Полупроводниковая электроника

Серия  
« С Х Е М О Т Е Х Н И К А »

Semiconductors

Полупроводниковая
электроника

Перевод с английского

Москва 
ДМК Пресс, Додэка 
2015

Infineon 
Germany 

УДК 621.382
ББК 32.853
         Х21

Коллектив авторов 
Полупроводниковая электроника. — М.: ДМК Пресс, 2015. — 592 с.: илл. — 

(Серия «Схемотехника»).

ISBN 978-5-97060-312-3 

Книга написана сотрудниками компании Infineon Technologies, одного из 

мировых лидеров в области полупроводниковой электроники. Cборник содержит 
проверенные временем фундаментальные знания по полупроводникам от A (АЦП) до 
Z (эффект Зенера), в том числе главы по диодам и транзисторам, силовым приборам, 
элементам оптоэлектроники. датчикам, микросхемам памяти и микроконтроллерам. 
Также приведены сведения по смарт-картам, полупроводниковым устройствам 
для автомобилей, комуникационным модулям. Отдельная глава посвящена 
электромагнитной совместимости компонентов. Реальная новизна книги состоит 
в том, что авторы сумели изложить в ней все современные тенденции, веяния и 
достижения в области полупроводниковых технологий.

Издание будет полезно инженерам-электронщикам и электротехникам, а также 

преподавателям и студентам, которым всегда нужно иметь под рукой сборник 
справочных материалов по современной микроэлектронике.

УДК 621.382  
ББК 32.853

ISBN 978-3-89578-071-4 (англ.)

ISBN 978-5-97060-312-3 (рус.)

© Infineon Technologies AG.
© Перевод, Издательский дом «Додэка-XXI»
© Издание, ДМК Пресс, 2015

Все права защищены. Никакая часть этого издания не может быть воспроизведена в любой форме или любыми 

средствами, электронными или механическими, включая фотографирование, ксерокопирование или иные средства 
копирования или сохранения информации, без письменного разрешения издательства.

П49

Содержание 3

INFSEMI_1TOC.fm, стр. 3 из 10 (September 7, 2010, 19:35)

Предисловие . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1. Полупроводники, основные сведения и исторический обзор  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.1. Введение  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2. Исторический обзор . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.1. Полупроводниковые диоды  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.2. Биполярные транзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.3. Победное шествие кремния  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.2.4. Другие полупроводниковые материалы и компоненты. . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.2.5. Полевые транзисторы  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.2.6. Интегральные полупроводниковые схемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.2.7. Классификация полупроводниковых компонентов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.3. Конструкция и принцип действия интегральных схем. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.1. Биполярные интегральные микросхемы  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1.3.2. Интегральные МОПмикросхемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
1.4. Другие полупроводниковые приборы  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
1.4.1. Полупроводниковые приборы без специальной структуры . . . . . . . . . . . . . . 34
1.4.2. Полупроводниковые диоды  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
1.4.3. Транзисторы  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
1.4.4. Другие интегральные полупроводниковые приборы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
2. Диоды и транзисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.1. Высокочастотные диоды. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.2. Время жизни носителей заряда и последовательное 
сопротивление ВЧ pinдиодов  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.2.1. Измерение электрических параметров pinдиодов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
2.3. Определение ёмкостей биполярных транзисторов  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
2.3.1. Измерение ёмкостей CCB, CCE и CEB  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.4. Определение параметров малосигнального ВЧ транзистора путём измерения 
трёх параметров . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
2.4.1. Измерение Sпараметров транзисторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
2.4.2. Установка для измерения коэффициента шума транзистора . . . . . . . . . . . . . 46
2.4.3. Установка для измерения коэффициента шума смесителя. . . . . . . . . . . . . . . 46
2.4.4. Измерение значения точки интермодуляции третьего порядка (IP3) . . . . . . 47
2.5. Биполярные ВЧ транзисторы  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.5.1. SIEGET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
2.5.2. Применение. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.5.3. Кремнийгерманиевые транзисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.6. Кремниевые монолитные СВЧ интегральные схемы (MMIC)
упрощают разработку  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.6.1. Три схемы устройств  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.6.2. Мобильные телефоны — не единственная область применения MMIC  . . . 57
2.7. Стабилизация тока при помощи стабилизатора рабочей точки BCR 400  . . . . . . . . 57
2.7.1. Принцип действия . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
2.7.2. Зависимость от внешних факторов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
3. Силовые полупроводниковые приборы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
3.1. Классификация  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
3.1.1. Классификация силовых полупроводниковых приборов по их параметрам 62

СОДЕРЖАНИЕ

Содержание

INFSEMI_1TOC.fm, стр. 4 из 10 (September 7, 2010, 19:35)

3.2. Разработка продукции. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
3.2.1. Различия процессов разработки продукции. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.3. Группы продукции. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
3.4. Технология изготовления полупроводниковых пластин
(начальный этап проекта). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.4.1. Базовые технологии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.4.2. Силовые MOSFET  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.4.3. Интеллектуальные МОПтранзисторы (SmartFET) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3.4.4. Интеллектуальные силовые ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3.4.5. Перспективы и тенденции. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
3.5. Технологии корпусирования . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.5.1. Классификация корпусов полупроводниковых приборов  . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.5.2. Статические характеристики корпусов силовых приборов. . . . . . . . . . . . . . . 79
3.5.3. Динамические характеристики мощных корпусов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.5.4. Анализ тепловых процессов в корпусах полупроводниковых приборов 
методом конечных элементов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.5.5. Спецификация на тепловые характеристики и тип корпуса. . . . . . . . . . . . . . 89
3.5.6. Специальные параметры корпусов силовых полупроводниковых приборов 
для автомобильной электроники . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.5.7. Многокристальные корпуса и тенденции развития . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.6. Мощные приборы для автомобильной электроники. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
3.6.1. MOSFET и IGBT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
3.6.2. Транзисторы SmartFET и SmartIGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
3.6.3. Многоканальные ключи  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
3.6.4. Мостовые схемы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
3.6.5. Микросхемы источников питания. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
3.6.6. Трансиверы  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
3.6.7. ИС интеллектуальных систем питания. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
3.6.8. Тенденции развития автомобильной электроники. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126
3.7. Источники питания и устройства электропривода  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.7.1. Типы импульсных источников питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.7.2. Основные типы импульсных источников питания. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
3.7.3. Критерий выбора импульсного источника питания. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 135
3.7.4. ИС для импульсных источников питания  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
3.7.5. Коэффициент мощности. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142
3.7.6. Электроприводы — регулирование скорости вращения и силовая 
электроника . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
3.7.7. Низковольтные силовые транзисторы OptiMOS™ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 148
3.7.8. Высоковольтные транзисторы CoolMOS™  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
3.7.9. Карбид кремния — основа мощных приборов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
3.7.10. Высоковольтные мощные IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
4. Оптоэлектронные приборы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
4.1. Физика оптического излучения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
4.1.1. Основы и терминология  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
4.1.2. Фотодиоды . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
4.1.3. Кремниевые фотодиоды  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
4.1.4. Фототранзисторы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
4.1.5. Светоизлучающие диоды. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.2. Полупроводниковые лазеры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 184
4.2.1. Основы функционирования полупроводникового лазера. . . . . . . . . . . . . . . 185

Содержание 5

INFSEMI_1TOC.fm, стр. 5 из 10 (September 7, 2010, 19:35)

4.2.2. Структура полоскового лазера с оксидной изоляцией. . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
4.2.3. Лазерные матрицы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 187
4.2.4. Другие применения полупроводниковых лазеров  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
4.3. Оптроны и твердотельные реле . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
4.4. Оптические волноводы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
4.4.1. Оптические волокна как среда для передачи информации. . . . . . . . . . . . . . 193
4.4.2. Передающие и приёмные модули для оптоволоконных применений. . . . . 194
4.4.3. Ретрансляторы для волоконнооптических применений . . . . . . . . . . . . . . . 197
4.4.4. Подсоединение к стеклянным волокнам . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197
4.4.5. Оптические разъёмы для пластиковых волокон . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
4.4.6. Типичные применения пластиковых волокон  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
4.4.7. Использование технологий оптической передачи данных по пластиковым 
волокнам в транспортных средствах . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
4.5. IrDA — передача данных с использованием инфракрасного излучения . . . . . . . . 204
4.5.1. IrDA — один стандарт для всех приборов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 204
4.5.2. Полный IrDAстандарт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
5. Датчики. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
5.1. Общий обзор. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
5.2. Датчики магнитного поля. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
5.2.1. Дискретные датчики Холла. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 207
5.2.2. Интегральные датчики Холла с заказными ИС (ASIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . 210
5.2.3. Датчики на основе гигантского магниторезистивного эффекта (GMR). . . 213
5.3. Датчики давления  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
5.3.1. Микромеханика поверхности, датчики давления с цифровым выходом 
(KP 100)  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
5.3.2. Датчик давления с аналоговым выходом (KP 120) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221
5.3.3. Пьезорезистивный датчик давления в SMDкорпусе (KP 200)  . . . . . . . . . . 223
5.4. Датчики температуры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224
6. Память  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
6.1. Типы запоминающих устройств . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226
6.1.1. Механическая память. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227
6.1.2. Магнитные устройства хранения данных. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227
6.1.3. Оптические устройства хранения данных  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 227
6.1.4. Полупроводниковые устройства хранения данных (микросхемы памяти)  227
6.2. Принцип работы  и область применения DRAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228
6.2.1. Чем SRAM отличается от DRAM? . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228
6.2.2. Виды памяти DRAM  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229
6.2.3. Спецификация  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
6.2.4. Механическая конструкция микросхем памяти DRAM
 . . . . . . . . . . . . . . 230
6.2.5. Описание работы DRAM на примере SDR SDRAM  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232
6.2.6. Технология производства микросхем DRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 234
6.2.7. Внутренняя структура и принципы работы DRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 238
6.2.8. Разработка и производство микросхем DRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 247
6.2.9. Контроль качества  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249
6.3. Совершенствование микросхем DRAM с точки зрения их быстродействия. . . . . 251
6.3.1. EDO DRAM с повышенной скоростью доступа к памяти. . . . . . . . . . . . . . . 251
6.3.2. Синхронная DRAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 252
6.3.3. Микросхемы памяти с удвоенной скоростью передачи данных. . . . . . . . . . 253
6.3.4. Стандартизированные модули памяти для ПК . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253

Содержание

INFSEMI_1TOC.fm, стр. 6 из 10 (September 7, 2010, 19:35)

7. Микроконтроллеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256
7.1. Введение  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256
7.2. Восьмибитные микроконтроллеры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256
7.2.1. Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256
7.2.2. Организация памяти. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 256
7.2.3. Область регистров специальных функций . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 259
7.2.4. Архитектура ЦПУ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260
7.2.5. Основные принципы обработки прерываний . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262
7.2.6. Структура портов ввода/вывода . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 264
7.2.7. Тактовые сигналы ЦПУ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
7.2.8. Обращение к внешней памяти . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
7.2.9. Обзор команд микроконтроллера C500. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
7.2.10. Функциональные схемы микроконтроллеров семейства С500 . . . . . . . . . . 274
7.3. Шестнадцатибитные микроконтроллеры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
7.3.1. Введение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 274
7.3.2. Состав семейства 16битных микроконтроллеров  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
7.3.3. Обзор архитектуры микроконтроллеров семейства С166  . . . . . . . . . . . . . . . 280
7.3.4. Организация памяти. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280
7.3.5. Основные концепции построения ЦПУ и средства их оптимизации . . . . . 280
7.3.6. Встроенные ресурсы микроконтроллера  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
7.3.7. Интерфейс внешней шины . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288
7.3.8. Встроенные периферийные модули  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288
7.3.9. Характеристики системы управления электропитанием. . . . . . . . . . . . . . . . 296
7.3.10. Особенности микроконтроллеров семейства XC166. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
7.3.11. Система команд микроконтроллеров семейства C166  . . . . . . . . . . . . . . . . . 297
7.3.12. Функциональные схемы 16битных микроконтроллеров  . . . . . . . . . . . . . . 299
7.4. Архитектура 32битных микроконтроллеров TriCore  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 308
7.4.1. Отличительные особенности архитектуры TriCore. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 309
7.4.2. Регистры состояния программы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310
7.4.3. Типы данных . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 311
7.4.4. Режимы адресации . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 311
7.4.5. Форматы команд . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 311
7.4.6. Задачи и контекст . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 311
7.4.7. Система обработки прерываний. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 312
7.4.8. Система обработки ошибок  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 313
7.4.9. Система защиты  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 313
7.4.10. Сброс системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 314
7.4.11. Система отладки  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 314
7.4.12. Модель программирования . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 314
7.4.13. Организация памяти . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 316
7.4.14. Режимы адресации  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 317
7.4.15. Регистры процессорного ядра . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 319
7.4.16. Регистры общего назначения (GPR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320
7.4.17. Функциональные схемы 32битных микроконтроллеров  . . . . . . . . . . . . . . 323
8. Смарткарты. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327
8.1. Обзор  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327
8.2. Введение  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327
8.3. Состояние рынка . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327
8.3.1. Структура рынка микросхем для смарткарт в зависимости от области 
применения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 327

Содержание 7

INFSEMI_1TOC.fm, стр. 7 из 10 (September 7, 2010, 19:35)

8.3.2. Требования рынка  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328
8.4. Области применения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328
8.4.1. Цифровая подпись — подпись будущего . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 328
8.4.2. Электронная торговля в сети Интернет . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330
8.4.3. Банковское обслуживание на дому . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330
8.5. Сеть деловых взаимоотношений . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331
8.6. Продукция. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331
8.6.1. «Чип на карте» — современное положение дел . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 331
8.6.2. «Система на карте» — вызов будущего . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 332
8.7. Криптографическая экспертиза  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 333
8.8. Чипы для многофункциональных карт . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 334
8.8.1. Поддержка интерпретаторов в микроконтроллерах Infineon . . . . . . . . . . . . 335
8.9. Интерфейс «человекмашина» как новый класс периферийных устройств . . . . . 335
8.10. Технологии и производство . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 336
8.10.1. Передовые технологии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 336
8.10.2. Требования к технологии, продукции и схемным решениям . . . . . . . . . . . 337
8.10.3. Требования, предъявляемые к готовой продукции . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 337
8.11. Информационная безопасность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338
8.11.1. Смарткарта как система безопасности. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338
8.11.2. Аппаратная безопасность. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338
8.11.3. Пирамида безопасности . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 338
8.11.4. Безопасность как совокупность технических и организационных мер . . . 339
8.12. Перспективы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 339
9. Полупроводниковые устройства для автомобилей. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341
9.1. Автомобильная электроника . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 341
9.2. Кузовная электроника и системы обеспечения комфорта . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342
9.2.1. Системы управления электропитанием и осветительным оборудованием 
автомобиля. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 343
9.2.2. Дверные модули  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 346
9.2.3. Системы кондиционирования воздуха . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350
9.3. Системы безопасности автомобиля . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 353
9.3.1. Системы активной безопасности автомобиля. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355
9.3.2. Системы пассивной безопасности автомобиля. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360
9.4. Трансмиссия автомобиля . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 370
9.4.1. Полупроводниковые технологии для систем управления трансмиссией 
автомобиля. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 370
9.4.2. Применение полупроводниковых приборов в трансмиссии автомобиля — 
системный обзор. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 371
9.4.3. Перспективы развития систем управления трансмиссией автомобиля  . . . 378
9.5. Электроника для автомобильных информационноразвлекательных систем  . . . 379
9.5.1. Приборная панель  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 379
9.5.2. Автомобильные аудиосистемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 379
9.5.3. Системы телематики  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 380
9.5.4. Навигационные автомобильные системы  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 381
9.5.5. Автомобильные мультимедийные системы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382
9.5.6. Технологии совместного использования . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 382
9.6. Новые 42В системы электропитания автомобиля  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 384
9.6.1. Уточнение терминов: 12 В и 42 В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 384
9.6.2. Перспективы использования бортовой электросети 42 В (PowerNet) 
в рамках новых решений и концепций . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 385

Содержание

INFSEMI_1TOC.fm, стр. 8 из 10 (September 7, 2010, 19:35)

9.6.3. Силовые полупроводниковые компоненты и напряжение питания 42 В. . 387
9.7. Достоинства и проблемы технологий электронного управления оборудованием 395
9.7.1. Системные требования  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 396
9.7.2. Возможности технологии xbywire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 396
9.7.3. Полупроводниковые решения для систем xbywire. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 399
9.8. Перспективы развития автомобильной электроники . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400
10. Развлекательная бытовая электроника . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402
10.1. Виды широкополосной связи  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 402
10.1.1. Цифровизация кабельного телевидения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 403
10.1.2. Развитие цифрового наземного ТВ вещания  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 404
10.1.3. Улучшенная модель обратной связи в системе цифрового 
спутникового ТВ вещания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 407
10.2. MultiMediaCard — идеальное устройство хранения данных для мобильных 
пользовательских устройств . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 408
10.2.1. Широкий диапазон применений  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 409
10.2.2. Упор на стандартизацию  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 410
10.2.3. Гибкий интерфейс . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 410
10.2.4. 128 Мбайт в 2001 году . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 411
11. Коммуникационные модули. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 413
11.1. Общий обзор коммуникационных устройств и тенденции их развития  . . . . . . . . 413
11.1.1. Стратегические ориентиры  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414
11.1.2. Высокие темпы инноваций . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414
11.1.3. Коммутационные ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414
11.1.4. Сетевые интегральные микросхемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 414
11.1.5. Интегральные микросхемы оконечных устройств связи . . . . . . . . . . . . . . . 415
11.2. IDSN: от телефонной станции к абоненту. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 416
11.2.1. Функциональная структура ISDN  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 417
11.2.2. Цифровые линейные карты . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419
11.2.3. Контроллер расширенной линейной карты (ELIC)  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419
11.2.4. Контроллер ISDNстанции с Dканалом (IDEC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 419
11.2.5. Uтрансивер для аналогового интерфейса  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420
11.2.6. Контроллер высоковольтного источника питания ISDN (IHPC). . . . . . . . 420
11.2.7. Сетевое окончание. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 421
11.2.8. Контроллер интеллектуального сетевого окончания (INTC)  . . . . . . . . . . . 421
11.2.9. DC/DCпреобразователь для сети ISDN (IDDC)  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 422
11.2.10. Схема фидера Sинтерфейса ISDN (ISFC)  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 422
11.2.11. Двухканальный кодекфильтр с цифровой обработкой сигнала . . . . . . . . 424
11.3. Оконечное оборудование ISDN: абонентское окончание  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 424
11.3.1. Телефон . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 424
11.3.2. Сменные PCкарты . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 426
11.3.3. Абонентский адаптер (TA) и USBадаптер S0интерфейса . . . . . . . . . . . . . 427
11.3.4. Комбинированная схема NT1 и TA  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 427
11.3.5. Телефон высшего класса с USBS0адаптером и функцией 
абонентского адаптера (TA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 427
11.4. Образцы разработки для ISDN  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 428
11.4.1. Комплексные решения — основа успешного маркетинга . . . . . . . . . . . . . . 428
11.4.2. Аппаратное обеспечение  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 429
11.4.3. Программное обеспечение. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 429
11.4.4. Доступ к сети ISDN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 429
11.4.5. ISDNтелефоны . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430

Содержание 9

INFSEMI_1TOC.fm, стр. 9 из 10 (September 7, 2010, 19:35)

11.5. Анализ качества телефонной сети. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430
11.5.1. Система TIQUS для контроля телефонных сетей  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 431
11.5.2. Проверка методом установления вызова: тестовое соединение . . . . . . . . . 431
11.5.3. Технологии доступа к сети ISDN, предлагаемые компанией Infineon. . . . 432
11.6. Снижение стоимости офисных  АТС за счёт гибкого использования 
интегральных технологий. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 432
11.6.1. Экономически эффективные системные решения . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 433
11.6.2. Тенденция к миниатюризации . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 433
11.6.3. Специализированные ИС для цифровых офисных АТС . . . . . . . . . . . . . . . 433
11.6.4. Решения для PCMкоммутаторов. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 435
11.6.5. Использование ИС семейства SWITI для подключения 
к шинам H.100/H.110 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 436
11.7. Архитектура нового поколения мобильного оконечного оборудования — 
GOLDenfuture для GSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 437
11.7.1. EGOLD — расширение стандартной платформы GOLD . . . . . . . . . . . . . . 437
11.7.2. Поддержка приложений. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 438
11.7.3. Новая платформа для разработки — первый шаг в будущее  . . . . . . . . . . . . 439
11.7.4. Полнофункциональный GSMмодуль  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 439
11.8. Цифровые автоответчики. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 440
11.8.1. Использование DSPпроцессора для сжатия потока данных  . . . . . . . . . . . 440
11.8.2. Одноканальный кодек  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 440
11.8.3. Оптимизация стоимости автоответчиков за счёт
использования чипсета SAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 441
11.8.4. Упрощение процесса разработки . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 445
11.9. Алгоритмы handsfree  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 445
11.9.1. Системы handsfree . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 445
11.9.2. Дуплексные системы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 445
11.9.3. Полудуплексные системы  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 446
11.9.4. Реализация эхоподавления в дуплексных системах  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 446
11.9.5. Рекомендации ITUT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 449
11.10. Архитектуры DSL. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450
11.10.1. Основные понятия. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450
11.10.2. Использование оборудования ADSL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 452
12. Заказные интегральные схемы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 459
12.1. Полузаказные ИС  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 459
12.1.1. Вентильные матрицы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 459
12.1.2. ИС на основе готовых ячеек  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 460
12.1.3. Вентильная матрица или набор готовых  ячеек?  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 460
12.2. Используемые технологии . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 461
12.2.1. Биполярные полузаказные ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 461
12.2.2. Полузаказные КМОП ИС . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 462
12.2.3. Биполярные вентильные матрицы . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 462
12.2.4. Биполярные транзисторные матрицы (линейные матрицы). . . . . . . . . . . . 463
12.3. Варианты используемых корпусов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 463
12.4. Сотрудничество между производителями ИС и заказчиками . . . . . . . . . . . . . . . . . 464
13. Электромагнитная совместимость . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 466
13.1. Основные понятия. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 466
13.1.1. Природа электромагнитных помех. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 466
13.1.2. Нормы и стандарты электромагнитной совместимости. . . . . . . . . . . . . . . . 469
13.1.3. Методы измерения электромагнитной совместимости 
для интегральных схем . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470

Содержание

INFSEMI_1TOC.fm, стр. 10 из 10 (September 7, 2010, 19:35)

13.1.4. Модели, используемые при оценке устойчивости ИС 
к электростатическим разрядам (ESD)  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 477
13.2. Электромагнитная совместимость автомобильных силовых ИС  . . . . . . . . . . . . . . 480
13.2.1. Мощные ключевые ИС. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 481
13.2.2. Помехи, создаваемые DC/DCпреобразователями. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 484
13.2.3. Помехи, создаваемые коммуникационными ИС (CANтрансиверами) . . 485
13.2.4. Помехоустойчивость автомобильных мощных ключевых ИС. . . . . . . . . . . 486
13.2.5. Помехоустойчивость коммуникационных ИС (CANтрансиверов)  . . . . . 487
13.2.6. Меры по обеспечению электромагнитной совместимости ИС 
в прикладных схемах с использованием внешних компонентов. . . . . . . . . 488
13.3. Электромагнитная совместимость микроконтроллеров . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 489
13.3.1. Автомобильные микроконтроллерные системы и тенденции развития 
их технологий . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 489
13.3.2. Проектирование печатной платы, оптимизированной с точки зрения 
электромагнитной совместимости . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 491
13.3.3. Измерение уровня помех, излучаемых микроконтроллерами. . . . . . . . . . . 495
13.3.4. Помехоустойчивость микроконтроллеров  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500
13.4. Обеспечение EMC в проводных системах связи. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500
13.4.1. Системы, компоненты и основные понятия. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 502
13.4.2. Проектирование печатных плат для высокоскоростных систем и меры 
по обеспечению целостности сигнала . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 502
13.5. Защита компонентов от электростатических разрядов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 511
13.5.1. Меры по защите ИС при контакте с электрически заряженными
объектами . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 512
13.5.2. Защитные меры по предотвращению электростатического заряда ИС 
в процессе их производства . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 512
14. Корпуса ИС. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 513
14.1. Разработка корпусов ИС: от физики — к инновациям . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 513
14.2. Обзор корпусов полупроводниковых ИС  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 514
14.3. Движущие силы процесса разработки новых технологий корпусирования ИС . . 516
14.4. Состояние дел на мировом рынке корпусов ИС. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 517
14.4.1. Стандартизация . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 517
14.4.2. Мировые тенденции: корпуса микросхем памяти . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 517
14.4.3. Мировые тенденции: корпуса ИС  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 518
14.4.4. Общемировые тенденции развития пассивных модулей . . . . . . . . . . . . . . . 521
14.5. Корпуса с уплотнённым расположением выводов: оценка с точки зрения 
пользователя и альтернативные решения  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 521
14.6. Куда приведёт нас процесс совершенствования корпусов ИС?. . . . . . . . . . . . . . . . 522
14.7. Материалы, используемые при производстве корпусов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 524
14.7.1. Бессвинцовые и безгалогенные корпуса . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 524
14.7.2. Требования к содержанию различных веществ 
в устройствах и материалах  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 525
14.7.3. Сбои в работе программного обеспечения вследствие повышенной 
радиоактивности материалов корпусов компонентов. . . . . . . . . . . . . . . . . . 525
15. Контроль качества полупроводниковых компонентов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 527
15.1. Критерии, определяющие качество продукции . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 527
15.2. Меры по обеспечению качества бизнеспроцессов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 528
15.3. Технологичность с точки зрения пользователя. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 529
16. Глоссарий . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 535
16.1. Глоссарий  . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 535