А.А. Ефремов, С.В. Петров Сагателян Г.Р., Макушина Н.В. Современные требования к кремниевым пластинам большого диаметра: Учеб. пособие. – М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006. – 50 с.: ил. ISBN 5-7038-2926-7 Приведены современные требования к геометрической точности изготовления пластин-подложек интегральных микросхем. Рассмотрены кремниевые подложки диаметром 150 и 200 мм, а также сапфировые подложки диаметром 100 мм. Описаны новые технологические операции, применяемые при производстве полупроводниковых пластин. Для студентов специальности «Проектирование и производство электронной аппаратуры» и «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», изучающих курс «Микроэлектроника». Ил. 17. Табл. 8. УДК 621.38 ББК 32.843 Учебное издание Гайк Рафаэлович Сагателян Наталья Владимировна Макушина Современные требования к кремниевым пластинам Редактор Е.К. Кошелева Корректор Л.И. Малютина Компьютерная верстка О.В. Беляевой Подписано в печать 29.09.2006. Формат 60×84/16. Бумага офсетная. Печ. л. 3,25. Усл. печ. л. 2,91. Уч.-изд. л. 2,85. Тираж 200 экз. Изд. № 38. Заказ Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана. 105005, Москва, 2-я Бауманская, 5. ISBN 5-7038-2926-7 © МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006 С12
ВВЕДЕНИЕ Целесообразность перехода к применению пластин кремния диаметром более 150, 200 мм для создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) диктуется в первую очередь экономическими соображениями. На пластинах диаметрами 150, 200 и 300 мм можно разместить, соответственно, в 2; 4,5 и 12 раз больше кристаллов размером 20× 20 мм2, чем на пластине диаметром 100 мм. При этом коэффициент заполнения пластины кристаллами такого размера при переходе от пластин диаметром 150 мм к пластинам диаметром 200 и 300 мм возрастает с 0,53 до 0,72 и до 0,84 соответственно. Расчеты показывают, что при переходе от одного диаметра пластины к другому капитальные затраты на производство одной пластины возрастают примерно на 40 %, однако при этом выход годных кристаллов увеличивается в 2,0–2,5 раза. Другими словами, стремление к применению пластин кремния все большего диаметра экономически целесообразно. В настоящее время в мире действует или находится на стадии подготовки около 50 линий по производству пластин кремния диаметром 200 мм с производительностью до 10 тыс. пластин в месяц, и целый ряд компаний заявили о намерениях производить (или уже приступили к производству на пилотных линиях) пластины кремния диаметром 300 мм. Требования к качеству пластин кремния большого диаметра определяются в основном процессами прецизионной микролитографии субмикронных размеров, используемой для создания СБИС. Задача технологического процесса обработки – удаление нарушений, возникших на первых этапах обработки, и получение плоской, свободной от механических повреждений поверхности пластин кремния с требуемыми параметрами плоскостности, которые закладываются на операциях шлифования свободным или связанным абразивом. Последующие операции по удалению остаточных повреждений, например химико-механическое полирование, не должны приводить к деградации плоскостности.
Расширение номенклатуры изделий, определяемых в первую очередь диаметром обрабатываемых монокристаллов, требует не только существенного изменения, но и, прежде всего, создания нового технологического оборудования, а также использования новых инструментов и вспомогательных материалов. Экономической целесообразностью диктуется также необходимость снижения припусков на обработку на отдельных этапах технологического процесса. Это ведет к ужесточению требований к точностным характеристикам видоизменяемого или вновь создаваемого технологического оборудования. Размерный ряд технологического оборудования для обработки пластин кремния в России не обновлялся с середины 1980-х годов, тогда как номенклатура изделий существенно изменилась (произошел переход от промышленного выпуска пластин диаметром 50…76 мм к производству пластин диаметром 100…150 мм и опытным образцам пластин диаметром 200 мм). В связи с этим наряду с анализом мировых тенденций в изменении технологий и технологического оборудования для обработки кремниевых пластин увеличенного диаметра (200 мм и более) в предлагаемом пособии рассмотрены и некоторые приемы улучшения технологии обработки кремниевых пластин. 1. ТРЕБОВАНИЯ К ПОЛИРОВАННЫМ ПЛАСТИНАМ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Соответствие параметров кремниевых пластин требуемым значениям контролируют в установленной зоне качества (рис. 1), представляющей собой центральную область поверхности пластины, отделенную от контура пластины краевым участком Х. Размер установленной зоны качества не зависит от допусков на диаметр и длины фаски. Номинальную величину краевого участка Х указывают в заказе на партию кремниевых пластин. Качество поверхностей кремниевых пластин оценивают по параметрам, приведенным в табл. 1, где указаны минимальные требования к наличию и размерам поверхностных дефектов. Эти требования должны использоваться при определении пригодности кремниевой пластины для изготовления СБИС. Несовершенства, меньшие указанных в табл. 1, не должны рассматриваться как дефекты.
Рис. 1. Фиксированный участок качества: X – номинальное исключение контура; 1 – вспомогательный срез; 2 – граница фиксированного участка качества; 3 – внешняя граница подложки; 4 – базовый срез Таблица 1 Пределы дефектности полированной подложки1 Параметр Предельно допустимое значение Освещение7 Рабочая поверхность Наибольшее количество царапин2 Не допускаются Интенсивное Точки2 То же » Затемнения2 » » Максимальное количество загрязняющих частиц на пластинах диаметром: 2 дюйма 3 дюйма 100 мм 125 мм 150 мм 4 6 10 10 15 » Загрязненная площадь2 Не допускается Интенсивное или рассеянное Сколы и зазубрины по краю3,5 То же Рассеянное Трещины, морщины5 » » Кратеры2 » » Углубления2 » » Канавки2 » » Возвышения2 » »