Книжная полка Сохранить
Размер шрифта:
А
А
А
|  Шрифт:
Arial
Times
|  Интервал:
Стандартный
Средний
Большой
|  Цвет сайта:
Ц
Ц
Ц
Ц
Ц

Материалы и элементы электронной техники : расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев

Покупка
Артикул: 751169.01.99
Доступ онлайн
2 000 ₽
В корзину
В практикуме рассматриваются принципы расчета режимов термического окисления, обеспечивающего заданную толщину маскирующей оксидной пленки, и режимов диффузии при формировании легированных слоев с заданными параметрами для кремниевых приборных структур. Излагается методика расчетов в программе Math Cad 2001. Соответствует программе курса «Материалы и элементы электронной техники». Предназначен для студентов, обучающихся по специальностям 150601 «Материаловедение и технология новых материалов» и 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника».
Полисан, А. А. Материалы и элементы электронной техники : расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании легированных слоев : практикум / А. А. Полисан, В. П. Астахов. - Москва : ИД МИСиС, 2007. - 16 с. - Текст : электронный. - URL: https://znanium.com/catalog/product/1223599 (дата обращения: 22.11.2024). – Режим доступа: по подписке.
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов
№ 1246

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

Кафедра материаловедения полупроводников
и диэлектриков

А.А. Полисан
В.П. Астахов

Материалы и элементы
электронной техники

Расчет режимов термического окисления
и диффузии при формировании
легированных слоев

Практикум

Рекомендовано редакционноиздательским
советом университета

Москва  Издательство ´УЧЕБАª
2007

УДК 621.315.59 
 
П50 

Р е ц е н з е н т  
канд. физ.-мат. наук, доц. Ю.В. Осипов 

Полисан А. А., Астахов В. П. 
П50  
Материалы и элементы электронной техники: Расчет режимов термического окисления и диффузии при формировании 
легированных слоев: Практикум. – М.: МИСиС, 2007. – 16 с. 

В практикуме рассматриваются принципы расчета режимов термического 
окисления, обеспечивающего заданную толщину маскирующей оксидной 
пленки, и режимов диффузии при формировании легированных слоев с заданными параметрами для кремниевых приборных структур. Излагается методика расчетов в программе Math Cad 2001. 
Соответствует программе курса «Материалы и элементы электронной 
техники». 
Предназначен для студентов, обучающихся по специальностям 150601 
«Материаловедение и технология новых материалов» и 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника». 

© Государственный технологический  
университет «Московский институт 
стали и сплавов» (МИСиС), 2007 

Доступ онлайн
2 000 ₽
В корзину