СВЧ-приборы и интегральные микросхемы : расчет параметров селективно легированного гетеротранзистор
Покупка
Тематика:
Схемотехника. Общие вопросы
Издательство:
Издательский Дом НИТУ «МИСиС»
Автор:
Кольцов Геннадий Иосифович
Год издания: 1998
Кол-во страниц: 31
Дополнительно
Доступ онлайн
2 000 ₽
В корзину
В данном пособии излагаются физические принципы создания на границе гетероперехода, между широкозонным и узкозонным полупроводниковыми материалами, слоя двумерного электронного газа. Рассматриваются причины увеличения подвижности электронов и как следствие расширения частотного диапазона работы полевых транзисторов. Изучаются принципы работы полевых транзисторов с селективным легированием, их конструкции и методы управления концентрацией электронов в канале. Приводятся примеры расчета концентрации электронов, вольт - амперных и частотных характеристик СЛГТ.
Тематика:
ББК:
УДК:
ОКСО:
- ВО - Бакалавриат
- 11.03.01: Радиотехника
- 11.03.04: Электроника и наноэлектроника
- 12.03.01: Приборостроение
- 13.03.02: Электроэнергетика и электротехника
- 15.03.01: Машиностроение
ГРНТИ:
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов
№ 1448 МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ СТАЛИ И СПЛАВОВ (ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) Кафедра полупроводниковой электроники и физики полупроводников Кольцов Г.И. Одобрено методическим советом института СВЧ-приборы и интегральные микросхемы Раздел: Расчет параметров селективно легированного гетеротранзистора Учебное пособие для студентов специальности 200.200 АБОНЕМЕНТ УЧЕБН.ЛИТЕРАТУРЫ НТВ ИИСиС Москва 1998
АННОТАЦИЯ В данном пособии излагаются физические принципы создания на границе гетероперехода, между широкозонным и узкозонным полупроводниковыми материалами, слоя двумерного электронного газа. Рассматриваются причины увеличения подвижности электронов и как следствие расширения частотного диапазона работы полевых транзисторов. Изучаются принципы работы полевых транзисторов с селективным легированием, их конструкции и методы управления концентрацией электронов в канале. Приводятся примеры расчета концентрации электронов, вольт - амперных и частотных характеристик СЛГТ. © Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) 1998 год
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ 4 ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ДИАГРАММА GaAs НА ГЕТЕРОГРАНИЦЕ И РАСЧЕТ ПОВЕРХНОСТНОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ В ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ЯМЕ 9 УПРАВЛЕНИЕ ЗАРЯДОМ ДВУМЕРНОГО ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА С ПОМОЩЬЮ НАПРЯЖЕНИЯ НА ЗАТВОРЕ 13 СЕМЕЙСТВО ВЫХОДНЫХ ВОЛЬТ - АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СЛГТ. РАСЧЕТ ТОКА СТОКА 19 КРУТИЗНА ВОЛЬТ - АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ СЛГТ 24 РАСЧЕТ ЕМКОСТЕЙ ЗАТВОРА СЛГТ И ГРАНИЧНОЙ ЧАСТОТЫ 26 ЛИТЕРАТУРА 29 3
Доступ онлайн
2 000 ₽
В корзину