Бюллетень науки и практики, 2020, том 6, № 9

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
2

ISSN 2414-2948

Издательский центр «Наука и практика».
Е. С. Овечкина.
Том 6. Номер 9.

БЮЛЛЕТЕНЬ НАУКИ И ПРАКТИКИ
Научный журнал.
сентябрь 2020 г.

Издается с декабря 2015 г.
Выходит один раз в месяц.
16+

Главный редактор Е. С. Овечкина 

Редакционная коллегия: З. Г. Алиев, К. Анант, А. А. Афонин, Р. Б. Баймахан, Р. К. Верма, В. А. Горшков–
Кантакузен, И. Х. Давлетов, Е. В. Зиновьев, Э. А. Кабулов, С. Ш. Казданян, С. В. Коваленко, Д. Б. Косолапов,
Н. Г. Косолапова, Р. А. Кравченко, Н. В. Кузина, К. И. Курпаяниди, Р. А. Махесар, Ф. Ю. Овечкин (отв. ред.),
Р. Ю. Очеретина, Т. Н. Патрахина, И. В. Попова, А. В. Родионов, С. К. Салаев, П. Н. Саньков, Е. А. Сибирякова,
С. Н. Соколов, С. Ю. Солдатова, Л. Ю. Уразаева, А. М. Яковлева.

Адрес редакции:
628605, Нижневартовск, ул. Ханты–Мансийская, 17
Тел. +79821565120
https://www.bulletennauki.com
E-mail: bulletennaura@inbox.ru, bulletennaura@gmail.com

Свидетельство о регистрации ЭЛ №ФС 77-66110 от 20.06.2016

Журнал «Бюллетень науки и практики» включен в Crossref, Ulrich’s Periodicals Directory, AGRIS, GeoRef,
Chemical Abstracts Service (CAS), фонды Всероссийского института научной и технической информации
(ВИНИТИ РАН), eLIBRARY.RU (РИНЦ), ЭБС IPRbooks, ЭБС «Лань», КиберЛенинка, ЭБС Znanium.com,
информационную матрицу аналитики журналов (MIAR), ACADEMIA, Google Scholar, ZENODO, AcademicKeys
(межуниверситетская библиотечная система), Polish Scholarly Bibliography (PBN), индексируется в РИНЦ, Index
Copernicus Search Articles, J–Gate, Open Academic Journals Index (OAJI), OpenAIRE, CIARD RING, BASE
(Bielefeld Academic Search Engine), Internet Archive, Dimensions.

Импакт–факторы журнала: РИНЦ— 0,291; Open Academic Journals Index (OAJI) — 0,350,

Index Copernicus Journals (ICI) Master List database for 2018 (ICV) — 100,00.

Тип лицензии CC поддерживаемый журналом: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0).

В журнале рассматриваются вопросы развития мировой и региональной науки и практики. Для ученых,
преподавателей, аспирантов, студентов.

Бюллетень науки и практики. 2020. Т. 6. №9. https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

©Издательский центр «Наука и практика»
Нижневартовск, Россия

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
3

ISSN 2414-2948

Publishing center Science and Practice.
E. Ovechkina.
Volume 6, Issue 9.

BULLETIN OF SCIENCE AND PRACTICE
Scientific Journal.
September 2020.

Published since December 2015.
Schedule: monthly.
16+

Editor–in–chief E. Ovechkina

Editorial Board: Z. Aliev, Ch. Ananth, А. Afonin, R. Baimakhan, V. Gorshkov–Cantacuzène, I. Davletov, E. Kabulov,
S. Kazdanyan, 
S. Kovalenko, 
D. Kosolapov, 
N. Kosolapova, 
R. Kravchenko, 
N. Kuzina, 
K. Kurpayanidi, 

R. A. Mahesar, 
R. Ocheretina, 
F. Ovechkin 
(executive 
editor), 
T. Patrakhina, 
I. Popova, 
S. Salaev, 

P. Sankov, E. Sibiryakova, S. Sokolov, S. Soldatova, D. Shvaiba, A. Rodionov, L. Urazaeva, R. Verma, A. Yakovleva, 
E. Zinoviev.

Address of the editorial office:
628605, Nizhnevartovsk, Khanty–Mansiyskaya str., 17.
Phone +79821565120
https://www.bulletennauki.com
E-mail: bulletennaura@inbox.ru, bulletennaura@gmail.com

The certificate of registration EL no. FS 77-66110 of 20.6.2016.

The Bulletin of Science and Practice Journal is Crossref, Ulrich’s Periodicals Directory, AGRIS, GeoRef, Chemical 
Abstracts Service (CAS), included ALL–Russian Institute of Scientific and Technical Information (VINITI), RINTs, 
the Electronic and library system IPRbooks, the Electronic and library system Lanbook, CyberLenink, MIAR, 
ZENODO, ACADEMIA, Google Scholar, AcademicKeys (interuniversity library system, Polish Scholarly 
Bibliography (PBN), the Electronic and library system Znanium.com, J–Gate, Open Academic Journals Index (OAJI), 
OpenAIRE, CIARD RING, BASE (Bielefeld Academic Search Engine), Internet Archive, Scholarsteer, Dimensions.

Impact–factor RINTs— 0.291; Open Academic Journals Index (OAJI) — 0.350,
Index Copernicus Journals (ICI) Master List database for 2018 (ICV) — 100.00.

License type supported CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0).

The Journal addresses issues of global and regional Science and Practice. For scientists, teachers, graduate students, 
students.

(2020). Bulletin of Science and Practice, 6(9). https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

©Publishing center Science and Practice
Nizhnevartovsk, Russia

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
4

СОДЕРЖАНИЕ

Химические науки

1.
Раззаков А. Ш., Матназаров А. Р., Латипова М. А., Жапаков А. И. 
Физико-химические основы выращивания варизонного 
полупроводникового Si1−xGex твердого раствора из жидкой фазы ……………………...
10-17

Биологические науки

2.
Афонин А. А. 
Сезонная динамика длины междоузлий побегов Salix dasyclados Wimm. 
(Salicaceae Mirb.) на фоне стресса от раннелетней засухи ………………………………
18-36

3.
Сбоева Я. В., Пыстогова Н. А., Боронникова С. В. 
Молекулярно-генетический анализ популяций Pinus sylvestris L., 
обладающих смоляными кислотами с противомикробной активностью ……………….
37-44

4.
Крылова Е. Е. 
Популяционные характеристики Erodium tataricum Willd. ………………………………
45-52

5.
Касимзаде Т. Э. 
Полупустынная растительность Ширвана ………………………………………………..
53-61

6.
Салманова Р. К. 
Распространение видов семейства Orchidaceae Juss. в кустарниковой и лесной 
растительности Нахичеванской автономной республики ………………………………..
62-68

7.
Салахова Э. Х. 
Болезни и виды вредителей Berberis L. в условиях Апшерона ………………………….
69-73

8.
Сарыева Г. Р. 
Продуцирование и энергетические показатели биогеоценозов полупустынь 
Ганых-Айричайской долины Азербайджана ……………………………………………...
74-87

Науки о Земле

9.
Булатов В. И., Игенбаева Н. О., Бирюкова О. Н., Нанишвили О. А. 
Характеристика коллекторских свойств и неоднородности пласта Ю2-3 
Западно-Тугровского нефтяного месторождения ………………………………………...
88-95

Сельскохозяйственные науки

10.
Бекбанов Б. А., Нагыметов О. 
Оптимальные плотности посева сортов яровой пшеницы в условиях Каракалпакстана 
96-102

11.
Русакова И. В. 
Влияние соломы люпина на урожайность картофеля и биологическое состояние 
дерново-подзолистой почвы ……………………………………………………………….
103-113

12.
Фарманов Т., Юсупова Ф. 
Основные меры по стимулированию применения водосберегающих технологий в 
сельском хозяйстве …………………………………………………………………………
114-119

Медицинские науки

13.
Узаков О. Ж., Ахунбаев С. М., Комиссарова С. Ю., Алымкулов А. Т. 
Тревожные расстройства у людей в условиях эпидемии коронавирусной инфекции 
(COVID-19) ………………………………………………………………………………….
120-126

14.
Романчук Н. П. 
Здоровая микробиота и натуральное функциональное питание: гуморальный и 
клеточный иммунитет ……………………………………………………………………...
127-166

15.
Бабаев Ф. Г. 
Анализ прогностической значимости факторов риска на развитие хронической 
болезни почек ……………………………………………………………………………….
167-173

16.
Бабаев Ф. Г. 
Дисперсионный анализ факторов риска развития хронической болезни почек ………..
174-181

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
5

17.
Токтоналиева Н. У., Токтоналиев И. У. 
История и предпосылки внедрения стандартов надлежащей производственной 
практики в фармацевтическую промышленность (обзор) ……………………………….
182-191

18.
Евсеев А. Б. 
Польза и вред подсластителей в диетическом питании при сахарном диабете ………...
192-197

Технические науки

19.
Матназаров А. Р., Давлетов И. Ю., Жапаков А. И. 
Модернизированная экспериментальная установка для регистрации и исследования 
многозарядных ионов лазерной плазмы …………………………………………………..
198-203

20.
Абдуллаева М. Я. 
Термоокислительная стабилизация и очистка диэлектрической жидкости - сложного 
эфира от токопроводящих примесей ………………………………………………………
204-210

21.
Исманов Ю. Х., Ниязов Н. Т., Джаманкызов Н. К., Жумалиев К. М. 
Термоэлектронное преобразование солнечной энергии 
с использованием гетероструктурного катода ……………………………………………
211-221

22.
Гусева Т. Б., Солдатова С. Ю., Караньян О. М. 
Органолептическая оценка масла сливочного. Особенности проведения и 
интерпретации результатов ………………………………………………………………...
222-228

Экономические науки

23.
Арзуманян С. Ю. 
Концептуальные основы составления
 финансовой отчетности страховых организаций ………………………………………..
229-234

24.
Мадаминов И. О. 
Проблемы повышения инвестиционной активности в регионах Узбекистана …………
235-240

25.
Юсупова Ш. А. 
Теоретико-методологические основы и инструменты привлечения иностранных 
инвестиций в экономику Узбекистана …………………………………………………….
241-247

26.
Давлетов И. Х. 
Комплексный подход к совершенствованию системы управления, содержания и 
модернизации жилых домов ……………………………………………………………….
248-255

27.
Маматкулов А. В.
Влияние прямых иностранных инвестиций на внутренние инвестиции в 
развивающихся странах ……………………………………………………………………
256-266

28.
Салимов А. А. 
Механизм взаимодействия промышленных предприятий малого и крупного бизнеса ..
267-275

29.
Ли Ш. 
Роль развития стрaхoвых oргaнизaций в Республике Узбекистан ………………………
276-280

30.
Темирханова М. Ж., Очилов И. К., Ли Ш. 
Совершенствование аудита финансовой отчетности страховых организаций …………
281-287

Юридические науки

31.
Айдарбекова Г. Б., Уметов К. А. 
Цифровое правосознание общества в контексте правовой политики Киргизской 
Республики ………………………………………………………………………………….
288-292

32.
Бердимуратова Г. М. 
Система судебной власти Республики Каракалпакстан в условиях проведения 
судебно-правовой реформы ………………………………………………………………..
293-299

33.
Болтаев М. С., Палванов И. Т.
Цели пенитенциарной системы: исправление, ресоциализация, подготовка …………..
300-307

34.
Сманалиев К. М. 
Реформирование и цифровизация досудебного производства в уголовном 
судопроизводстве Киргизской Республики ……………………………………………….
308-315

35.
Сыдыкова З. Д. 
Вопросы информатизации уголовного судопроизводства Киргизской Республики в 
условиях внедрения цифровых технологий ………………………………………………
316-323

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
6

36.
Ермашев Ж. М. 
Вопросы правового обеспечения деятельности хакимов в Республике Каракалпакстан 
и совершенствования их функций …………………………………………………………
324-329

Социологические науки

37.
Кузина Н. В.
О современном состоянии информационной защищенности общества: механизмы 
формирования и пути предотвращения индукции деструктивной идеологии в среде 
подростков и юношества при влиянии современной музыкальной и кино-культуры, 
видеоконтента Интернета ………………………………………………………………….
330-355

38.
Кузина Н. В.
Информационная безопасность в условиях пандемии: методы стабилизации 
состояния социума в электронных СМИ и Интернете ……………………………….......
356-394

Педагогические науки

39.
Ширшова Е. О., Коваленко Т. А., Маркелова Е. Б., Грудько Л. С. 
Возрастные особенности отношения студентов специальных медицинских групп к 
здоровому образу жизни ……………………………………………………………………
395-400

40.
Квач И. В., Квач С. С. 
Сопряжение ФГОС ВО 21.03.01 «Нефтегазовое дело» и профессионального 
стандарта «Специалист по добыче нефти, газа и газового конденсата» на примере 
реализации дисциплин технологическое оборудование нефтегазовой отрасли и 
обслуживание и ремонт нефтепромыслового оборудования …………………………….
401-407

Исторические науки

41.
Холмуминов Х. Э. 
Особенности проблемы социально-демографических процессов населения в 
Кашкадарьинском и Сурхандарьинском оазисах (конец XIX в.) ………………………..
408-413

Филологические науки

42.
Алланазарова М. А. 
Словарная память в когнитивной теории …………………………………………………
414-419

43.
Абдуллаева Ч. Б.
Дискурсивная личность персонажа ……………………………………………………….
420-423

44.
Мусабаева Р. Ш. 
Интерференция в немецкой речи немцев Кыргызстана ………………………………….
424-428

45.
Токошева Д. А. 
Сходство значений слов, связанных с сингармонизмом в кыргызском языке и в труде 
Махмуда Кашгари «Диван Лугат ат-Турк» ………………………………………………..
429-434

46.
Кочконбаева Б. О.,  Эгембердиева Ж. С.
Моделирование морфологического анализа и синтеза словоформ естественного языка 
435-439

47.
Мусабаева Р. Ш. 
Фонетическая особенность нижненемецкого (платтдойч) диалекта немцев 
Кыргызстана ………………………………………………………………………………...
440-444

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
7

TABLE OF CONTENTS

Chemical Sciences

1.
Razzakov A., Matnazarov A., Latipova M., Japakov A. 
Physico-Chemical Bases Cultivation Variable-gap Semiconductor 
Solid Solution Si1−xGex from the Liquid Phase ….…………………………………………...
10-17

Biological Sciences

2.
Afonin A. 
Seasonal Dynamics of Internodes Length of the Shoots of Salix dasyclados Wimm. 
(Salicaceae Mirb.) Against the Background of Early Summer Drought Stress ……………...
18-36

3.
Sboeva Ya., Pystogova N., Boronnikova S. 
Molecular-Genetic Analysis of Four Populations of Pinus sylvestris L., 
With Resin Acids With Anti-microbial Activity ……………………………………………..
37-44

4.
Krylova E. 
Population Characteristics Erodium tataricum Willd. ……………………………………….
45-52

5.
Gasimzade Т. 
Semi-desert Vegetation of Shirvan …………………………………………………………..
53-61

6.
Salmanova R. 
Distribution of Species of the Orchidaceae Juss. in the Shrubbery and Forest Vegetation 
of the Nakhchivan Autonomous Republic …………………………………………………...
62-68

7.
Salakhova E. 
Diseases and Pests species of Berberis L. in Absheron Condition
69-73

8.
Sariyeva G. 
Production and Some Energy Indicators in Semi-desert Biogeocenosis 
of the Ganykh-Airichai valley of Azerbaijan ………………………………………………...
74-87

Sciences about the Earth

9.
Bulatov V., Igenbaeva N., Biryukova O., Nanishvili O. 
Characteristics of Reservoir Properties and Formation Heterogeneity 
of the Yu2-3 of the Zapadno-Tugrovskoye Oil Field ………………………………………….
88-95

Agricultural Sciences

10.
Bekbanov B., Nagymetov O. 
Optimum Seeding Density of Spring Wheat Varieties in Karakalpakstan Conditions ………
96-102

11.
Rusakova I. 
Effect of Lupine Straw on Potato Yield and Biological State of Soddy-Podzolic Soil ……...
103-113

12.
Farmanov T., Yusupova F. 
Main Measures to Increase the Use of Water-saving Technologies in Agriculture …………
114-119

Medical Sciences

13.
Uzakov O., Akhunbaev S., Komissarova S., Alymkulov A. 
Anxiety Disorder, Depressive Symptoms and Sleep Quality During COVID-19 …………...
120-126

14.
Romanchuk N. 
Healthy Microbiota and Natural Functional Nutrition: Humoral and Cellular Immunity …...
127-166

15.
Babayev F. 
Analysis of Prognostic Significance of Risk Factors for Development 
of Chronic Kidney Disease …………………………………………………………………..
167-173

16.
Babayev F. 
Dispersion Analysis of Risk Factors for Chronic Kidney Disease …………………………..
174-181

17.
Toktonalieva N., Toktonaliev I. 
History and Background of the Implementation of Good Manufacturing Practice Standards 
in the Pharmaceutical Industry (Review) …………………………………………………….
182-191

18.
Evseev A. 
Sweeteners in Diabetes Mellitus Diet ………………………………………………………..
192-197

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
8

Technical Sciences

19.
Matnazarov A., Davletov I., Japakov A. 
Upgraded Experimental Apparatus for the Detection and Investigation of Multiply Charged 
Ions of a Laser Plasma ……………………………………………………………………….
198-203

20.
Abdullayeva M. 
Thermal Oxidating Stabilization and Cleaning From Conductive Impurities 
of Dielectric Liquid - Esters ………………………………………………………………….
204-210

21.
Ismanov Yu., Niyazov N., Dzhamankyzov N., Zhumaliev K. 
Thermoelectronic Conversion of Solar Energy Using a Heterostructural Cathode ………….
211-221

22.
Guseva T., Soldatova S., Karanyan O. 
Organoleptic Evaluation of Butter. Features of Conducting and Interpreting Results ………
222-228

Economic Sciences

23.
Arzumanyan S. 
Conceptual Basics of Financial Reporting of Insurance Organizations.
229-234

24.
Madaminov I. 
On the Increasing Investment Activity in the Regions of Uzbekistan ……………………….
235-240

25.
Yusupova Sh. 
Theoretical and Methodological Basis and Tools for Attracting Foreign Investment in the 
Economy of Uzbekistan ……………………………………………………………………...
241-247

26.
Davletov I. 
Comprehensive Approach to Improving System Management, Maintenance and 
Modernization Homes ………………………………………………………………………..
248-255

27.
Mamatkulov A. 
Impact of Foreign Direct Investment on Domestic Investment in Developing Countries …..
256-266

28.
Salimov A. 
Mechanism of Interaction of Industrial Enterprises of Small and Large Business …………..
267-275

29.
Li Sh. 
Role of Development of Insurance Organizations in the Republic of Uzbekistan …………..
276-280

30.
Temirkhanova M., Ochilov I., Li Sh. 
Improvement of the Audit of the Financial Reporting of Insurance Organizations …………
281-287

Juridical Sciences

31.
Aidarbekova G., Umetov K. 
Digital Legal Consciousness of the Company in the Context of the Legal Policy 
of the Kyrgyz Republic ………………………………………………………………………
288-292

32.
Berdimuratova G. 
The Judicial System of the Republic of Karakalpakstan in the Context of Judicial Reform ..
293-299

33.
Boltayev M., Palvanov I. 
Objectives of the Penitentiary System: Correction, Resocialization, Retraining ……………
300-307

34.
Smanaliev K. 
Reform and Digitalization of Pre-trial Proceedings in Criminal Proceedings 
of the Kyrgyz Republic ………………………………………………………………………
308-315

35.
Sydykova Z. 
On the Informatization of Criminal Proceedings in the Kyrgyz Republic in the Context of 
the Introduction of Digital Technologies …………………………………………………….
316-323

36.
Ermashev Zh. 
On the Legal Support for the Activities of Khakims in the Republic of Karakalpakstan and 
Improvement of Their Functions …………………………………………………………….
324-329

Sociological Sciences

37.
Kuzina N.
Current State of the Information Security: Formation Mechanisms and Ways to Prevent the 
Induction of Destructive Ideology Among Adolescents and Youth Under the Influence of 
Modern Music and Film Culture, Internet Video Content …………………………………...
330-355

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
9

38.
Kuzina N.
Information Security in the Context of Pandemic: Methods for Stabilizing Society in Terms 
of Electronic Media and Internet …………………………………………………………….
356-394

Pedagogical Sciences

39.
Shirshova E., Kovalenko T., Markelova E., Grudko L. 
Age Features of the Attitude of Students of Special Medical Groups to a Healthy Lifestyle .
395-400

40.
Kvach I., Kvach S. 
Interconnection of FSES HE on 21.03.01 “Oil and Gas Business” and Professional 
Standard “Specialist in Production of Oil, Gas and Gas Condensate” on the Example of 
Implementation Disciplines ………………………………………………………………….
401-407

Historical Sciences

41.
Xolmuminov X. 
Features of the Problem of Socio-Demographic Processes of the Population in the 
Kashkadarya and Surkhandarya Oases (late 19th century) ………………………………….
408-413

Philological Sciences

42.
Allanazarova M. 
Vocabulary Retention in Cognitive Theory ………………………………………………….
414-419

43.
Abdullaeva Ch. 
Discursive Personality of Personage …………………………………………………………
420-423

44.
Musabaeva R. 
Interference in German Speech of Kyrgyzstan Germans ……………………………………
424-428

45.
Tokosheva J. 
Similarity of Meanings of Words Related to Syngarmonism in the Kyrgyz Language and 
Diwan Lughat at-Turk a Work by Mahmud al-Kashgari …………………………………….
429-434

46.
Kochkonbaeva B., Egemberdieva Zh. 
Modeling of Morphological Analysis and Synthesis of Word Forms 
of the Natural Language ……………………………………………………………………..
435-439

47.
Musabaeva R. 
Phonetic Features of the Low German (Plattdeutsch) Dialect 
of Kyrgyzstan Germans ……………………………………………………………………...
440-444

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
10

ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ / CHEMICAL SCIENCES

_______________________________________________________________________________________________

УДК 548.31
https://doi.org/10.33619/2414-2948/58/01

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ВЫРАЩИВАНИЯ ВАРИЗОННОГО 

ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО Si1−xGex ТВЕРДОГО РАСТВОРА ИЗ ЖИДКОЙ ФАЗЫ

©Раззаков А. Ш., канд. физ.-мат. наук, Ургенчский государственный университет, 

г. Ургенч, Узбекистан, razzokov.a@bk.ru

©Матназаров А. Р., канд. физ.-мат. наук, Ургенчский государственный университет,

г. Ургенч, Узбекистан, a_matnazarov@mail.ru

©Латипова М. А., Ургенчский государственный университет, 

г. Ургенч, Узбекистан, latipova_1976@list.ru

©Жапаков А. И., Ургенчский государственный университет,

г. Ургенч, Узбекистан, ajapaqov@gmail.com

PHYSICO-CHEMICAL BASES CULTIVATION VARIABLE-GAP SEMICONDUCTOR 

SOLID SOLUTION Si1-XGeX FROM THE LIQUID PHASE

©Razzakov A., Ph.D., Urgench State University, Urgench, Uzbekistan, razzokov.a@bk.ru

©Matnazarov A., Ph.D., Urgench State University, Urgench, Uzbekistan, a_matnazarov@mail.ru

©Latipova M., Urgench State University, Urgench, Uzbekistan, latipova_1976@list.ru
©Japakov A., Urgench State University, Urgench, Uzbekistan. ajapaqov@gmail.com

Аннотация. Выращены монокристаллические пленки варизонного твердого раствора 

Si1-xGex (0<x<1) на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного 
оловянного, галлиевого раствора-расплава. Изучено образование дислокаций на границе 
подложки-пленки, вдоль направления роста твердого раствора Si1-xGex, выращенных при 
различных технологических условиях, а также  влияние кластерообразования в растворе, 
кристаллическая совершенность структуры пленок при росте. Приведены оптимальные 
технологические 
режимы 
роста, 
для 
получения 
кристаллических 
совершенных 

эпитаксиальных слоев и структур.

Abstract. Single-crystal films of a graded-gap solid solution Si1-xGex (0 <x <1) was grown on 

Si substrates from limited tin, gallium solution-melt. Accordingly, liquid phase epitaxy method was 
applied in the process. The formation of dislocations, grown under various technological conditions, 
at the substrate-film interface along the growth direction of the Si1-xGex solid solution was studied. 
Optimal technological growth modes for obtaining crystalline perfect epitaxial layers and structures 
are given.

Ключевые слова: эпитаксия, кристаллизация, раствор-расплав, твердый раствор, 

дислокация, 
подложка, 
седиментация, 
дисперсная 
фаза, 
дисперсионная 
среда, 

ультрамикрогетерогенная, кластер.

Keywords: epitaxy, crystallization, solution-melt, solid solution, dislocation, substrate, 

sedimentation, dispersed phase, dispersion medium, ultramicroheterogeneous, cluster.

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
11

Получить тонкопленочный структурно совершенный полупроводниковый твердый 

раствор с заданными электрофизическими и фотоэлектрическими свойствами на дешевую 
подложку как кремний является весьма актуальной. Поэтому авторы старались получить 
структурно 
совершенные 
Si1-xGex 
эпитаксиальные 
слои 
и 
гетеропереходы

2 1
2
x
(
)
(
) (
)
x y
y
Si
Si
Ge
GaAs
− −
−
,
,
1 x
x
Si
Si
Ge
GaAs
−
−
−
на их основе [1–

3]. Для этого они исследовали технологические режимы роста и электрические, 
фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев Si1-xGex и структур.

В процессе роста из жидкой фазы эпитаксиальных слоев Si1-xGex используются 

кремниевые подложки, которым параметр решетки и коэффициент термического расширения 
(КТР) близки к образующим эпитаксиальным слоям. Подбирались разные методы и 
переменный варизонный состав твердого раствора чтобы избегать от дислокаций и 
микротрещин, частные растворения подложек (при положении недопересыщенного раствора 
к компонентам подложки) и т. д. 

Однако, до настоящего времени режимы технологического роста такой системы 

изучены крайне недостаточно, особенно те, которые связаны с физическими и химическими  
свойствами выращиваемого раствора-расплава. В работе показаны, результаты исследований 
температурного 
состава 
раствора-расплава 
(Sn+Ge+Si, 
Ga+Ge+Si) 
используя, 

экспериментальные данные, а также теоретические формулы и расчеты полученные на 
основе литературы. Использованы апробированные экспериментальные научные методы. 
Обычно, используются подложки с определенными наименьшими уклонами во время роста 
пленок из жидкой фазы, которые, способствуют образованию эпитаксиальных слоев на 
поверхности (в нашем случае в качестве подложек были использованы монокристаллические 
Si(111) с отклонением — (0*15I + 0*30I) − (0*15I + 0*30I) n-типа проводимости) подложке. 
Любая 
поверхность 
твердого 
тела 
имеет 
определенную 
шероховатость, 
поэтому 

поверхностная энергия распределяется  неравномерно и влияет на выращивание твердого 
раствора  на подложке, а также на образование дислокаций, которые связаны с 
технологическими параметрами, как температура начала кристаллизации (Тнк), скорость 
роста (υ), зазор между подложками (δ), состав компонентов в растворе-расплаве, с 
ориентациями подложек и т. д. 

Для выращивания варизонноготвердого раствора 
1 x
x
Si
Ge
−
(0<x<1)нами был использован 

кварцевый реактор вертикального типа с горизонтально расположенными подложками на 
установке типа ЭПОС. Рост эпитаксиального слоя осуществлялся из малого объема 
оловянного и галлиевого раствора-расплава, ограниченного двумя подложками в атмосфере, 
которые очищены палладием водорода, что дало возможность минимизировать количество 
расходуемого раствора-расплава. Сначала в реакторе создавался вакуум до остаточного 
давления 10−2 Pa, затем в течение 20 мин через реактор пропускался очищенный водород, и 
после этого начинался процесс нагревания. Когда температура доходила до необходимого 
значения, система переключалась в автоматический режим. В течение 40–60 мин 
производилась гомогенизация раствора-расплава. Потом подложки на графитовом держателе 
приводились в контакт с раствором-расплавом и после заполнения зазоров между 
подложками раствором-расплавом поднимались на 1 см выше уровня раствора. Рост  
эпитаксиальных слоев Si1−xGex в нужный момент прекращался  сливом раствора-расплава с 
подложек, при помощи центрифуги. Состав раствора-расплава, состоящий из Si, Gе и Sn, а 
также Si, Gе и Ga определялся из диаграммы состояния двойного сплава Sn–Si, Sn–Gе и Ga– 
Si, Ga–Gе. Для приготовления жидкого раствора-расплава была изучена растворимость Si и 
Gе в Sn в интервале температур 442–1100 °С. Эпитаксиальные пленки Si1−xGex выращивались 

1
2 1
(
)
(
)
x
x
x
x
Si
Si
Ge
Ge
GaAs
−
−
−
−

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
12

при температуре начала (ТНК) и окончания кристаллизации (ТПК)соответственно в интервале 
1050–450 °С. Образцы выращивались при различных значениях технологических параметров 
жидкостной эпитаксии.

Смачивание подложки со стороны раствора и диффузионные движения компонентов 

образующие твердый раствор способствует росту эпитаксиальных слоев, это приведено нами 
в работе [4]. Но это недостаточно для выращивания структурно совершенных Si1−xGex 
эпитаксиальных слоев и гетероструктур на их основе. 

Проведя эксперименты было выяснено: изменяя зазор между подложками δ (то есть 

изменяя объем раствора-расплава между подложками), при одинаковом режиме роста 
выращенные эпитаксиальные слои на нижних и на верхних  подложках не отличились друг 
от друга с кристаллическими совершенностями на поверхности и на границе подложкипленки до δ=1,2 мм. В условиях δ>1,2 мм всегда у верхних подложек образуются толстые и 
более низкокачественные слои, чем у нижней, который связан с диффузионным и с 
конвекционным 
потоком 
компонентов 
в 
ограниченном 
растворе 
(если 
плотность 

растворяемых компонентов меньше плотности растворителя) [5]. 

В литературе это объясняется массаподводом, конвекционным потоком раствора между 

подложками в  поле силы тяготения [6]. Считаем, что в поле взаимодействует сила Архимеда 
и тяготения, а также диффузии большой концентрацией Si и Ge накапливается вблизи 
поверхности у верхней подложки, чем у нижнего, который ускоряет скорость роста 
эпитаксиальных слоев Si1−xGex. Для выращивания эпитаксиальных слоев, то есть повторение 
направления ориентации подложки со стороны выращиваемого слоя, должно выполнятся в 
минимальных условиях образования ячейки монокристалла, значит число атомов в одном 
квазичастиц должно быть в пределах от 1 до 14, не образуя совершенный элементарный 
ячейки Si, Ge или Si1−xGex. Только в этом случае мы сможем получить монокристалл из 
раствора-расплава. Но во время начала кристаллизации эпитаксиальных слоев из жидкой 
фазы, сначала идет подготовка к росту, что называется гомогенизацией, и потом при 
температуре насыщение раствора-расплава (это определяется из диаграмм состояний 
компонентов в определенном температуре) загружаются подложки с помощью графитовой 
кассетой и выращивается монокристалл из раствора. При выращивание эпитаксиальных 
слоев компоненты твердого раствора кремний и германий участвуют в виде атома и 
молекулы [7–8].

Одновременно, некоторые атомы успеют объединяться за счет процесса коагуляции 

(чем больше температура, тем больше число коагуляции) одинаковых компонентов раствора 
и образуют нанокластеры с размерами 1–10 нм, теоретически рассчитано нами использовав 
формулу Эйнштейна–Смолуховского, который составляет часть доли 0,01–0,02% всего 
растворенных элементов. Эти нанокластеры участвуя в процессе роста, с наименьшими 
концентрациями, чем выращиваемых компонентов не разрушают монокристалличность 
варизонного твердого раствора, но способствуют на образование дислокаций и на границу 
подложки-пленки и вдоль направления роста пленки, который ухудшает кристаллический 
совершенность пленок и структур, соответственно их нее электрофизические и 
фотоэлектрические свойства являющиеся важнейшими параметрами в применении 
приборостроения. 

Учитывая вышеуказанное мы  можем предположить атомы Si и Ge  внутри раствора 

образуя достаточно малое число молекулярных или миникластерных соединений 
участвующие в кристаллообразовании и доминирует в процессе увеличения плотности 
дислокаций. Особенно на эпитаксиальных слоев пленки выращенных на верхней подложке, 

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
13

который объясняется результатом силы Архимеда и тяжести, который проявляется 
укрупнением нанокластера и является незначительной величиной, хотя там доминирует 
диффузионный процесс атомов и молекул. 

Скопление на верхней поверхности растворов вблизи подложек нанокластеров, и 

беспорядочные диффузионные их нее движение способствует, участие во время роста, и 
соответственно образование дислокаций. Применение седиментационного анализа для 
определения размеров частиц высокодисперсной, (ультрамикрогетерогенных) фазы дала 
возможность определить r-радиус частиц и состояние компонентов Si, Ge в растворе с 
помощью следующей формулы [9]:

'

'

0
дф
дср

9

2
(
)

dm
r
gm
t




=
−

где, m’ — масса компонентов на поверхности подложек, 
 различные моменты 

времени от начала крисстализации, d — путь седиментации, 
общая масса компонентов 

дисперсной фазы в объеме дисперсионной среды, 
 — вязкость раствора, 

плотность дисперсионной среды и частиц дисперсной фазы, соответственно,
— ускорение 

свободного падения.

Таким образом, определены размеры кластеров компонента в растворе, которые, 

связаны с кристаллической совершенностью выращенных эпитаксиальных слоев, зависимо 
от величины зазора между подложками  при разных температурах начало кристаллизации: 

rSi = 4,4 нм для температуры начало кристаллизации Tнк = 900 °С
rSi = 4,71 нм для температуры начало кристаллизации Tнк = 970 °С
rSi = 5,55 нм для температуры начало кристаллизации Tнк = 1050 °С

Из уравнения Эйнштейна–Смолуховского можно найти перемещение молекулы или 

кластеры дисперсной фазы в дисперсной системе который, двигается тем быстрее, чем выше 
температура, меньше размер молекулы или кластера и вязкость дисперсионной среды.

R — универсальная газовая постоянная, NA — число Авогадро, η— вязкость, r — 

радиус молекулы или кластера, k — постоянная Больцмана, T — абсолютная температура, t 
— время. 

Диффузия в полной мере проявляется в ультрамикрогетерогенных (высокодисперсных) 

системах, у которых интенсивность седиментации и диффузии близки, вследствие чего с 
течением времени в таких системах происходит выравнивание диффузионных и 
седиментационных потоков

 ;

и 
устанавливается 
седиментационно-диффузионное 
равновесие, 
описываемое 

гипсометрическим законом Лапласа:

't −

0
m −


дф
дср
,


−

g

3
A
RTt
N
r


− =

сед
дифф
I
I
=

дф
дср

0

(
)
exp(
)
V
gh
n
n
kT



−
=

−

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
14

С помощью этой формулы вычислено относительное изменение концентрации 

компонентов (n) в зависимости от расстояния от поверхности верхней подложки в растворерасплаве (Рисунок 1):

0

exp( 0,92
)
n
d
n =
−

, для  температуры начало кристаллизации Tнк = 900 °С;

0

exp( 1,063
)
n
d
n =
−

для температуры начало кристаллизации Tнк = 970 °С;

0

exp( 1,61
)
n
d
n =
−

 для температуры начало кристаллизации Tнк = 1050 °С;

Рисунок 1. Относительное изменение концентрации компонентов 

0

n
n

в зависимости
от 

расстояния, от поверхности верхней подложки в растворе-расплаве.

Из Рисунка 1 видно, с увеличением температуры начало кристаллизации (Tнк) твердого 

раствора Si1−xGex, относительное изменение концентрации компонентов n 

0

n
n

по высоте 

увеличивается, что объясняется увеличением размера кластера и скорость коагуляции 
компонентов. Это отличие явно  наблюдается при большом размере между подложками (d), 
особенно на поверхности верхних подложек.

Кластерообразования компонентов в растворе зависимо от его размера и от 

концентрации, отрицательно влияет на кристаллическую совершенность выращиваемого 
эпитаксиального слоя при выращивания полупроводникового Si1-xGex твердого раствора из 
жидкой фазы.

А также исследуя образования дислокаций, во время выращивания твердого раствора 

при разных технологических процессах, наблюдается 2 варианта (кроме классических 
общеизвестных факторов влияющие на образование дислокаций, таких как чистота и 

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
15

достаточно наименьшие шероховатости на поверхности подложки, отсутствие других чужих 
летучих и растворимых компонентов в системе и в растворе): 

а) если при температуре насыщения раствора-расплава по отношению своих 

компонентов начинается процесс роста, то относительно большая плотность дислокаций 
эпитаксиальных слоев, будет на границе подложки-пленки и уменьшается вдоль направления 
роста до поверхности пленки

б) если при температуре начала кристаллизации составляющие компоненты раствора 

является не насыщенным по отношению к подложке

в) компоненты раствора кремний и германий, подложка — кремний и в тоже время 

начинается рост, в том случае рост начинается с частичным подрастворением подложек.

Тогда плотности дислокаций сначала плавно увеличиваются вдоль направления роста 

до определенной толщины пленки и потом уменьшается до поверхности пленки. 
Выращенные варизонные эпитаксиальные слои имеют волнистую поверхность по 
распределении компонентов вдоль направления роста.

Оба случаи уменьшение плотности дислокаций в направлении роста, связано 

сглаживанием несоответственных решеток подложки и пленки.

Были получены зеркально гладкие эпитаксиальные слои полупроводникового твердого 

раствора 
Si1-xGex 
и 
определены 
оптимальные 
режимы 
роста 
для 
выращивания 

кристаллических совершенных Si1-xGex эпитаксиальных слоев из ограниченного оловянного 
раствора-расплава на монокристаллических подложках Si с ориентацией (111), которыми 
являются следующие технологические параметры:

–температуры в начале кристаллизации (Tнк) варьировались в интервале от Tнк = 900 °С 

до Tнк = 1050 °С;

–принудительные охлаждения раствора-расплава со скоростью 0,5–1,5 град/минут.
–зазор между подложками (соответствуя на высоту раствора-расплава) в интервале 0,5–

1,5 мм.

Теоретические, 
экспериментальные 
исследования 
кристаллообразования 
при 

выращивании варизонных твердых растворов Si1−xGex из ограниченного оловянного, 
галлиевого раствора-расплава на кремниевые (относительно дешевые) подложки и получение 
кристаллически совершенных эпитаксиальных слоев с наименьшими плотностями 
дислокации является перспективным. Варизонные пленки Si1−xGex можно использовать в 
качестве буферного слоя для сглаживания несоответствий решеток подложки и пленки при 

получении 
гетероструктур 
Si-(𝐺𝑒2)1−𝑥(𝑍𝑛𝑆𝑒)𝑥, 
Si
(𝐺𝑒2)1−𝑥−𝑦(𝐺𝑎 𝐴𝑠)𝑥(𝑍𝑛𝑆𝑒)𝑦, Si-Ge1-xSnx,, Si-(𝐺𝑒2)1−𝑥(𝑆𝑛𝑃)𝑥, Si
(𝐺𝑒2)1−𝑥(𝐺𝑎𝐴𝑠)𝑥 ,Si-(𝐺𝑎𝐴𝑠)1−𝑥(𝑍𝑛𝑆𝑒)𝑥, 
а 
также 
как 
полупроводниковым 

материалом для изготовления фотоэлектрических приборов.

Список литературы:

1. Fadaly, E. M. T., Dijkstra, A., Suckert, J. R., Ziss, D., van Tilburg, M. A. J., Mao, C., … 

Bakkers, E. P. A. M. Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys // Nature. 2020. 
V. 580. №7802. P. 205-209. https://doi.org/10.1038/s41586-020-2150-y

2. Saidov A. S., Usmonov S. N., Amonov K. A., Niyazov S., Khudayberdiyeva A. I. 

Photothermovoltaic Effect in p-Si-n-(Si2)1−x−y(Ge2)x(ZnSe)y Structure // Applied Solar Energy. 
2019. V. 55. №5. P. 265-268. https://doi.org/10.3103/S0003701X19050116

1 x
x
Si
Ge
−
1 x
x
Si
Ge
−

1 x
x
Si
Ge
−
1 x
x
Si
Ge
−
1 x
x
Si
Ge
−

1 x
x
Si
Ge
−

Бюллетень науки и практики / Bulletin of Science and Practice

https://www.bulletennauki.com

Т. 6. №9. 2020

https://doi.org/10.33619/2414-2948/58

Тип лицензии CC: Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)
16

3. Сапаев Б., Саидов А. С. Исследование некоторых свойств структур Si-Si1−xGex (0≤ x≤ 

1), выращенных из ограниченного оловянного раствора-расплава методом жидкофазной 
эпитаксии // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39. №10. С. 1183-1188.

4. Раззаков А. Ш., Курбанов Д. Ш. Зависимость дислокаций на твердом растворе 

Si1−xGex от температур роста на контактной фазе «твердое тело-жидкость» // РИАК-XII-2020. 
Республиканская конференция-2020. С. 275-277. 

5. Saidov A. S., Razzakov A. S., Risaeva V. A., Koschanov E. A. Liquid-phase epitaxy of 

solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x // Materials chemistry and physics. 2001. V. 68. №1-3. P. 1-6. 
https://doi.org/10.1016/S0254-0584(00)00230-3

6. Боцелев С. П., Марончук И. Е., Марончук Ю. Е. Кристаллизация эпитаксиальных 

слоев AlGaAs из ограниченного объема раствора-расплава // Неорганические материалы. 
1977. Т. 13. №5. С. 769-772.

7. Saidov A. S., Usmonov S. N., Kalanov M. U., Kurmantayev A. N., Bahtybayev A. N. 

Structural and some electrophysical properties of the solid solutions Si1−xSnx (0 ≤ X ≤ 0.04) // 
Physics of the Solid State. 2013. V. 55. №1. P. 45-53. https://doi.org/10.1134/S1063783413010290

8. Saidov A. S. et al. Photothermovoltaic Effect in p-Si-n-(Si2)1−x−y (Ge2)x(ZnSe)y Structure // 

Applied Solar Energy. 2019. V. 55. №5. P. 265-268. https://doi.org/10.3103/S0003701X19050116

9. Щукин Е. Д., Перцов А. В., Амелина Е. А. Коллоидная химия. М.: Высш. шк., 2004. 

444 с.

References:

1. Fadaly, E. M. T., Dijkstra, A., Suckert, J. R., Ziss, D., van Tilburg, M. A. J., Mao, C., … 

Bakkers, E. P. A. M. (2020). Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys. Nature, 
580(7802), 205-209. https://doi.org/10.1038/s41586-020-2150-y

2. Saidov, A. S., Usmonov, S. N., Amonov, K. A., Niyazov, S., & Khudayberdiyeva, A. I. 

(2019). Photothermovoltaic Effect in p-Si-n-(Si2)1−x−y(Ge2)x(ZnSe)y Structure. Applied Solar 
Energy, 55(5), 265-268. https://doi.org/10.3103/S0003701X19050116

3. Sapaev, B., & Saidov, A. S. (2005). A study of some properties of Si-Si1−xGex (0 ≤ x ≤ 1) 

structures grown from a confined tin solution-melt by the liquid phase epitaxy method. 
Semiconductors/Physics of the Solid State, 39(10). 1183-1188. (in Russian).

4. Razzakov, A. Sh., & Kurbanov, D. Sh. (2020). Zavisimost’ dislokatsii na tverdom rastvore 

Si1-xGex ot temperatur rosta na kontaktnoi faze “tverdoe telo-zhidkost'”. In RIAK-XII-2020. 
Respublikanskaya konferentsiya-2020, 275-277. 

5. Saidov, A. S., Razzakov, A. S., Risaeva, V. A., & Koschanov, E. A. (2001). Liquid-phase 

epitaxy of solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x. Materials chemistry and physics, 68(1-3), 1-6. 
https://doi.org/10.1016/S0254-0584(00)00230-3

6. Botselev, S. P., Maronchuk, I. E., & Maronchuk, Yu. E. (1977). Kristallizatsiya 

epitaksial’nykh sloev AlGaAs iz ogranichennogo ob”ema rastvora-rasplava. Neorganicheskie 
materialy, 13(5). 769-772. (in Russian).

7. Saidov, A. S., Usmonov, S. N., Kalanov, M. U., Kurmantayev, A. N., & Bahtybayev, A. N. 

(2013). Structural and some electrophysical properties of the solid solutions Si1−xSnx (0 ≤ X ≤ 0.04). 
Physics of the Solid State, 55(1), 45-53. https://doi.org/10.1134/S1063783413010290

8. Saidov, A. S., Usmonov, S. N., Amonov, K. A., Niyazov, S., & Khudayberdiyeva, A. I. 

(2019). Photothermovoltaic Effect in p-Si-n-(Si2)1−x−y (Ge2)x(ZnSe)y Structure. Applied Solar 
Energy, 55(5), 265-268. https://doi.org/10.3103/S0003701X19050116