Технология тонких пленок и покрытий
Покупка
Издательство:
Издательство Уральского университета
Год издания: 2019
Кол-во страниц: 236
Дополнительно
Вид издания:
Учебное пособие
Уровень образования:
ВО - Бакалавриат
ISBN: 978-5-7996-2560-3
Артикул: 800206.01.99
В учебном пособии рассмотрены физико-химические принципы организации нанесения тонких пленок и покрытий, способы нанесения пленок с использованием как физических, так и химических технологий, методы определения толщин, фазового состава и функциональных свойств пленок халькогенидов металлов и области их применения в электронной технике и альтернативной энергетике. Адресовано бакалаврам и магистрам, обучающимся по направлению 18.03.01 «Химическая технология»; может быть полезно студентам, специализирующимся в области химической технологии материалов и изделий электронной техники, а также инженерам и научным работникам, деятельность которых связана с получением и исследованием тонкопленочных, функциональных материалов для микро- и оптоэлектроники.
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов
Екатеринбург Издательство Уральского университета 2019 МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ УРАЛЬСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ ПЕРВОГО ПРЕЗИДЕНТА РОССИИ Б. Н. ЕЛЬЦИНА Л. Н. Маскаева, Е. А. Федорова, В. Ф. Марков ТЕХНОЛОГИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК И ПОКРЫТИЙ Учебное пособие Рекомендовано методическим советом Уральского федерального университета в качестве учебного пособия для студентов вуза, обучающихся по направлению подготовки 18.03.01 «Химическая технология»
УДК 66.01(075.8) М313 В учебном пособии рассмотрены физико-химические принципы организации нанесения тонких пленок и покрытий, способы нанесения пленок с использованием как физических, так и химических технологий, методы определения толщин, фазового состава и функциональных свойств пленок халькогенидов металлов и области их применения в электронной технике и альтернативной энергетике. Адресовано бакалаврам и магистрам, обучающимся по направлению 18.03.01 «Химическая технология»; может быть полезно студентам, специализирующимся в области химической технологии материалов и изделий электронной техники, а также инженерам и научным работникам, деятельность которых связана с получением и исследованием тонкопленочных, функциональных материалов для микро- и оптоэлектроники. Маскаева, Л. Н. Технология тонких пленок и покрытий : учеб. пособие / Л. Н. Маскаева, Е. А. Федорова, В. Ф. Марков ; [под общ. ред. Л. Н. Маскаевой] ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Урал. федер. ун-т. – Екатеринбург : Изд-во Урал. ун-та, 2019. – 236 с. ISBN 978-5-7996-2560-3 М313 ISBN 978-5-7996-2560-3 П о д о б щ е й р е д а к ц и е й доктора химических наук, профессора Л. Н. Маскаевой Р е ц е н з е н т ы: кафедра общей и неорганической химии Самарского государственного технического университета (заведующий кафедрой доктор химических наук, профессор И. К. Гаркушин); М. Г. Зуев, доктор химических наук, профессор, главный научный сотрудник Института химии твердого тела УрО РАН УДК 66.01(075.8) © Уральский федеральный университет, 2019
ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие ............................................................................................................ 7 Глава 1. ПЛЕНКИ И ПОКРЫТИЯ ........................................................................ 9 1.1. История становления тонкопленочных технологий ........................... 9 1.2. Классификация пленок и покрытий .................................................... 11 1.3. Отличительные особенности тонкопленочного состояния вещества ............................................... 15 Вопросы для самоконтроля ........................................................................ 18 Глава 2. ПОДЛОЖЕЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ...................................................... 19 2.1. Материалы подложек, их достоинства и недостатки ....................... 19 2.2. Требования, предъявляемые к подложкам ....................................... 25 2.3. Подготовка поверхности подложек .................................................... 30 2.4. Жидкостная очистка ............................................................................... 33 2.5. Сухая очистка .......................................................................................... 41 2.6. Контроль состояния подготовленной поверхности подложки ...... 51 Вопросы для самоконтроля ....................................................................... 52 Глава 3. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК НА ТВЕРДОЙ МЕЖФАЗНОЙ ПОВЕРХНОСТИ .............................................. 54 3.1. Роль процессов адсорбции при межфазных взаимодействиях ..... 54 3.2. Физико-химические аспекты процесса зарождения новой фазы .................................................... 59 3.3. Теоретические представления зарождения пленок на поверхности ....................................................................................... 67 3.4. Процесс роста тонких пленок .............................................................. 70 3.4.1. Стадии формирования пленок ................................................... 70 3.4.2. Механизмы роста пленок ........................................................... 76 Вопросы для самоконтроля ....................................................................... 78 Глава 4. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА ВОЗМОЖНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ ГИДРОХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ (курсовая работа) ................................................................................................. 79 4.1. Общие сведения о гидрохимическом осаждении ........................... 80
4.2. Расчет граничных условий образования халькогенида, гидроксида и цианамида металла при осаждении тио-, селенокарбамидом ......................................... 81 4.3. Расчет граничных условий образования сульфида и гидроксида металла при осаждении тиоацетамидом .................. 98 4.4. Расчет граничных условий образования селенида и гидроксида металла при осаждении селеносульфатом натрия ........................................ 111 4.5. Учет кристаллизационного фактора при образовании твердой фазы халькогенида металла ................ 120 Приложение 4.1 ............................................................................................ 132 Приложение 4.2 ............................................................................................ 145 Приложение 4.3 ............................................................................................ 146 Глава 5. ГИДРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ .................................................. 148 5.1. Гидрохимический синтез фоточувствительных пленок сульфида свинца в присутствии галогенидов аммония (лабораторная работа 1) ..................................................................... 148 5.1.1. Структура и свойства сульфида свинца ................................ 149 5.1.2. Методы получения тонких пленок сульфида свинца ......... 151 5.1.3. Гидрохимическое осаждение пленок сульфида свинца .... 152 5.1.4. Методы сенсибилизации пленок сульфида свинца ............ 156 5.1.5. Методика гидрохимического осаждения пленок PbS ........ 158 Задание и порядок выполнения лабораторной работы .................... 162 Требования к оформлению отчета .......................................................... 163 Вопросы для самоконтроля ..................................................................... 164 5.2. Гидрохимический синтез твердых растворов замещения на основе сульфидов свинца и кадмия CdxPb1– xS (лабораторная работа 2) ..................................................................... 165 5.2.1. Факторы изоморфного замещения в системе CdS – PbS ................................................................. 166 5.2.2. Механизм образования пленок твердых растворов CdxPb1–xS при гидрохимическом осаждении ........................................ 168 5.2.3. Методика гидрохимического осаждения пленок твердого раствора замещения CdxPb1–xS ............................ 172
Задание и порядок выполнения лабораторной работы ..................... 175 Требования к оформлению отчета ........................................................... 176 Вопросы для самоконтроля ....................................................................... 177 5.3. Определение толщин тонких пленок халькогенидов металлов с использованием интерференционного микроскопа (лабораторная работа 3) ..................................................................... 178 5.3.1. Методы определения толщин тонких пленок ...................... 179 5.3.2. Основы интерференционного измерения толщин тонких пленок ............................................................. 182 5.3.3. Методика интерференционного измерения толщин пленок и покрытий .................................................... 186 Задание и порядок выполнения лабораторной работы .................... 189 Требования к оформлению отчета .......................................................... 190 Вопросы для самоконтроля ....................................................................... 191 5.4. Исследование фотоэлектрических свойств гидрохимически осажденных пленок сульфида свинца PbS (лабораторная работа 4) ..................................................................... 191 5.4.1. Природа инфракрасного излучения и его источники ....... 192 5.4.2. Основные законы инфракрасного излучения ..................... 198 5.4.3. Приемники инфракрасного излучения ................................ 200 5.4.4. Параметры и характеристики приемников излучения ...... 201 5.4.5. Измерение фоточувствительных характеристик пленок PbS ................................................................................. 206 Задание и порядок выполнения лабораторной работы ..................... 209 Требования к оформлению отчета .......................................................... 210 Вопросы для самоконтроля ....................................................................... 211 5.5. Исследование фотоэлектрических свойств гидрохимически осажденных пленок твердых растворов CdxPb1–xS (лабораторная работа 5) ..................................................................... 212 5.5.1. Фотоэлектрические свойства пленок CdxPb1–xS в зависимости от их состава ..................................................... 212 Задание и порядок выполнения лабораторной работы .................... 214 Требования к оформлению отчета ......................................................... 216 Вопросы для самоконтроля ....................................................................... 217
5.6. Определение периода кристаллической решетки и состава гидрохимически осажденных пленок твердых растворов замещения CdxPb1–xS (лабораторная работа 6) ...................................................................... 217 5.6.1. Структурные исследования тонких пленок сульфидов металлов ................................................................. 218 5.6.2. Правило Вегарда ........................................................................ 222 5.6.3. Методика определения периода кристаллической решетки и состава твердого раствора замещения CdxPb1–xS ............................................................... 224 Задание и порядок выполнения лабораторной работы .................... 224 Требования к оформлению отчета .......................................................... 225 Вопросы для самоконтроля ..................................................................... 226 Приложение 5.1 .......................................................................................... 227 Приложение 5.2 .......................................................................................... 228 Список рекомендуемой литературы .............................................................. 229
ПРЕДИСЛОВИЕ Тонкие пленки широко применяются в качестве функциональных, упрочняющих, светоотражающих, проводящих и диэлектрических материалов при формировании контактов, изготовлении печатных плат, элементов интегральных схем в микроэлектронике, создании светофильтров, элементной базы оптоэлектроники, в современных литографических процессах. Благодаря интенсивным экспериментальным и теоретическим исследованиям в разработке технологии тонких пленок в последние годы здесь достигнут значительный прогресс. Поскольку смена информации в области тонкопленочных технологий происходит относительно быстро, существует необходимость дать представление об основных технологических процессах, используемых в настоящее время, а также об их особенностях при формировании тонких пленок и покрытий различной природы. В учебном пособии приводятся краткое описание основных понятий и представлений о структуре и функциональных свойствах тонких пленок, характеристика используемого подложечного материала; рассматриваются процессы зарождения пленок и механизмов их роста при физическом и химическом методах получения тонких пленок и покрытий, а также ряд вопросов, которые лишь частично освещены в других учебных пособиях. В первую очередь это касается описания гидрохимической технологии осаждения пленок, так как именно данный метод синтеза в последнее время вызывает повышенный интерес инженерных и инженерно-технических работников в области микро- и наноэлектроники из-за его высокой производительности и экономичности. Впервые в курс технологии тонких пленок и покрытий включены разделы, посвященные описанию экспериментальных исследований в области гидрохимического осаждения пленок как бинарных полупроводниковых материалов, так и более сложных соединений на их основе, в част
ности, твердых растворов. В каждом разделе пособия приводятся вопросы для самоконтроля. Экспериментальная часть учебного пособия представлена описанием оригинальных лабораторных работ и курсовой работы «Термодинамическая оценка возможности образования гидрохимическим осаждением твердых растворов халькогенидов металлов». В пособии описаны методы определения толщин пленок, определения на основе рентгеновских исследований их состава, рассмотрены вопросы измерения фотоэлектрических свойств. Целью курсовой работы является ознакомление студентов с одним из расчетных методов, в основе которого лежит анализ ионных равновесий в реакционной системе, для оценки граничных условий образования твердых фаз в водных растворах, в частности, сульфидов, селенидов, гидроксидов и цианамидов металлов при использовании различных халькогенизаторов. Лабораторные работы посвящены гидрохимическому осаждению тонких пленок сульфида свинца и твердых растворов замещения на основе сульфидов свинца и кадмия, представляющих большой интерес для современной оптоэлектроники. В учебном пособии приводятся исчерпывающие справочные данные по произведениям растворимости халькогенидов, цианамидов и гидроксидов металлов, константам нестойкости комплексных ионов и константам ионизации соединений.
Глава 1 ПЛЕНКИ И ПОКРЫТИЯ 1.1. История становления тонкопленочных технологий Если обратиться к истории, то можно заметить, что тонкие слои различной природы использовались на протяжении многих тысячелетий. Возникновение первых покрытий из неорганических материалов относится ко времени неолита (VII–VI вв. до н. э.), что в значительной мере связано с появлением в быту новых изделий из керамики, позже – из меди, золота, серебра и, наконец, из железа и металлических сплавов. Первые покрытия состояли из тонко размельченных природных минералов и различного рода связующих. Обжиг данных покрытий позволил существенно повысить их качество, особенно при расплавлении предварительно закрепленного слоя. К наиболее ярким способам получения покрытий с помощью расплавления, известному с древнейших времен, относится э м а л и р о в а н и е. Художественные эмали использовали при создании многочисленных произведений искусства. Так, в археологических раскопках древнейших цивилизаций Египта, Китая, Перу найдены непревзойденные по красоте изделия с покрытиями из художественной эмали, а на территории России декоративные эмалированные работы известны с III–IV вв. н. э. При раскопках древних руин и в оконных перекладинах старинных соборов находили покрытия на стеклах, имевшие оттенки всех цветов радуги. К древним способам покрытия относят также з о л о ч е н и е – нанесение на поверхность изделий слоев золота толщиной от десятых долей микрона до 2–3 мкм и более. В Древнем Египте широко применялся так называемый листовой метод: на подготовленную поверхность наклеивали 1–3 слоя тончайших лепестков золота.
Примером служат обнаруженные при вскрытии усыпальниц и гробниц в пирамидах Хеопса предметы, покрытые тончайшими слоями золота и других металлов. В XVII в. золотое и серебряное покрытия на медицинских флаконах, стеклянной и керамической посуде получали нанесением на поверхность пастообразной амальгамы драгоценного металла, затем в процессе нагрева поверхности ртуть испарялась, образуя покрытие из чистого золота или серебра. Тогда же был известен способ изготовления «сусального золота» (золотой фольги), пластин толщиной примерно 0.1 мкм, и так называемых «люстровых» покрытий из солянокислых растворов, наносимых на керамические изделия. Впервые о с а ж д е н н ы е т о н к и е п л е н к и были получены в 1857 г. М. Фарадеем при проведении им опытов по взрыву металлических проволочек в инертной атмосфере. Позднее, в 1884 г., О. Рейнольдс первым наблюдал образование зеркальной пленки PbS на стенках сосуда при нагревании щелочного раствора, содержащего виннокислую соль свинца и тиокарбамид. Дальнейшие эксперименты по осаждению пленок были стимулированы интересом к оптическим явлениям, связанным с тонкими слоями вещества. Например, Н. В. Суйковской был разработан способ искусственного наращивания пленки путем травления стекла водными растворами кислот. Вследствие интерференции света в тонкой поверхностной пленке ее образование и рост, по мере увеличения времени взаимодействия стекла с химическими реагентами, сопровождались появлением периодически изменяющейся окраски его поверхности. В 1887 г. Нарволд на примере проволок из платины продемонстрировал возможность осаждения тонких металлических пленок в вакууме с использованием джоулева тепла. Затем А. Кундт применил этот же метод для измерения показателя преломления пленок металлов. Позднее Н. Ф. Тимофеевой были начаты опыты по изучению возможности получения тонких пленок путем испарения в вакууме различных веществ с малым показателем преломления. Однако