Моделирование систем и процессов, 2016, № Том 9. Вып. 3

ISSN 2219-0767

МОДЕЛИРОВАНИЕ 

СИСТЕМ И ПРОЦЕССОВ

научно-технический журнал

2016
Том 9

Выпуск 3

2016

ВОРОНЕЖСКИЙ  ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 

ЛЕСОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ 

ИМЕНИ Г.Ф. МОРОЗОВА

ОАО «НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ 
ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ»

Журнал зарегистрирован Федеральной службой по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций (Рорскомнадзор). Свидетельство о регистрации средства массовой информации ПИ № ФС77-66381 от 14.06.2016

ISSN 2219-0767

Журнал издается 4 выпуска в год

МОДЕЛИРОВАНИЕ СИСТЕМ И ПРОЦЕССОВ

Редакционная коллегия
Главный редактор 
В.К. Зольников, д-р техн. наук, профессор, зав. кафедрой ВГЛТУ

Ответственный секретарь С.А. Евдокимова, канд. техн. наук, доцент ВГЛТУ

Редакционный совет
Председатель 
Д.А. Кожанов генеральный директор АО «НИИЭТ»

Члены редакционного совета

В.И. Анциферова, канд. техн. наук, доцент
Е.А. Аникеев  канд. техн. наук, доцент
А.В. Ачкасов, канд. техн. наук
В.Н. Ачкасов, д-р техн. наук
В.М. Бугаков, д-р техн. наук, доцент
Л.И. Бельчинская, д-р хим. наук, профессор
В.С. Горохов, канд. техн. наук
В.Н.Гриднева, канд. филол. наук, доцент
Ю.Ю.Громов д-р техн. наук, профессор

М.В. Драпалюк, д-р техн. наук, профессор
В.П. Крюков, канд. техн. наук
В.В. Лавлинский д-р. техн. наук, доцент
И.П. Потапов, канд. техн. наук
Ю.С. Сербулов, д-р техн. наук, профессор
А.В. Стариков, д-р техн. наук, доцент
В.С. Стародубцев, д-р техн. наук, профессор
А.И. Стоянов
А.И. Яньков, канд. техн. наук

Разделы журнала
Технические науки
Физико-математические науки
Филологические науки
Химические науки
Экономические науки

Статьи, поступающие в редакцию, рецензируются. Мнение редакции может не совпадать с мнением авторов. При перепечатке ссылка на журнал обязательна. Материалы публикуются в авторской редакции. За 
достоверность сведений, изложенных в публикациях, ответственность несут авторы. Цена свободная.

Правила доступны на сайте http://www.vgltu.ru/Pages/FreePages/kaf_VT/Default.htm

Учредитель: ФГБОУ ВО «Воронежский государственный лесотехнический университет имени Г.Ф. 

Морозова» 

Адрес учредителя и редакции: 394087, г. Воронеж, ул. Тимирязева, 8, тел 8 (473)-253-67-08.
Адрес издателя: 394087, г. Воронеж, ул. Тимирязева, 8, тел 8 (473)-253-67-08.
ЛР ИД  №00437 от 10.11.99

Подписано в печать 26.09.16 Формат бум. 6084 1/16  Объем 5,38 п.л. Тираж 1000. Заказ № 452
Отпечатано с готового оригинал-макета 27.06.2016 г. Дата выхода в свет 27.09.2016 г.

 Моделирование систем и процессов, 2016
 Воронежский государственный лесотехнический университет, 2016
 ОАО «Научно-исследовательский институт электронной техники», 2016

Содержание

ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ

Жвад А.Х.Х., Лавлинский В.В. Модели формирования электрических параметров МОПтранзисторов для компонентов САПР.............................................................................................5

Жвад А.Х.Х., Лавлинский В.В. Формализованные модели формирования зависимостей отдельных параметров МОП-транзисторов от температуры для компонентов САПР ..................8

Волкова А.В., Лавлинский В.В., Песецкая Т.В. Подход к формированию обобщенного критерия оценки качества для электронных учебно-методических комплексов................................12

Змеев А.А., Хвостов В.А., Никулина Е.Ю., Коробкин Д.И., Беляев Р.В. Алгоритм реализации 
угроз НСД и обоснование требований к информационной безопасности.................................15

Конарев М.В. Опыт функциональной верификации блока современной микросхемы............21

Курипта О.В., Сербулов Ю.С. Модели молодежного рынка труда............................................25

Лавлинский В.В., Ковалевский Д.М. Метод обработки звуковых сигналов на основе waveletпреобразований ................................................................................................................................30

Лавлинский В.В., Лядов В.В., Песецкая Т.В., Склярова С.В. Метод снижения неопределенности при нахождении оценки психологической особенности человека ......................................34

Манохин М.В., Манохин В.Я., Сазонова С.А. Защита атмосферы от выбросов и оценка условий труда на асфальтобетонных заводах.......................................................................................42

Сазонова С.А. Обеспечение безопасности в задачах моделирования функционирующих гидравлических систем .........................................................................................................................45

Сазонова С.А., Николенко С.Д., Манохин В.Я. Особенности обеспечения безопасности труда 
и охрана окружающей среды на асфальтобетонных заводах......................................................49

Сазонова С.А., Николенко С.Д., Манохин М.В., Манохин В.Я. Влияние запыленности рабочей зоны операторов смесителей асфальтобетонных заводов на оценку безопасности труда 53

Сербулов Ю.С., Скворцова Т.В., Масликов А.А. Моделирование взаимосвязи состояния здоровья населения с деятельностью системы здравоохранения на основе построения интегрированного показателя здоровья населения региона .....................................................................56

Сербулов Ю.С., Скворцова Т.В., Масликов А.А. Применение методов статистического анализа для оценки и функционирования системы специализированной медицинской помощи 59

Стородубцева Т.Н. Исследование различных видов промоутеров с целью увеличения прочностных свойств вяжущего для склеивания древесных наполнителей......................................62

Стородубцева Т.Н., Григорьев Д.С. Влияние температуры на механические характеристики 
древесного наполнителя в композиционном материале ..............................................................66

Табаков Ю.Г. Разработка комплексного алгоритма Хаара для анализа НЧ сигналов..............71

Табаков Ю.Г. Обработка НЧ сигнала комплексным алгоритмом Хаара для интеллектуального тренажера .....................................................................................................................................73

АННОТАЦИИ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ...........................................................................77

ТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИ

УДК 004
DOI: 10.12737/24490

Модели формирования электрических параметров 

МОП–транзисторов для компонентов САПР

А.Х.Х. Жвад1, В.В. Лавлинский1

1ФГБОУ ВО «Воронежский государственный лесотехнический университет 

имени Г.Ф. Морозова»

Аннотация —
В статье рассматриваются разрабо
танные модели формирования электрических параметров МОП - транзисторов в MATLAB для компонентов 
САПР.

Ключевые слова — Модели, формализация процедур 

проектирования, САПР, МОП – транзисторы.

I. ВВЕДЕНИЕ

Развитие 3D моделирования компонентов САПР 

влечёт за собой необходимость формирования моделей, которые должны определять зависимости электрических параметров МОП – транзисторов. Такой 
подход обеспечивает пакет прикладных программ 
MATLAB, который позволяет интегрировать особенности 
моделей 
формируемых 
на 
объектно
ориентированном языке программирования в требуемые свойства компонентов САПР. Одним из примеров такого взаимодействия является САПР Cadence, 
которая интегрирует в себе возможности использования объектно-ориентированного языка С++Builder и 
имитационных моделей пакета прикладных программ 
MATLAB с использованием методов синтеза виртуальной реальности языка VRML. 

Поэтому 
данная 
статья 
описывает 
модели 

MATLAB для формирования электрических параметров МОП – транзисторов для компонентов САПР. 

II. ОПИСАНИЕ МОДЕЛЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕ
СКИХ ПАРАМЕТРОВ 

МОП–ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ КОМПОНЕНТОВ САПР

Основные компоненты для САПР должны быть в 

виде моделей формирования следующих параметров 
МОП – транзисторов, включающих формирование и 
электрических параметров.

Так для имитации моделей необходимо учитывать 

эффективную длину и эффективную ширину канала. 
Согласно работам [1,2] эффективная длина задаётся 
суммой длины канала и её погрешности, то есть

eff
k
k
Dl
Dl
Dl

 
, а эффективная ширина задаётся 

суммой ширины канала и её погрешности, то есть 

eff
k
k
Sh
Sh
Sh

 
.

В модели такое определение Dleff и Sheff представ
лено на рис. 1.

Учитывая тот факт, что при формировании 3D мо
делей на экране монитора могут появляться несогласованные друг с другом линии и поверхности, то необходимо предусмотреть согласование небольших 
размеров модели. Это должно осуществляется с помощью выборочного несовпадения между двумя 
транзисторами с идентичным расположением компонентов и расположенными близко друг к другу. Ввиду этого необходимо придерживаться следующему 
правилу, предусмотренному в работах [1,2]: инверсия 
обратно пропорциональна квадратному корню поверхности транзистора.

Рис. 1. Модели формирования эффективной длины Dleff

и ширины Sheff

Данная зависимость определяется следующим об
разом:

rUp

pka
pk

p
eff
s
eff

P
U
U

K
Sh K
Dl







.
(1)

1
rKus

kra
kr

p
eff
s
eff

P
P
P

K
Sh K
Dl
















.
(2)

rp

effpa
effp

p
eff
s
eff

P
P
P

K
Sh K
Dl







. 
(3)

Такие зависимости необходимо учитывать, так как 

в имитационной модели используется метод МонтеКарло.

Данные зависимости определяются блоками моде
лей, представленных на рис. 2: Upka, Per14, Per15, 
Fcn7, const10, Per16, Dleff, Sheff, Kp, Ks, dShk, Shk, dDlk, 
Dlk, Per3, Upk, Per2, TKUpk, Per1, Tnom и Ramp T.

Рис. 2. Фрагмент модели формирования Upka

Зависимости Pkra и Pkr(T), представленные на рис. 3 

и 4, определяются блоками моделей: Pkra, Per18, 
Per20, const11, Per19, PrKus, Per15, Fcn7, const10, 
Per16, Dleff, Sheff, Kp, Ks, dShk, Shk, dDlk, Dlk, Per3, Upk, 
Per2, TKUpk, Per1, Tnom, Ramp T, Pkr, Fcn1, Per4, Upk.

Обобщённые модели формирования зависимостей 

представлены на рис. 5, где демонстрируются формирование параметров: teta, Peffa, dUrsce.

Рис. 3. Зависимость Pkra

Рис. 4. Зависимость Pkr(T)

Таким образом модель позволяет учитывать обрат
ный эффект короткого канала (RSCE), который описывается [1,2] следующим образом:

3 2
4 (22 10 ) ;
0.028;

10
1 ;

А

eff

А

hdl

С
С

Dl
С
K



 






 









(4)




2

2

2
1

1
1
2

ppz

RSCE

ozp

K
U
C
C








  
 





.       (5)

На модели это позволяют выполнить блоки: dUrsce, 

Per30, Per27, const18, Fcn11, Per26, const17, Cesp1, 
const16, Per25, Per29, Per28, const19, Kppz, Cozp, 

EPSSiO2, TlSiO2, Fcn10, Per24, Fcn9, Cesp, Fcn8, const 
13, const12, teta, Per22, CA, const15, Per23, const14, 
Per21, Khdl, Dleff, Dlk, dDlk.

Действующее напряжение на затворе должно фор
мироваться следующим образом:

/

z
z
pka
RSCE
Fp
effpa
Fp
U
U
U
U
P
P
P





.      (6)

Рис. 5. Обобщённые модели формирования электрических зависимостей МОП – транзистора для компонентов 

САПР

В модели формируется коэффициент эффективно
сти подложки. Он включает в себя перераспределение заряда как для коротких, так и для узких каналов. 
Этот параметр определяется напряжением отсечки 
для узких каналов:

2

/
/
/

0

/

(
),
0
2
2

,
0

z

z

effpa
effpa

z
Fp
effpa
z

P

Fp

P
P
U
P
P
U
если U
U

P
если U













 






(7)

Имитация перераспределения заряда и определение 

эффективного показателя подложки обеспечивается 
следующим образом:






2
2
/
1
4
2

is
is
Fp
is
Fp
t
U
U
P
U
P
U













(8)




0

/
/

0
3

Si

effpa

ozp

effkzk
effuzk

i
s
P
Fp

eff
eff

P
C

K
K
U
U
U
P
Dl
Sh


 









 










(9)




/
0
02
1
0.1
2

t
U
 
  



(10)

Напряжение отсечки, включая эффекты короткого 

и узкого канала:

2
/
/

/
/
/
/

/

(
),
0
2
2

,
0

z

z

Fp
z
z

P

Fp

U
P
V
если U
U

P
если U








 






 







.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, разработанные модели в MATLAB

для формирования электрических параметров МОП –
транзистора позволяют имитировать процессы, происходящие в внутри формируемой 3D модели на основе синтеза виртуальной реальности.

Ввиду этого данный подход целесообразно исполь
зовать при проектировании МОП – транзисторов с 
использованием методов синтеза виртуальной реальности и формирования свойств и зависимостей совместно с 3D моделями [3-8].

ЛИТЕРАТУРА

[1]
Лавлинский, В. В. Алгоритм формализации МОП–
транзисторов для объектно-ориентированного языка 
программирования [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х.
Жвад // Моделирование систем и процессов. – 2016. –
Т.9. № 2. – С. 5-14.

[2]
Лавлинский, В. В. Модели формализации МОП–
транзисторов на основе объектно-ориентированного 
языка программирования [Текст] / В. В. Лавлинский, 
А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. –
2016. – Т.9. № 2. – С. 15-22.

[3]
Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 1620.

[4]
Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде 
воздействий тяжёлыми ядерными частицами [Текст] / 
В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. 
Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. – № 4. – С. 24-32.

[5] Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моде
лирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности 
при воздействии тяжёлыми заряженными частицами 
[Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и 
техники. Серия: Физика радиационного воздействия на 
радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. – № 4. – С. 3335.

[6] Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирова
ния проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде 
воздействий 
тяжёлыми 
заряженными 
частицами 

[Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и 
процессов. – 2013. – № 3. – С. 20-25. 

[7] Зольников, В. К. Моделирование ионизационных эф
фектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах 
для САПР [Текст] / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, 
Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, 
В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. – 2014. – Т.4. №4 (16). – С.280-291.

[8] Лавлинский, В. В. Анализ математических зависимо
стей EKV модели для формализации процедур проектирования МОП - транзисторов [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. – 2015. – № 4. – С. 27-33.

УДК 004
DOI: 10.12737/24491

Формализованные модели формирования зависимостей 

отдельных параметров МОП–транзисторов 

от температуры для компонентов САПР

А.Х.Х. Жвад1, В.В. Лавлинский1

1ФГБОУ ВО «Воронежский государственный лесотехнический университет 

имени Г.Ф. Морозова»

Аннотация —
В статье рассматриваются разрабо
танные формализованные модели в MATLAB для формирования зависимостей отдельных параметров МОП транзисторов от температуры для компонентов САПР.

Ключевые слова —
Формализация процедур проек
тирования, САПР, МОП – транзисторы, формализованные модели.

I. ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время существует необходимость в 

формализации процедур проектирования электронной компонентной базы применительно к МОП –
транзисторам. Тем не менее разработка формализованных моделей формирования зависимостей отдельных параметров МОП – транзисторов включает в себя сложности в выборе как языка программирования, 
так и программного обеспечения, позволяющего объединять 
достоинства 
объектно-ориентированного 

языка программирования с возможностью 3D моде
лирования и использования методов синтеза виртуальной.

Ввиду этого в данной статье представлены форма
лизованные модели формирования зависимостей отдельных параметров МОП – транзисторов от температуры на основе математического пакета прикладных программ MATLAB, который позволяет интегрировать разработанные модели в САПР Cadence.

II. ФОРМАЛИЗОВАННЫЕ МОДЕЛИ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАВИ
СИМОСТЕЙ ОТДЕЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ МОП – ТРАНЗИ
СТОРОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ

Основные компоненты для САПР должны быть в 

виде формализованных моделей формирования зависимостей отдельных параметров МОП – транзисторов 
от температуры, представленных на рис. 1.

Рис. 1. Формализованные модели для формирования зависимостей МОП – транзистора ni(T), Znach Eg(T), Upk(T), 

Pkr(T), Pkp(T), PFp(T), Kibb(T) от температуры

На рис. 1 представлены основные компоненты 

формализованных моделей, определяющих следующие параметры:

- концентрацию собственных носителей ni(T);
- ширину запрещенной зоны Znach Eg(T);
- пороговое напряжение канала Upk(T);
- параметр крутизны Pkr(T);
- продольное критическое поле Pkp(T);
- потенциал Ферми подложки PFp(T);
- коэффициент второй ударной ионизации Kibb(T).
Концентрация собственных носителей определяет
ся математическими зависимостями в следующем 
виде:

(
)
( )
1(
)
2
(
)
( )
16
( )
1.45 10

g
g

t
ekv
t

E
Tekv
E
T

U
T
U
T

i

ekv

T
n T
e
T







,      (1)

где имеется постоянная константа 1.451016 (блок 
const7 на модели для формирования зависимостей 
МОП – транзистора от температуры на рис.1); имитационную температуру для модели Т, которая формируется блоком, представленным на рис. 2; эталонную 
температуру Tekv=300.15, которая формируется блоком, представленным на рис. 3; ширину запрещенной 
зоны Eg(T) и Eg(Tekv) для имитационной температуры 

и эквивалентной температуры соответственно. Причём ширина запрещённой зоны определяется следующей зависимостью:

2

3
( )
1.16
0.702 10
1108

g

T
E T
T






.         (2)

На рис. 1 данная зависимость формируется блока
ми Ramp T, const3, const4, const5, Fcn4, Per6, Per7 и 
Eg(T), а также для определения Eg(Tekv) используются 
блоки const3, Per5, const4, Fcn4, Per7, Per8, Fcn5, 
Tnom.

Для зависимости (1) тепловое напряжение Ut(T) и 

Ut(Tekv) формируются моделями, представленными 
блоками k, q, Ramp T, и представляется блоком Ut(T) 

и блоком Ut(T)1 в виде 
( )
t

k T
U T
q


, где k - постоян
ная Больцмана, равная 1.380710-23; q - заряд электрона равный 1.60210-19.

Результаты функционирования модели представле
ны в виде формирования зависимости ni(T) концентрации собственных носителей от температуры на 
рис. 4.

Рис. 2. Заданные параметры блока Ramp для задания 

температуры T в имитационной модели

Рис. 3. Заданные параметры блока Constant для задания 

эталонной температуры Tekv

Рис. 4. Формирование зависимости ni(T) концентрации 

собственных носителей от температуры

Ширина запрещенной зоны Znach Eg(T) формиру
ется моделью в виде блоков Eg(T), Per6, const3, 
const4, Fcn4, Per6, Per7, const5, Ramp T представленных на рис. 1.

Формирование зависимости ширины запрещённой 

зоны от температуры представлено на рис. 5.

Рис. 5. Формирование зависимости Znach Eg(T) ширины 

запрещённой зоны от температуры

Пороговое напряжение канала Upk(T) формируется 

блоками Per3, Upk, Per2, Per1, TKUpk, Tnom и Ramp
T.

Формирование зависимости Upk(T) порогового на
пряжения канала от температуры представлено на 
рис. 6. 

Рис. 6. Формирование зависимости Upk(T) порогового 

напряжения канала от температуры

Параметр крутизны Pkr(T) формируется блоками 

Pkr, Fcn1, Upk, Per4, Tnom и Ramp T.

Формирование зависимости Pkr(T) крутизны от 

температуры представлено на рис. 7.

Параметр продольного критического поля Pkp(T) 

формируется блоками Pkp1,Pkp, Fcn2, Per4, Tnom и 
Ramp T.

Формирование зависимости Pkp(T) продольного 

критического поля от температуры представлено на 
рис. 8.

Параметр потенциала Ферми подложки PFp(T) фор
мируется блоками PFp(1T), Znach Eg(T)1, Eg(Tnom), 
Per5, Per6, const3, const4, Fcn4, Per7, Per8, Fcn5, 
Ut(T)1, const5, Ut(T), Fcn3, const2, k, q, Tnom и Ramp
T.

Рис. 7. Формирование зависимости Pkr(T) параметр кру
тизны от температуры

Рис. 8. Формирование зависимости Pkp(T) продольного 

критического поля от температуры

Формирование зависимости 
PFp(T)
потенциала 

Ферми подложки от температуры представлено на 
рис. 9.

Рис. 9. Формирование зависимости PFp(T) потенциала 

Ферми подложки от температуры

Параметр коэффициента второй ударной иониза
ции Kibb(T) формируется блоками Per11, Per10, Per10, 
TKibb, const6, Kibb, Per1, Tnom и Ramp T.

Формирование зависимости Kibb(T) коэффициента 

второй ударной ионизации от температуры представлено на рис. 10.

Рис. 10. Формирование зависимости Kibb(T) коэффици
ента второй ударной ионизации от температуры

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, разработанные формализованные 

модели в MATLAB для формирования зависимостей 
отдельных параметров МОП - транзисторов от температуры адекватно воспроизводят процессы изменения моделируемых параметров.

Ввиду этого данный подход целесообразно исполь
зовать для разработки моделей, определяющих электрические зависимости параметров МОП – транзисторов при его проектировании с использованием 
методов синтеза виртуальной реальности и формирования свойств и зависимостей совместно с 3D моделями [1].

ЛИТЕРАТУРА

[1] Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирова
ния компонентов для систем автоматизации проектирования электронной базы на основе синтеза виртуальной реальности [Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и процессов. – 2013. – № 3. – С. 1620.

[2] Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирова
ния проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде 
воздействий тяжёлыми ядерными частицами [Текст] / 
В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и техники. 
Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. – № 4. – С. 24-32.

[3] Лавлинский, В. В. Теоретические исследования моде
лирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности 
при воздействии тяжёлыми заряженными частицами 
[Текст] / В. В. Лавлинский // Вопросы атомной науки и 
техники. Серия: Физика радиационного воздействия на 

радиоэлектронную аппаратуру. – 2014. – № 4. – С. 3335.

[4]
Лавлинский, В. В. Теоретические основы моделирования проектируемых объектов электронной компонентной базы для синтеза виртуальной реальности в виде 
воздействий 
тяжёлыми 
заряженными 
частицами 

[Текст] / В. В. Лавлинский // Моделирование систем и 
процессов. – 2013. – № 3. – С. 20-25. 

[5]
Зольников, В. К. Моделирование ионизационных эффектов и эффектов смещения в цифровых микросхемах 
для САПР [Текст] / В. К. Зольников, В. В. Лавлинский, 
Ю. А. Чевычелов, Ю. С. Сербулов, В. И. Анциферова, 
В. Н. Ачкасов, Ю. Г. Табаков // Лесотехнический журнал. – 2014. – Т.4. №4 (16). – С. 280-291.

[6] Лавлинский, В. В. Анализ математических зависимо
стей EKV модели для формализации процедур проектирования МОП - транзисторов [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. – 2015. – Т.8. № 4. – С. 27-33.

[7] Лавлинский, В. В. Модели формализации МОП–

транзисторов на основе объектно-ориентированного 
языка программирования [Текст] / В. В. Лавлинский, 
А. Х. Х. Жвад // Моделирование систем и процессов. –
2016. – Т.9. № 2. – С. 15-22.

[8] Лавлинский, В. В. Алгоритм формализации МОП–

транзисторов для объектно-ориентированного языка 
программирования [Текст] / В. В. Лавлинский, А. Х. Х. 
Жвад // Моделирование систем и процессов. – 2016. –
Т.9. № 2. – С. 4-14.

УДК 007.5; 004
DOI: 10.12737/24492

Подход к формированию обобщённого критерия оценки 

качества для электронных учебно-методических 

комплексов

А.В. Волкова1, В.В. Лавлинский1, Т.В. Песецкая1

1ФГБОУ ВО «Воронежский государственный лесотехнический университет

имени Г.Ф. Морозова»

Аннотация — В данной статье выполнен анализ су
ществующих ГОСТ и предложен подход к формированию обобщённого критерия оценки качества для разработки электронных учебно-методических комплексов.

Ключевые слова —
Электронный образовательный 

ресурс, электронные учебно-методические комплексы, 
критерии качества.

I. ВВЕДЕНИЕ

В связи с использованием электронного образова
тельного ресурса и современных информационных 
технологий в процессах как среднего, так и высшего 
образования имеется необходимость оценивания разрабатываемых 
для 
него 
электронных 
учебно
методических комплексов. 

Тем не менее, оценка такого рода комплексов в на
стоящее время сводится к описанию качественных 
критериев, которые требуют существенной доработке.

Именно вопросам формирования критериев оценки 

качества для электронных учебно-методических комплексов и посвящена данная статья.

II. АНАЛИЗ СУЩЕСТВУЮЩИХ ГОСТ И РУКОВОДЯЩИХ 
ДОКУМЕНТОВ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ ЭЛЕКТРОННЫХ УЧЕБНО
МЕТОДИЧЕСКИХ КОМПЛЕКСОВ

Исходя из работы [1], где были рассмотрены про
цесс формирования электронного образовательного 
ресурса 
и 
структура 
электронного 
учебно
методического комплекса, имеется необходимость 
анализа следующих ГОСТ и руководящих документов, где указываются конкретные эталонные критерии качества [2-5].

Так в ГОСТ Р 53625-2009 (ИСО/МЭК 19796
1:2005) Информационная технология. Обучение, образование и подготовка. Менеджмент качества, обеспечение качества и метрики. Часть 1. Общий подход 
[2] в приложении определены эталонные критерии 
качества (ЭКК). В данном ГОСТе в двух разделах 
каталога описаны 213 эталонных критерия для программных средств и 480 эталонных критериев качества, структурированных по категориям в семи подразделах. 

Так одной из категорий эталонных критериев каче
ства являются общие условия. Для этой категории 
существует 101 критерий, причём из них описаны 
только 32. Ещё одной категорией эталонных критериев качества являются технические аспекты, которые