Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+ -p-p+ (p+-n-n+)- типа

№ 1248

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Кафедра материаловедения полупроводников
и диэлектриков

А.А. Полисан
В.П. Астахов

Основы радиационных
технологий

Расчет режимов ионной имплантации
и профиля распределения имплантированных
атомов примеси на примере изготовления
кремниевых солнечных элементов
n+ñpñp+(p+ñnñn+)типа

Методические  указания

Рекомендовано редакционноиздательским
советом института

Москва  Издательство ´УЧЕБАª
2007

УДК 621.315.59 
 
П50 

Р е ц е н з е н т  
канд. физ.-мат. наук, доц. С.Ю. Юрчук 

Полисан А.А., Астахов В.П. 
П50  
Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной 
имплантации и профиля распределения имплантированных 
атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа: Метод. указания. – 
М.: МИСиС, 2007. – 18 с. 

В методических указаниях рассматриваются принципы расчета режимов 
ионной имплантации при формировании структур n+–p–p+(p+–n–n+)-типа и 
профилей распределения имплантированной примеси. Излагается методика 
расчета в программе Math Cad 2001. 
Методические указания предназначены для студентов, обучающихся по 
специальностям 150601 «Материаловедение и технология новых материалов» и 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника». 

© Московский государственный институт

стали и сплавов (технологический  
университет) (МИСиС), 2007