Волоконные технологические лазеры
Покупка
Новинка
Тематика:
Общая физика
Авторы:
Голубенко Юрий Владимирович, Богданов Александр Владимирович, Иванов Юрий Владимирович, Третьяков Роман Сергеевич
Год издания: 2010
Кол-во страниц: 52
Дополнительно
Рассмотрены основные вопросы получения генерации в волоконных лазерах, методы накачки. Представлены активные элементы для активации волокна и схемы лазерных переходов. Описаны особенности резонаторов волоконных лазеров на брэгговских решетках и способы их получения. Приведены энергетические и пространственно-временные характеристики волоконных лазеров, работающих на редкоземельных элементах. Определены перспективы развития волоконных лазеров. Для студентов факультетов РЛ, МТ, изучающих лазерную технику и технологию.
Тематика:
ББК:
УДК:
ОКСО:
- ВО - Бакалавриат
- 12.03.05: Лазерная техника и лазерные технологии
- ВО - Магистратура
- 12.04.05: Лазерная техника и лазерные технологии
ГРНТИ:
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов
Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана ВОЛОКОННЫЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ЛАЗЕРЫ Рекомендовано Научно-методическим советом МГТУ им. Н. Э. Баумана в качестве учебного пособия Москва Издательство МГТУ им. Н. Э. Баумана 2010
УДК 621.375.826 ББК 32.86-5 В68 В68 Рецензенты: Ю. В. Богачев, В. И. Дюжиков Волоконные технологические лазеры : учеб. пособие / Ю. В. Голубенко, А. В. Богданов, Ю. В. Иванов, Р. С. Третьяков. – М. : Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2010. – 50, [2] с. : ил. Рассмотрены основные вопросы получения генерации в волоконных лазерах, методы накачки. Представлены активные элементы для активации волокна и схемы лазерных переходов. Описаны особенности резонаторов волоконных лазеров на брэгговских решетках и способы их получения. Приведены энергетические и пространственновременные характеристики волоконных лазеров, работающих на редкоземельных элементах. Определены перспективы развития волоконных лазеров. Для студентов факультетов РЛ, МТ, изучающих лазерную технику и технологию. УДК 621.375.826 ББК 32.86-5 c⃝ МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2010
ВВЕДЕНИЕ Волоконные лазеры являются одним из наиболее ярких достижений современной квантовой электроники. Это направление возникло на стыке лазерной физики и волоконной оптики. Существует ряд преимуществ волоконных лазеров по сравнению с традиционными квантовыми излучателями, которые позволяют использовать их наравне с обычными лазерами, а в некоторых случаях и заменять последние. В начале развития волоконной оптики основной задачей представлялось создание волоконных световодов как пассивной среды для передачи информации. Однако, как и в любой другой развивающейся области науки, в процессе решения первоначальной задачи появились другие возможности волоконной оптики, которые привели к увеличению числа изучаемых объектов и явлений и, в свою очередь, расширили область возможных применений волоконных световодов и устройств на их основе. Отдельным направлением волоконной оптики является разработка и исследование волоконных лазеров. В этих устройствах в качестве активной среды используются волоконные световоды, легированные различными добавками, прежде всего редкоземельными элементами. Впервые волоконный лазер был создан Е. Снитцером в 1961 г., когда была продемонстрирована лазерная генерация в стекле, легированном ионами Nd3+. Активный элемент лазера представлял собой стеклянную нить, покрытую оболочкой из стекла с пониженным показателем преломления. Развитие технологии получения волоконных световодов и полупроводниковых источников накачки позволило вернуться к идее волоконного лазера на качественно новом уровне. Начало бурного развития этого направления относится к концу 1980-х годов, когда было показано, что волоконные световоды, легированные ионами Er3+, могут найти применение в волоконных усилителях сигнала на длинах волн в диапазоне 1,53. . . 1,56 мкм, т. е. в спектральной области минимальных оптических потерь волоконных световодов на основе кварце 3
вого стекла. Исследования в области волоконно-оптических усилителей послужили толчком для создания мощных полупроводниковых источников накачки. Открытие фоторефрактивного эффекта в световодах и разработка методики записи внутриволоконных брэгговских отражающих решеток позволили формировать брэгговские зеркала, образующие резонатор непосредственно в волоконных световодах, и реализовать широкий набор лазерных конфигураций в чисто волоконном исполнении. Все это привело к бурному развитию волоконных лазеров. Понятие «волоконные лазеры» охватывает чрезвычайно широкий круг лазерных конфигураций, характеризующихся различными масштабами выходной мощности, а также спектральными и временными характеристиками выходного излучения. Классификация волоконных лазеров по уровням выходной мощности выглядит достаточно условной, отражая особенности схемы построения лазера. Так, в лазерах малой выходной мощности используется накачка в сердцевину световода. Это накладывает ограничения на параметры полупроводникового источника накачки, который должен иметь размер излучающей области 5. . . 10 мкм. При этом мощность накачки не превышает сотен милливатт, поэтому характерная выходная мощность таких лазеров находится в диапазоне значений 10−1. . . 102 мВт. Среди этих устройств можно выделить волоконные лазеры, излучающие в одной продольной моде с шириной линии около 20 кГц. Разработка мощных полупроводниковых источников с широкой излучающей областью позволила приступить к созданию непрерывных волоконных лазеров средней мощности — от сотен милливатт до десятков ватт. В основе таких устройств лежат волоконные световоды с двойной оболочкой и сердцевиной, легированной активной примесью. Обычно в лазерах средней мощности в качестве отражателей используются брэгговские решетки, при этом объемные элементы в схеме лазера отсутствуют и нелинейно-оптические явления в резонаторе, как правило, не возникают. В таких лазерах не требуется принимать специальные меры для предотвращения лучевого пробоя материала световода. Условная верхняя граница выходной мощности подобных устройств составляет несколько десятков ватт в одной поперечной моде. 4
1. СВЕТОВОДЫ 1.1. Отражение и преломление света Важнейшим оптическим параметром материала является его показатель преломления. По волновой теории света показатель преломления материала n выражается через отношение скорости света в вакууме с к скорости света в среде данного материала u: n = с/u (1..1) или оптической длины волны в вакууме λв к длине волны в материале λм: n = λв/λм. (1..2) Поскольку n > 1 для всех известных веществ, свет распространяется в материале медленнее, чем в вакууме. Типичные значения показателей преломления материалов, используемых в оптоволокне, приведены в табл. 1. Таблица 1 Показатели преломления материалов, используемых в оптоволокне Материал Длина волны в вакууме, нм Показатель преломления Длина волны в материале, нм Стекло 850 1,4525 585,5 1300 1,4469 898,5 1550 1,4440 1073,4 GaAlAs 850 3,6 236,1 Пластик 650 1,4. . . 1,5 433. . . 464 5
Из формул (1.1), (1.2) и значений, приведенных в табл. 1, следует, что показатель преломления стекла изменяется в зависимости от его состава. Основные понятия, используемые при обсуждении механизма преломления, иллюстрирует рис. 1.1, а, б, в. Во всех случаях граница раздела проходит между двумя средами с показателями преломления n1 и n2, причем n1 > n2. Рассмотрим случай преломления светового луча при переходе из одной среды в другую (см. рис. 1.1, а). Углом падения называется угол между перпендикуляром к границе раздела двух сред и падающим лучом Θ1. На границе раздела часть света отражается обратно (отражение Френеля). Углом отражения называется угол между перпендикуляром к границе раздела двух сред и отраженным лучом. Оставшаяся часть света пересекает границу раздела, образуя преломленный луч, который распространяется под углом Θ2. Согласно закону Снеллиуса, между углом падения и углом преломления существует следующее соотношение: n1 sin Θ1 = n2 sin Θ2. (1..3) Рис. 1.1. Отражение и преломление света на границе двух сред: а – преломление светового луча при переходе из одной среды в другую; б – падение луча под критическим углом; в – падение луча под углом больше критического 6