Проектирование микроволновых функциональных узлов
Покупка
Основная коллекция
Тематика:
Электроэнергетика. Электротехника
Издательство:
Новосибирский государственный технический университет
Год издания: 2019
Кол-во страниц: 87
Дополнительно
Вид издания:
Учебно-методическая литература
Уровень образования:
ВО - Магистратура
ISBN: 978-5-7782-3942-5
Артикул: 778450.01.99
Изложены методы автоматизированного проектирования СВЧ-фильтров, дискретных фазовращателей и линейных транзисторных усилителей, работающих в полосе частот, в сосредоточенном и распределенном (сосредоточенно-распределенном) геометрическом элементном базисе. Рассмотрены примеры проектирования топологий СВЧ-фильтра, дискретного фазовращателя и линейного транзисторного усилителя на полевом транзисторе. Предназначено для закрепления знаний по соответствующим дисциплинам и получения практических навыков проектирования микроволновых функциональных узлов с использованием современных профессиональных программных продуктов для студентов радиотехнических специальностей.
Тематика:
ББК:
УДК:
ОКСО:
- ВО - Магистратура
- 11.04.02: Инфокоммуникационные технологии и системы связи
- 11.04.03: Конструирование и технология электронных средств
ГРНТИ:
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ __________________________________________________________________________ Г.Н. ДЕВЯТКОВ ПРОЕКТИРОВАНИЕ МИКРОВОЛНОВЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ УЗЛОВ Учебно-методическое пособие НОВОСИБИРСК 2019
УДК 621.372.542.2(075.8) Д 259 Рецензенты: д-р техн. наук, профессор А.П. Горбачев канд. техн. наук, доцент К.А. Лайко Работа выполнена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств для магистрантов, направления подготовки 11.04.02 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи и 11.04.03 – Конструирование и технология электронных средств Девятков Г.Н. Д 259 Проектирование микроволновых функциональных узлов: учебно-методическое пособие / Г.Н. Девятков. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2019. – 87 с. ISBN 978-5-7782-3942-5 Изложены методы автоматизированного проектирования СВЧфильтров, дискретных фазовращателей и линейных транзисторных усилителей, работающих в полосе частот, в сосредоточенном и распределенном (сосредоточенно-распределенном) геометрическом элементном базисе. Рассмотрены примеры проектирования топологий СВЧ-фильтра, дискретного фазовращателя и линейного транзисторного усилителя на полевом транзисторе. Предназначено для закрепления знаний по соответствующим дисциплинам и получения практических навыков проектирования микроволновых функциональных узлов с использованием современных профессиональных программных продуктов для студентов радиотехнических специальностей. УДК 621.372.542.2(075.8) ISBN 978-5-7782-3942-5 © Девятков Г.Н., 2019 © Новосибирский государственный технический университет, 2019
1. ПРОЕКТИРОВАНИЕ ФИЛЬТРА НИЖНИХ ЧАСТОТ НА РАСПРЕДЕЛЕННЫХ ЭЛЕМЕНТАХ Задание. Спроектировать и промоделировать топологию фильтра нижних частот в геометрическом (сосредоточенно-геометрическом) элементном базисе. Топология – это вид физического представления схемы, в которой каждый компонент схемы имеет свои геометрические размеры. Исходные данные. Исходные данные, необходимые для решения задачи, выбираются по табл. 1. Т а б л и ц а 1 Исходные данные для вариантов практического занятия Наименование исходных данных Номер варианта 1 2 3 4 5 6 7 8 9 сf , ГГц 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 2.7 2.9 3.1 стU K 1.45 1.45 1.45 1.45 1..5 1.5 1.5 1.5 1.5 a L , дБ 0.2 0.2 0.2 0.2 0.25 0.25 0.25 0.25 0.25 d L , дБ 23 24 25 25 23 24 25 25 23 Г R , н R , Ом 50 50 50 50 50 50 50 50 50 В табл. 1 приняты следующие обозначения: сf – частота среза фильтра; стU K – коэффициент стоячей волны напряжения на входных зажимах фильтра; a L – уровень пульсаций в рабочей полосе фильтра;
d L – уровень подавления второй гармоники; Г R , н R – внутреннее сопротивление генератора и сопротивление нагрузки. Методические указания. Прежде чем приступить к выполнению задания, изучите по источникам: [5, с. 78–95] – проектирование фильтров-прототипов нижних частот, нагруженных с двух сторон, [1, с. 16–23, 58–77] – неорганические диэлектрики, проводниковые материалы, несимметричная полосковая линия; [2, с. 109–133, 243–246] – конструирование полосковых плат; [3] – проектирование микросборок СВЧ диапазона; [4] – назначение, возможности, создание схем и графиков, настройка и оптимизация схем в Microwave Office. Проектирование фильтра нижних частот на распределенных элементах в интегральном исполнении включает в себя следующие этапы: – синтез и моделирование низкочастотного фильтра в сосредоточенном электрическом элементном базисе; – преобразование низкочастотного фильтра-прототипа в распределенный электрический элементный базис с учетом возможности планарной реализации, моделирование; – проектирование топологии низкочастотного фильтра в распределенном геометрическом элементном базисе. Выполненная работа должна содержать следующие разделы: исходные данные; синтез и моделирование низкочастотного фильтрапрототипа в сосредоточенном электрическом элементном базисе; переход в сосредоточенно-распределенный электрический и геометрический элементный базис; моделирование, разработка и моделирование топологии низкочастотного фильтра; заключение; список использованных литературных источников; приложение (чертеж топологии и таблица координат). 1.1. Синтез низкочастотного фильтра в сосредоточенном электрическом элементном базисе Синтез низкочастотного фильтра в сосредоточенном электрическом элементном базисе включает в себя следующие подэтапы [5]: – определение числа элементов и их значений низкочастотного фильтра-прототипа; – моделирование.
Определение числа элементов и их значений низкочастотного фильтра-прототипа При выборе числа элементов фильтра необходимо исходить из того, что исходный низкочастотный фильтр-прототип должен обеспечивать коэффициент стоячей волны на входных зажимах фильтра стU K , иметь уровень затухания a L в заданной полосе пропускания и необходимый уровень фильтрации (затухания) d L на заданной частоте с некоторым запасом. С учетом того, что при проектировании фильтра в геометрическом элементном базисе в a L войдут потери мощности на отражение на входных зажимах фильтра и потери в самом фильтре, определяющим параметром при нахождении предельного уровня пульсаций в полосе пропускания фильтра будет являться стU K . Уровень a L , соответствующий заданному стU K , можно определить по следующей формуле: 2 10lg 1 a L , (1) где ст ст 1 1 U U K K . На рис. 1 приведена характеристика затухания фильтра нижних частот, где и c 1 нормированные соответственно текущая частота и частота среза характеристики. Рис. 1. Характеристика затухания фильтра нижних частот
Тогда число элементов n соответствующего фильтра-прототипа нижних частот может быть определено по графикам для нужного уровня затухания a L в заданной полосе пропускания и заданного уровня подавления d L на частоте d (рис. 2–4). Рис. 2. Чебышёвские характеристики затухания с пульсациями 0.01 дБ Рис. 3. Чебышёвские характеристики затухания с пульсациями 0.1 дБ
Рис. 4. Чебышёвские характеристики затухания с пульсациями 0.2 дБ Например, рассмотрим, как определить необходимое число элементов фильтра нижних частот для получения необходимого уровня затухания ненужных гармонических составляющих при следующих требованиях к характеристикам: уровень пульсаций чебышёвской характеристики a L = 0.25 дБ в полосе рабочих частот н в ... 0...1 f f ГГц, уровень затухания на частоте 5 ГГц не хуже 15 дБ, стU K по входу фильтра не хуже 1.5. Вначале находим модуль коэффициента отражения по входу фильтра: ст ст 1 1.5 1 0.2 1 1.5 1 U U K K и по формуле (1) вычисляем a L : 2 2 10lg 1 10lg 0.2 1 0.18 a L ДБ. Исходя из полученного результата остановимся на фильтрепрототипе с уровнем пульсаций 0.1 дБ, обеспечивающим запас по заданному уровню стU K .
С помощью графика (рис. 3), на котором приведены чебышёвские характеристики затухания фильтров с уровнем пульсаций в рабочей полосе пропускания 0.1 дБ, находим, что для значения ср 5 при числе реактивных элементов 2 n фильтр-прототип нижних частот будет иметь затухание 17 дБ. Таким образом, для фильтра нижних частот с уровнем пульсаций 0.1 дБ в полосе рабочих частот н в ... 0...1 f f ГГц необходимо 2 n резонатора, чтобы обеспечить требуемый уровень затухания на частоте 5 ГГц. Нормированные по сопротивлению генератора и частоте среза значения элементов фильтра-прототипа нижних частот (рис. 5) определяются по табл. 2 для нужного уровня затухания в заданной полосе пропускания и найденного числа элементов [5]. а б Рис. 5. Определение нормированных значений элементов фильтров- прототипов Т а б л и ц а 2 Нормированные значения элементов фильтров-прототипов нижних частот с чебышёвскими характеристиками a L n 1 q 2 q 3 q 4 q 5 q 6 q 7 q 0.01 дБ 2 0.449 0.408 1.101 3 0.629 0.97 0.629 1
О к о н ч а н и е т а б л . 2 a L n 1 q 2 q 3 q 4 q 5 q 6 q 7 q 4 0.713 1.2 1.321 0.648 1.101 5 0.756 1.305 1.577 1.305 0.756 1 0.1 дБ 2 0.843 0.622 1.355 3 1.032 1.147 1.032 1 4 1.109 1.306 1.77 0.818 1.355 5 1.147 1.371 1.975 1.371 1.147 1 0.2 дБ 2 1.038 0.675 1.539 3 1.228 1.153 1.228 1 4 1.303 1.284 1.976 0.847 1.539 5 1.339 1.337 2.166 1.337 1.339 1 После нахождения нормированных параметров элементов выбранного фильтра-прототипа нижних частот могут быть определены значения элементов схемы, соответствующие конкретному случаю применения: Г 0 R R R , 0 c 2 k k q R L f , c 0 2 k k q C f R , (2) где 0 R , cf – заданные соответственно сопротивление генератора и частота среза фильтра. Для рассмотренного выше примера фильтра-прототипа нижних частот с числом реактивных элементов 2 n и уровнем пульсаций в рабочей полосе пропускания 0.1 дБ, выбрав структуру фильтра (рис. 5, а), из табл. 2 определяем нормированные значения реактивных элементов 1 0.843 q , 2 0.622 q и нагрузки 3 1.355 q (рис. 6). Частотная характеристика коэффициента стоячей волны стU K на входных зажимах фильтра приведена на рис. 7.