Технологические процессы микроэлектроники

Московский государственный технический университет 
имени Н. Э. Баумана

Н.Н. Дронов, В.В. Макарчук,  
Н.В. Макушина 

Технологические процессы 
микроэлектроники 

Методические указания  
к выполнению лабораторного практикума

 
 
 
 
 
 
 

УДК 621.382
ББК 32.844.1
        Д75

 

Издание доступно в электронном виде на портале ebooks.bmstu.ru  

по адресу: http://ebooks.bmstu.ru/catalog/244/book1415.html

 
Факультет «Информатика и системы управления»

Кафедра «Проектирование и технология производства  

электронной аппаратуры»

 

Рекомендовано Редакционно-издательским советом  

МГТУ им. Н.Э. Баумана в качестве методических указаний
 
Дронов, Н. Н.

Технологические процессы микроэлектроники : методические 

указания к выполнению лабораторного практикума /  Н. Н. Дронов,  
В. В. Макарчук, Н. В. Макушина. — Москва : Издательство МГТУ 
им. Н. Э. Баумана, 2016. — 20 , [4] с.: ил.

ISBN 978-5-7038-4358-1

Описана методика проведения лабораторных работ по дисциплине 

«Технологические процессы микроэлектроники», выполнение которых 
необходимо для приобретения студентами начальных навыков распознавания элементов топологии полупроводниковых интегральных микросхем 
и практической работы с оборудованием, используемым при их производстве.

Для студентов, обучающихся по специальности «Проектирование и 

технология производства электронной аппаратуры», а также других специальностей факультета «Информатика и системы управления», подготовка 
которых предусматривает изучение дисциплин, связанных с технологиями 
микроэлектроники.

       УДК 621.382
        ББК 32.844.1

 
 

 
 

 
 
                                                                       © МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2016
                                                                       © Оформление. Издательство 
ISBN 978-5-7038-4358-1                                  МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2016

Д75

ПРЕДИСЛОВИЕ

Специалистам в области проектирования и производства электронной аппаратуры хорошо известно, что основу ее элементной 
базы составляют интегральные микросхемы (ИМС). В любом электронном устройстве (мобильный телефон, планшетный компьютер, 
игровая приставка и др.) содержится хотя бы одна ИМС.
Изобретение ИМС относят к 1959 г., когда два сотрудника —  
Р. Нойс (1927–1990) и Д. Килби (1923–2005) конкурирующих американских фирм, занимавшихся производством полупроводниковых приборов, независимо друг от друга подали заявки на выдачу 
им соответствующих патентов на изобретение. Это событие можно 
рассматривать как результат развития и совершенствования технологий производства электронной аппаратуры.
Изобретение ИМС обусловило появление микроэлектроники — 
области науки и техники, занимающейся всем комплексом вопросов, связанных с их проектированием и производством. В результате  
на смену лампам и дискретным транзисторам пришли приборы, содержавшие сначала десятки, а затем сотни, тысячи и миллионы элементов на кристалле. Использование ИМС позволило существенно 
сократить массогабаритные характеристики электронной аппаратуры новых поколений при одновременном расширении ее функциональных возможностей, снижении потребляемой мощности, стоимости и многократном увеличении надежности.
В 2000 г. важность изобретения ИМС для прогресса человечества была отмечена Нобелевским комитетом, присудившим 
Нобелевскую премию по физике одному из ее изобретателей — 
Д. Килби.
С момента создания первых работавших образцов ИМС они, 
постоянно технологически совершенствуясь и усложняясь, прошли 
большой путь развития, превратившись в конечном итоге в сверхбольшие интегральные микросхемы (СБИС). В настоящее время 
кремниевые кристаллы СБИС содержат уже более 1 млрд транзисторов, размер каждого из которых на порядок меньше длины вол