Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике

УДК 548.25:621.383 
 
К89 

Кузнецов Г.Д., Сушков В.П., Ованесов А.Е. Определение параметров 
гетероструктур, используемых в оптоэлектронике: Лабор. практикум – М.: 
МИСиС, 2001. – 40 с. 

Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение 
которых позволит получить достаточно полное представление о 
свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. 

В каждом описании к лабораторной работе дается краткое 
рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что 
закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. 

Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов 
«Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники». 

© Московский государственный 
институт стали и сплавов 
(Технологический университет) 
(МИСиС), 2002 

КУЗНЕЦОВ Геннадий Дмитриевич 
СУШКОВ Валерий Петрович 
ОВАНЕСОВ Александр Евгеньевич 

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ 
ГЕТЕРОСТРУКТУР, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ  
В ОПТОЭЛЕТРОНИКЕ 

Лабораторный практикум 
для студентов направления 550700 и специальности 6541 

Рецензент проф. Е.А. Ладыгин 

Редактор С.В. Фролова, Л.Е. Арютова 

Компьютерная верстка Л.Е. Арютовой 

ЛР № 020777 от 13.05.98 

Подписано в печать 18.02.02 
Бумага офсетная 

Формат 60 × 90 1/16 
Печать офсетная 
Уч.-изд. л. 2,46 

Рег.  № 515 
Тираж 150 экз. 
Заказ 1075 

Московский государственный институт стали и сплавов, 
119991, Москва, Ленинский пр-т, 4 

Издательство «Учеба» МИСиС 
117419, Москва, ул. Орджоникидзе, 8/9 
Тел.: 954-73-94, 954-19-22 

Отпечатано в типографии Издательства «Учеба» МИСиС, 
117419, Москва, ул. Орджоникидзе, 8/9 
ЛР №01151 от 11.07.01 

СОДЕРЖАНИЕ 

Введение....................................................................................................4 
Лабораторная работа 1. Исследование мощностной характеристики и коэффициента полезного действия излучающего диода....................................................................................5 

Лабораторная работа 2. Измерение световых и вольт-амперных 
характеристик трехцветных светоизлучающих диодов..............12 

Лабораторная работа 3. Измерение спектральных характеристик 
светодиодов в видимой области спектра......................................22 

Лабораторная работа 4. Измерение чувствительности фотодиодов..27 
Лабораторная работа 5. Определение оптических характеристик 
многослойного интерференционного светофильтра ...................35 

3 

ВВЕДЕНИЕ 

Развитие современной микроэлектроники и оптоэлектроники 
немыслимо без широкого использования гетероструктур полупроводниковых материалов. Гетероструктуры в системах Ge – Si, 
AlGaAs, GaAsP, AlGaInP, InGaN и т.п. нашли широкое применение в 
светодиодах, лазерах, фотоприемниках, биполярных и полевых транзисторах. 

Настоящий лабораторный практикум позволит студентам получить необходимые экспериментальные навыки для дальнейшей 
успешной работы в исследованиях и разработках светоизлучающих 
диодов на основе гетероструктур, которые являются современными 
полупроводниковыми приборами, предназначенными для преобразования электрической энергии в видимое излучение. Преимущество 
светодиодов перед лампами накаливания состоит в их малых размерах, более высокой эффективности преобразования энергии и большей надежности и долговечности (время непрерывной работы современных светодиодов составляет более 100 000 часов). 

4