Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии»: 2011—2015: аннотированный библиографический указатель

Международная Крымская конференция

«СВЧ-техника и телекоммуникационные 

технологии»:

1991—2010

Москва

Инфра-М

2018

Международная Крымская конференция

«СВЧ-техника и телекоммуникационные 

технологии»:

1991—2010

аннотированный библиографический указатель

под редакцией к. т. н. Ермолова П. П.

Москва

Инфра-М; Znanium.com

2018

УДК 013:621.37/.39

ББК 91.9:32

М43

Ермолов, П.П.

Международная 
Крымская 
конференция 
«СВЧ-техника 
и 

телекоммуникационные 
технологии»: 
2011—2015:
аннотированный 

библиографический указатель / П.П. Ермолов, Н.Л. Ржевцева, Е.Г. Уткина и 
др. – М.: Инфра-М; Znanium.com, 2018. – 356 с.

ISBN 978-5-16-106591-4 (online)

Издание 
являет 
собой 
попытку 
объединить 
традиционный 

библиографический 
научно-вспомогательный 
указатель 
и

библиометрический анализ представленного в указателе документопотока. 
Все 2729 записей в основной части указателя распределены по 16-ти 
научным направлениям, внутри каждого направления записи

распределены в порядке прямой хронологии, внутри года — по алфавиту 
заглавий. В именной указатель включены 3487 авторов, которые 
представляют 496 университетов и предприятий 28-ми стран. Издание 
дополнено рядом других вспомогательных указателей.

Указатель предназначен для профильных специалистов и историков науки и 
техники.

ISBN 978-5-16-106591-4 (online)
© П.П. Ермолов, Н.Л. Ржевцева,

Е.Г. Уткина, Л.В. Пряхина, 2017, 2018

УДК 013:621.37/.39 
ББК 91.9:32 
        М43 
 
Рекомендовано к изданию методической комиссией 
Института радиоэлектроники и информационной безопасности 
Севастопольского государственного университета 
(протокол № 5 от 09.01.2017) 
 
Указатель издается при поддержке: 
Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники, Минск 
Уральского федерального университета, Екатеринбург 
Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники 
ЗАО «Микроволновые системы», Москва 
 
Отв. составитель Н. Л. Ржевцева 
Составители: Е. Г. Уткина, Л. В. Пряхина 
 
Рецензенты: 
д-р техн. наук, проф. Гимпилевич Ю. Б. (СевГУ) 
д-р техн. наук, проф. Пестриков В. М. (СПбГИКиТ) 
 
 
 
 
 
 
 
 

М43

Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные 

технологии» : 2011—2015 : аннотир. библиогр. указ. / Севастоп. гос. ун-т, Науч. б-ка ; 
под ред. к. т. н. П. П. Ермолова ; [отв. сост. Н. Л. Ржевцева]. — Севастополь, 2017. — 356 с. 

ISBN 978-966-335-432-3

 
Издание являет собой попытку объединить традиционный библиографический научно-вспомогательный указатель и библиометрический анализ представленного в указателе документопотока. Все 2729 записей в 
основной части указателя распределены по 16-ти научным направлениям, внутри каждого направления записи 
распределены в порядке прямой хронологии, внутри года — по алфавиту заглавий. В именной указатель включены 3487 авторов, которые представляют 496 университетов и предприятий 28-ми стран. Издание дополнено 
рядом других вспомогательных указателей. 
Указатель предназначен для профильных специалистов и историков науки и техники. 
 
УДК 013:621.37/.39 
ББК 91.9:32 
____________________________________ 
 

Научное издание

Отв. составитель Ржевцева Наталия Леонидовна

Международная Крымская конференция  
«СВЧ-техника и телекоммуникационные  
технологии»: 2011—2015:
аннотированный библиографический указатель
(на русском и английском языке)

Подписано в печать 09.01.2017 
Формат 29,7х42/2. Условн. печ. л. 41,12. Уч.-изд. л. 68,2 
Зак. 5-411. Тир. 100

Отпечатано ООО «Цифровая типография» 
ул. Челюскинцев, 291а, г. Донецк, 83121 
Тел.: (062) 388-07-31, 388-07-30

ISBN 978-966-335-432-3
© СевГУ, 2017

СОДЕРЖАНИЕ 
 
 
НАПРАВЛЕНИЯ КОНФЕРЕНЦИИ 
1: Твердотельные приборы и устройства СВЧ ……………………………………………………..……..……. 4 
1а: Моделирование и автоматизированное проектирование твердотельных приборов и устройств ……… 18 
2: Электровакуумные и микровакуумные приборы СВЧ …………………………………………...……..… 28 
3: Системы СВЧ-связи, вещания и навигации ……………………………………………………..…………. 47 
3а: Информационные технологии в телекоммуникациях …………………………………………..………... 72 
4: Антенны и антенные элементы …………………………………………………………………………….. 105 
5: Пассивные компоненты ……………………………………………………………………………….……. 127 
5a: Материалы и технология СВЧ-приборов ………………………………………………………………… 149 
5b: Наноэлектроника и нанотехнология ………………………………………………………………….….. 167 
6: СВЧ-электроника сверхбольших мощностей и эффекты ……………………………………………..…. 196 
6а: Электромагнитная и радиационная стойкость материалов и электронной компонентной базы …..… 205 
7: СВЧ-измерения ……………………………………………………………………………………………… 210 
8: Прикладные аспекты СВЧ-техники ………………………………………………………………………… 230 
8а: Микроволновые технологии и техника в биологии и медицине ……………………………………….. 248 
9: Радиоастрономия, дистанционное зондирование и распространение радиоволн ………………..…….. 260 
H: История развития радиотехнологий и телекоммуникаций ………………………………………………. 294 
ИМЕННОЙ УКАЗАТЕЛЬ ………………………………………………………………………………….….. 303 
УКАЗАТЕЛЬ ОРГАНИЗАЦИЙ ……………………………………………………………………….……… 323 
СОСТАВ ОРГАНИЗАЦИОННОГО И ПРОГРАММНОГО КОМИТЕТОВ ………………………….……. 345 
ОРГАНИЗАТОРЫ И СПОНСОРЫ …………………………………………………………………………… 348 
ТЕХНИЧЕСКАЯ И ИНФОРМАЦИОННАЯ ПОДДЕРЖКА ……………………………………………….. 349 
ДОКЛАДЫ, УДОСТОЕННЫЕ ПРЕМИЙ ОРГКОМИТЕТА КрыМиКо ……………………………….….. 349 
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ УКАЗАТЕЛЬ МАТЕРИАЛОВ КОНФЕРЕНЦИИ …………………………….. 352 
СПИСОК АББРЕВИАТУР ……………………………………………………………………………………. 353 

НАПРАВЛЕНИЯ КОНФЕРЕНЦИИ 
 
Направление 1: Твердотельные приборы и устройства СВЧ 
 
1 — 2011 

 
1. Влияние линейных размеров AlGaN/GaN 2D-канала сток 
— исток GaN полевого транзистора на его приборные характеристики (латеральный размерный эффект) / Н. А. Торхов, 
В. Г. Божков // 21-я Международная Крымская конференция 
«СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—
16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — 
Т. 1. — С. 157—158 : рис., граф. — Библиогр. в конце ст. 
(3). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Было показано, что в локальном приближении фрактальные свойства 2D-электронного газа AlGaN/GaN гетероструктур, определяющие зависимость погонного сопротивления ρ от длины l и ширины d канала сток — исток HEMT-транзистора значительно 
влияют на его приборные характеристики: сопротивление сток — 
исток Rsd, напряжение теплового пробоя Uн и крутизну Gм. Все 

это говорит о том, что при проектировании мощных HEMTтранзисторов на AlGaN/GaN необходимо учитывать фрактальные свойства материала. Из полученных результатов следует, 
что для материала с меньшими значениями предела локального 
приближения L максимальные значения приборных характеристик 
можно получать при меньших линейных размерах активных элементов транзисторов. 

 
2. Влияние особенностей сборки на характеристики мощных 
транзисторных усилителей / А. А. Капралова, Л. В. Манченко, 
А. Б. Пашковский, 
Т. И. Потапова, 
В. А. Пчелин, 
И. П. Чепурных // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2011. — Т. 1. — С. 139—140 : граф. — Библиогр. в конце ст. 
(4). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Рассчитаны поправки, связанные с краевыми эффектами в согласующих керамических вставках с высоким ε в зависимости от 
особенностей их монтажа и исследовано влияние этих поправок на 
характеристики мощных транзисторных усилителей. Показано, 
что различные способы сборки могут приводить к смещению рабочей частоты прибора до 1,5 ГГц. 

 
3. Выходная цепь СВЧ усилителя Догерти на ПТШ CLY5 / 
А. С. Прилипская, В. Г. Крыжановский // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 
2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 145—146 : схема, 
граф., фото. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978-966335-352-4. 
Разработан усилитель мощности (УМ) по схеме Догерти на частоту 800 МГц с использованием полевых транзисторов с барьером Шоттки CLY 5. Детально рассмотрена методика проектирования выходной цепи данного усилителя, выполнен ее расчет, моделирование и экспериментальное исследование прототипа. Проведено измерение S-параметров выходной цепи на векторном анализаторе Agilent, получено соответствие расчетных и экспериментальных данных. 

 
4. Выходная цепь усилителя класса F
-1 с щелевыми резонаторами 
в 
микрополосковой 
линии 
передачи 
/ 
В. Г. Крыжановский, Ю. В. Рассохина, П. Колантонио // 21я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 141—
142 : схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978966-335-352-4. 
Представлены результаты моделирования усилителя мощности 

класса «F
-1
» на GaN-транзисторе NPTB00004 на частоту 1,6 ГГц. 
В качестве фильтрующей цепи использовалась структура на основе щелевых резонаторов (ЩР) в заземляющем слое микрополоско
вой линии передачи (МПЛ). Полученные в результате моделирования КПД и выходная мощность усилителя на рабочей частоте 
составили соответственно 59 % и 6 Вт. 

 
5. Двухкаскадный усилитель X-диапазона с выходной мощностью 17 Вт на элементной базе ФГУП «НПП «Исток» / 
В. А. Пчелин, И. П. Корчагин, В. М. Малыщик, А. В. Галдецкий, Л. В. Манченко, А. А. Капралова // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 135—136 : 
граф., фото. — Библиогр. в конце ст. (3). — ISBN 978-966335-352-4. 
Разработан двухкаскадный усилитель, обеспечивающий выходную 
мощность не менее 17 Вт в 10 % полосе частот и КПД не менее 
25 %. Все узлы и комплектующие элементы усилителя произведены 
в ФГУП «НПП «Исток». 

 
6. Имитатор допплеровского сдвига частоты / С. В. Плаксин, В. Я. Крысь, Л. М. Погорелая, И. И. Соколовский // 
21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника 
и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 
2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — 
С. 177—178 : схема. — Библиогр. в конце ст. (11). — 
ISBN 978-966-335-352-4. 
Представлены результаты экспериментального исследования 
имитатора эффекта Доплера в волноводе с использованием модифицированного двойного волноводного T-моста и одного варакторного диода, выступающего в роли динамического фазовращателя и управляемого пилообразным напряжением. 

 
7. Импульсный стабилизатор тока с защитой ЛПД от выгорания / Н. С. Добрянский, П. Я. Кемпа, Г. Г. Масютин // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 187—
188 : схема. — Библиогр. в конце ст. (1). — ISBN 978-966335-352-4. 
Предложен стабилизатор тока для генератора на ЛПД с защитой 
ЛПД от возможного сброса нагрузки. Генератор на ЛПД работает в 5-мм диапазоне длин волн с выходной мощностью более 
50 мВт. Разработана схема измерения выходного сопротивления 
стабилизатора тока в зависимости от частоты. Стабилизатор 
тока обеспечивает ток в нагрузке 70—120 mA, время включения — 
менее 0,1 μксек. 

 
8. Интермодуляционные искажения в усилителях класса E 
на основе GaN и SiC транзисторов / Д. Г. Макаров, 
В. Г. Крыжановский, А. А. Кищинский // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 
2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 143—144 : граф. — 
Библиогр. в конце ст. (6). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Исследованы интермодуляционные искажения в высокоэффективных нелинейных усилителях СВЧ-мощности класса «E». Теоретически и экспериментально получены данные для усилителя на основе GaAs транзистора CLY5 и для широкополосного усилителя 
мощности класса «E» на основе SiC транзистора CRF24010. 

 
9. Исследование характеристик МШУ X-диапазона с защитой по входу / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. И. Иващенко // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 161—162 : 
фото, граф. — Библиогр. в конце ст. (6). — ISBN 978-966335-352-4. 

В работе представлены результаты по созданию монолитных интегральных схем (МИС) малошумящего усилителя (МШУ) X-диапазона 
на PHEMT-транзитосторах с длиной затвора 0,3 мкм и защитного 
устройства для него на гетероструктурных p-i-n-диодах. 

 
10. Комплект сверхширокополосных МИС коммутаторов на 
основе гетероструктурных pin-диодов / А. Ю. Ющенко, 
Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 165—
166 : фото, граф. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978966-335-352-4. 
В работе представлены результаты по созданию монолитных 
интегральных схем (МИС) сверхширокополосных коммутаторов на 
основе гетероструктурных p-i-n-диодов. 

 
11. Компоненты систем связи 5-мм диапазона длин волн / 
А. С. Косов, В. А. Зотов, В. С. Рожков // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 
2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 175—176 : схема, 
фото, граф. — Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966335-352-4. 
Разработаны принципы построения и технология изготовления 
основных узлов систем связи в 5-мм диапазоне длин волн (60 ГГц). 
Изготовлены и исследованы ключевые компоненты систем связи 
60 ГГц диапазона, такие как: малошумящий усилитель (МШУ), 
усилитель мощности (УМ), преобразователь частоты (СМ), синтезатор опорного сигнала (СИН). Получены следующие параметры разработанных компонент: коэффициент шума МШУ — менее 
4 дБ; выходная мощность РА — 100 мВт; фазовый шум СИН — 
менее – 95 dBc/Hz при отстройке от несущей на 10 kHz. 

 
12. Малошумящий модуль миллиметрового диапазона для 
модуляционного радиометра / И. К. Сундучков // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., 
Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 185—186 : 
схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (1). — ISBN 978-966335-352-4. 
В работе проводятся результаты разработки малошумящего 
усилителя в миллиметровом диапазоне длин волн: принципиальной 
схемы, методики и результатов испытаний. В диапазоне частот 
35,5—37,5 ГГц коэффициент усиления был равен от 60,15 ± 0,45 дБ 
до 56,15 ± 0,55 дБ при изменении температуры окружающей среды 
от 10° C до 50° C соответственно. Эквивалентная шумовая температура на входе модуля в рабочем диапазоне частот составила 
369—380 K. 

 
13. МИС коммутаторов C- и X-диапазонов на основе гетероструктурных pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, 
Е. А. Монастырев, В. Г. Божков // 21-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 169—170 : фото, граф. 
— Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978-966-335-352-4. 
В работе представлены результаты по созданию монолитных 
интегральных схем (МИС) коммутаторов C- и X-диапазонов частот на основе гетероструктурных p-i-n-диодов. Схемы характеризуются низкими вносимыми потерями (~ 0,7 дБ) и хорошей изоляцией (~ 45 дБ) в рабочих диапазонах частот. 

 
14. МИС ограничителя мощности на основе pin-диодов и 
диодов 
Шоттки 
/ 
А. Ю. Ющенко, 
Г. И. Айзенштат, 
Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 163—
164 : фото, граф. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978966-335-352-4. 

Представлены результаты разработки монолитной интегральной 
схемы защитного устройства на основе p-i-n-диодов и диодов 
Шоттки для диапазона частот 1—22 ГГц. Схема характеризуется низкими вносимыми потерями в рабочем диапазоне частот, 
мощностью просачивания не более 11,5 дБм и обладает стойкостью к воздействию непрерывной СВЧ-мощности не менее 37 дБм. 

 
15. Монолитная интегральная схема ограничителя СВЧ 
мощности, управляемого напряжением / А. Ю. Ющенко, 
Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, А. В. Акимов // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 167—
168 : схема, фото, граф. — Библиогр. в конце ст. (5). — 
ISBN 978-966-335-352-4. 
Разработана новая монолитная интегральная схема ограничителя 
СВЧ-мощности на p-i-n-диодах, управляемая напряжением. Экспериментально показано, что в предложенной схеме удается понизить уровень просачивающейся мощности до 9 дБм. 

 
16. Монолитный автономный полупроводниковый ограничитель мощности 8-мм диапазона длин волн, предназначенный для работы при входной импульсной мощности до 1 
кВт / А. В. Кириллов, В. А. Смирнов, А. А. Усов // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 200—
201 : схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978966-335-352-4. 
Приведены результаты разработки автономного (пассивного) 
ограничителя мощности 8-миллиметрового диапазона длин волн на 
базе монолитных p-i-n-диодных матриц Si и GaAs. Разработанное 
устройство обеспечивает работоспособность при входной импульсной мощности до 1 кВт при величине просачивающейся импульсной мощности не более 0,7 Вт и быстродействии 0,2 мкс. 

 
17. Монолитный СВЧ-отключатель Ka-диапазона с малыми 
потерями 
на 
арсениде галлия 
/ 
С. И. Толстолуцкий, 
А. И. Ли, С. В. Безус // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 193—194 : схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (6). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Проведен анализ путей снижения вносимых потерь твердотельного СВЧ-отключателя Ka-диапазона. Представлены результаты 
разработки монолитной интегральной схемы СВЧ-отключателя 

на арсениде галлия с размерами 2,0 x 1,0 мм
2
. Кристалл обеспечивает значение вносимых потерь на уровне 1 дБ в широкой полосе 
частот от 26,5 до 40 ГГц. 

 
18. Мощные интегральные гетероструктурные полевые 
транзисторы на нитриде галлия / Ю. Н. Раков, Н. В. Мончарес, 
Т. П. Боброва, 
Г. Ф. Узельман, 
Ю. Б. Мякишев, 
Т. К. Бондарева, Ю. Н. Свешников // 21-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — 
Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 151—152 : табл., рис., граф. 
— Библиогр. в конце ст. (5). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Разработаны гетероструктуры AlGaN/AlN/GaN, выращенные на 
подложках сапфира, конструкция и технология изготовления интегральных полевых транзисторов (ПТ). ПТ обеспечили удельную 
выходную мощность 7,57 Вт/мм, КПД = 43,5 % и коэффициент 
усиления 5,6 дБ на частоте 12 ГГц. 

 
19. О способах отвода тепла и снижения стоимости GaN ИС 
усилителей 
мощности 
/ 
В. И. Гуляев, 
А. И. Вольхин, 
В. В. Глазунов // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2011. — Т. 1. — С. 153—154 : граф., рис., фото. — Библиогр. в конце ст. (1). — ISBN 978-966-335-352-4. 

Приводится анализ конструкторско-технологических путей снижения стоимости GaN ИС усилителей мощности. Приведена GaN 
квазимонолитная ИС, выполненная на CVD-алмазе. 

 
20. Оптимизация структурной схемы усилителя мощности 
X-диапазона / В. Б. Трегубов, В. А. Пчелин, Л. В. Манченко 
// 21-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 12—16 
сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — 
Т. 1. — С. 137—138 : граф., фото. — Библиогр. в конце ст. 
(2). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Разработан усилитель мощности X-диапазона с выходной мощностью более 13 Вт и КПД не менее 25 % на трех кристаллах с различной длиной затвора. Все компоненты усилителя произведены в 
ФГУП «НПП «Исток». 

 
21. Планарные приемные модули АФАР X-диапазона на базе 
технологии LTCC-керамики / Е. А. Монастырев, С. Л. Кеврух, 
В. А. Молошников, 
П. Е. Денисов, 
А. В. Акимов, 
А. А. Пономарев // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2011. — Т. 1. — С. 195—197 : схема, фото, табл., рис. — 
Библиогр. в конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-352-4. 
В докладе рассматриваются технические решения и результаты 
разработки высокоинтегрированных планарных многоканальных 
кластерных приемных модулей АФАР X-диапазона, изготовленных 
с использованием технологии LTCC-керамики, внедренной на предприятии. 

 
22. Применение модифицированного режима работы арсенидогаллиевых диодов Ганна в генераторах мм-диапазона 
35—47 ГГц / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, В. П. Перфильев, 
С. Е. Золотов, И. В. Петров // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные 
технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, 
Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 171—172 : фото, граф. — 
Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Импеданс и температурный режим работы диодов Ганна (ДГ) в 
модифицированном режиме (МР) аналогичен импедансу и температурному режиму ДГ, работающих в пролетном режиме. МР 
может быть реализован в ДГ с тонкой | < 1,5 мкм базой, когда 
размер домена сильного поля соизмерим или превышает протяженность базы. Расширенный частотный диапазон и большой 
КПД ДГ, работающих в МР, позволил их эффективно использовать 
в следующем ряде генераторов (ГДГ): выходная частота (Fвых) 

35 ГГц (с перестройкой 1 ГГц) с уровнем выходной мощности 
Pвых > 120 мВт, Iраб = 0,5—0,55 А, и Uраб = 4,5—5 В ГДГ; 
Fвых = 37 ГГц с Pвых > 140 мВт, Iраб < 0,7 А и Uраб < 6 В и 
Fвых = 47 ГГц 
с 
Pвых > 100 мВт, 
Iраб = 
0,5—0,55 А 
и 
Uраб = 4,5—5 В. 

 
23. Разработка БИС фазовращателя для модулей АФАР / 
И. В. Малышев, И. И. Мухин, В. В. Репин, А. С. Шнитников 
// 21-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 12—16 
сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — 
Т. 1. — С. 149—150 : схема, граф., табл. — Библиогр. в 
конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Рассмотрены методика проектирования, результаты моделирования 
и измерения параметров активного дискретного фазовращателя. 

 
24. Сверхширокополосный транзисторный усилитель диапазона 
6—18 ГГц 
с 
выходной 
мощностью 
6 Вт 
/ 
А. В. Радченко // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2011. — Т. 1. — С. 131—132 : фото, схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-352-4. 

В докладе изложены результаты разработки и экспериментального исследования сверхширокополосного транзисторного усилителя 
диапазона 6—18 ГГц с выходной мощностью в непрерывном режиме более 6 Вт. Приведены экспериментальные характеристики 
изготовленных образцов усилителей с различными транзисторами, 
рассматриваются особенности их построения, конструкция и 
технология сборки. 

 
25. Сверхширокополосный усилитель диапазона частот 4—
12 ГГц с выходной мощностью 15 Вт / С. В. Гармаш // 21-я 
Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и 
телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 
г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 133—
134 : граф., схема, фото. — Библиогр. в конце ст. (3). — 
ISBN 978-966-335-352-4. 
В докладе изложены результаты разработки усилителя мощности 
диапазона частот (4—12) ГГц с выходной мощностью в непрерывном режиме (13—18) Вт, предназначенного для использования в 
составе передающих модулей АФАР. Приведены экспериментальные характеристики образцов усилителей, обсуждаются особенности построения, конструкции и технологии сборки. 

 
26. Синхронизация антенн-генераторов внешним СВЧ облучением / В. Е. Любченко, Е. О. Юневич, В. Д. Котов, В. И. Калинин // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — 
С. 179—180 : граф. — Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978966-335-352-4. 
Экспериментально исследована возможность синхронизации внешним сигналом СВЧ-генераторов, представляющих собой антенны 
логопериодического типа на диэлектрической подложке с полевыми 
транзисторами в качестве активных элементов. Показана возможность синхронизации автогенераторов с собственной частотой 10 ГГц в полосе до 100 МГц, а также существенного улучшения 
спектральных характеристик сигнала и увеличения эффективности генерации за счет взаимодействия с синхросигналом. 

 
27. Спектральные характеристики субгармонического смесителя радиосигналов на основе резонансно-туннельного 
диода / Ю. А. Иванов, С. А. Мешков, И. А. Федоренко, 
Н. В. Федоркова, В. Д. Шашурин // 21-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 181—182. — Библиогр. 
в конце ст. (6). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Исследуются спектральные характеристики субгармонического 
смесителя радиосигналов на основе резонансно-туннельного диода. 
При одинаковом режиме работы и величине потерь преобразования мощность высших гармоник и комбинационных составляющих 
в спектре выходного сигнала смесителя на базе резонанснотуннельного диода (РТД) на 20—80 дБ меньше, чем у такого же 
смесителя на диоде Шоттки (ДБШ). Показано, что применение 
РТД позволяет снизить преобразованные шумы и шумы самого 
диода по сравнению с традиционными ДБШ. Применение РТД в 
субгармоническом смесителе позволяет расширить динамический 
диапазон смесителя. 

 
28. Сравнение детектирующей способности Si и GaAs диодов Шоттки / И. Б. Варлашов, А. С. Шнитников, Н. Б. Гудкова // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 12—16 
сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — 
Т. 1. — С. 189—190 : табл., граф. — Библиогр. в конце ст. 
(2). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Проведен сравнительный анализ характеристик Si и GaAs детекторных диодов СВЧ-диапазона. 

 
29. Твердотельный малошумящий приемно-усилительный 
модуль 8-мм диапазона с защитой по входу от синхронных 
и несинхронных сигналов мощностью до 1 кВт в импульсе / 
А. В. Кириллов, В. А. Смирнов, А. А. Усов, Р. Г. Шифман // 
21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника 

и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 
2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — 
С. 198-199 : фото, граф., табл. — Библиогр. в конце ст. (1). 
— ISBN 978-966-335-352-4. 
Приведены результаты разработки твердотельного малошумящего приемно-усилительного модуля (ПУМ) 8-мм диапазона с защитой по входу от синхронных и несинхронных сигналов мощностью 
до 1 кВт в импульсе. Рабочая полоса модуля — 6 %, коэффициент 
усиления 18 дБ при неравномерности в рабочей полосе ± 0,5 дБ, 
коэффициент шума — 4,6 дБ, быстродействие — 0,2 мкс. 
 
30. Твердотельный широкополосный смеситель на арсениде 
галлия / А. И. Ли, С. И. Толстолуцкий, В. В. Казачков, 
А. В. Толстолуцкая // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 191—192 : схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (5). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Представлены результаты разработки монолитной интегральной 
схемы широкополосного смесителя с подавлением зеркальной частоты. Смеситель изготовлен на кристалле арсенида галлия раз
мером 1,5 × 1,2 мм
2
 и обеспечивает потери преобразования на 
уровне 8,2—10 дБ и подавление сигнала по зеркальному каналу на 
уровне 30 дБ в широкой полосе частот 3—7 ГГц. 

 
31. Усилитель C-диапазона на GaN КМИС с выходной мощностью 25 Вт / В. И. Гуляев, В. В. Глазунов // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 129—130 : 
фото, схема, граф. — Библиогр. в конце ст. (2). — 
ISBN 978-966-335-352-4. 
В докладе изложены результаты разработки GaN квазимонолитной ИС (КМИС) усилителя мощности C-диапазона и бескорпусного 
гибридно-интегрального модуля усилителя с выходной мощностью 
25 Вт на ее основе. Приведена конструкций КМИС и модуля усилителя, представлены экспериментальные результаты. 

 
32. Усилитель X-диапазона на GaN КМИС с выходной 
мощностью 
20 Вт 
/ 
В. И. Гуляев, 
В. В. Глазунов, 
Г. С. Зыкова, Ю. Б. Мякишев // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные 
технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, 
Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 127—128 : фото, схема, граф. 
— Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966-335-352-4. 
В докладе изложены результаты разработки GaN квазимонолитных ИС (КМИС) предварительного и выходного усилителей Xдиапазона и бескорпусного гибридно-интегрального модуля усилителя с выходной мощностью 20 Вт на их основе. Приведены конструкции и характеристики КМИС и усилителя. 

 
33. AlGaN/GaN PHEMT транзисторы на карбиде кремния / 
Н. Е. Антонова, В. Е. Земляков, А. В. Крутов, А. С. Ребров // 
21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника 
и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 
2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — 
С. 155—156 : табл., граф., фото. — Библиогр. в конце ст. 
(5). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Представлены результаты разработки и экспериментального 
исследования GaN PHEMT-транзисторов на подложках из SiC. 
Приведены измеренные статические и СВЧ-параметры. 

 
34. GaAs pHEMT МИС малошумящего усилителя X-диапазона / В. С. Арыков, А. А. Баров, Л. Э. Великовский, 
А. В. Кондратенко // 21-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 159—160 : схема, фото, граф. — 
Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966-335-352-4. 

В докладе представлены результаты разработки МИС малошумящего усилителя на основе GaAs pHEMT-технологии. Полоса 
рабочих частот 8—12 ГГц, коэффициент усиления 30 дБ, коэффициент шума 1,5 дБ, выходная мощность по сжатию на 1 дБ не 
менее + 10 дБм, однополярное питание + 5 В, ток потребления 
100 мА. Размеры кристалла 2,5 × 1,5 × 0,1 мм. 

 
35. Research of influence of supply mode of double-drift 
avalanche diodes on Q-factor of 3-mm band noise oscillator / 
P. P. Loshitski, A. V. Pavlyuchenko // 21-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 12—16 сентября 2011 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2011 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2011. — Т. 1. — С. 183—184 : граф. — 
Библиогр. в конце ст. (5). — ISBN 978-966-335-352-4. 
Проведены исследования двухпролетных лавинно-пролетных диодов, 
являющихся активными элементами при построении широкополосных генераторов шума 3-мм диапазона. Показано влияние параметров питания диодов на коэффициент качества генераторов шума. 
 
1 — 2012 
 
36. Влияние ширины канала сток — исток на предельные частоты FT и FMAX AIGaN/GaN HEMT / Н. А. Торхов, В. Г. Божков // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧтехника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — 
С. 76—77 : рис. — Библиогр. в конце ст. (7). — ISBN 978-966335-371-5. 
Показано, что увеличение полной ширины W канала C — И 
AI
30Ga
70N/GaN HEMT за счет увеличения количества секций n при
водит к уменьшению G
max(F) и H
21(F) и, как следствие, к уменьше
нию значений предельных частот усиления по току Ft и по мощности F
max. Уменьшение Ft и F
max с ростом n связано с увеличением 

влияния внешних паразитных параметров AI
30Ga
70N/GaN HEMT. 

Полученные результаты позволяют предположить, что увеличение значений Ft и F
max при увеличении W за счет увеличения W
n про
ходит за счет фрактальных свойств канала С — И. 

 
37. Вопросы схемотехнического проектирования интегральных балунов / И. И. Мухин, В. В. Репин, В. В. Елесин, 
Г. Н. Назарова, А. С. Шнитников // 22-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 95—96 : рис. — Библиогр. в конце ст. (2). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Рассматриваются варианты построения и характеристики интегральных схем СВЧ-фазорасщепителей (балунов), выполненных по 
кремний-германиевой технологии. 

 
38. Генерация мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде / С. К. Любутин, С. Н. Рукин, 
Б. Г. Словиковский, С. Н. Цыранов // 22-я Международная 
Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, 
Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. 
— Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 120—121 : рис. — Библиогр. в конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Исследован механизм генерации мощных СВЧ-колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде. Через диод с толщиной 
структуры 320 мкм, глубиной залегания p-n перехода 220 мкм и 

площадью 0,5 см
2
 пропускался обратный ток амплитудой 2 кА. 
При среднем напряжении на диоде около 300 В и длительности 
СВЧ-импульса ~ 200 нс максимальный размах наблюдаемых колебаний достигает 480 В. Частота колебаний находится в диапазоне от 5 до 7 ГГц, мощность СВЧ-компоненты импульса составляет ≈ 300 кВт при КПД ~ 50 %. Механизм генерации колебаний 
рассмотрен теоретически. Показано, что запуск процесса колебаний напряжения, их размах и частота определяются плотностью 
обратного тока. 

 
39. Двухкаскадный квазимонолитный усилитель мощности 
диапазона 8—18 ГГц на нитриде галлия / В. В. Глазунов, 

Г. С. Зыкова, Ю. Б. Мякишев, Ю. Н. Раков, Н. В. Мончарес, 
В. Г. Будаков // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2012. — Т. 1. — С. 70—71 : рис. — Библиогр. в конце ст. 
(3). — ISBN 978-966-335-371-5. 
В докладе приводятся результаты создания экспериментальных 
образцов квазимонолитной ИС (КМИС) на нитриде галлия двухкаскадного усилителя диапазона частот 8—18 ГГц с выходной мощностью до 1,5 Вт при коэффициенте усиления 12—16 дБ. 

 
40. Квазиоптическое сложение мощностей излучения матриц антенн-генераторов / В. Е. Любченко, Е. О. Юневич, 
В. Д. Котов, В. И. Калинин, Д. Е. Радченко, С. А. Телегин // 
22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника 
и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 
2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : 
материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — 
С. 116—117 : рис. — Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978966-335-371-5. 
Экспериментально исследована взаимная синхронизация колебаний 
в линейной и двумерной матрицах антенн логопедиодического типа 
на диэлектрической подложке с полевыми транзисторами в качестве активных элементов. Для расширения полосы синхронизации 
матрицы используется диэлектрическое полупрозрачное зеркало. 
Показана возможность эффективного сложения мощностей в 
пространстве в случае двумерной матрицы. 

 
41. МИС двойного балансного смесителя для K-, KAдиапазонов частот на основе диодов Шоттки вертикальной 
конструкции / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 93—94 : рис. — Библиогр. в конце 
ст. (7). — ISBN 978-966-335-371-5. 
В работе представлены результаты разработки МИС сверхширокополосных двойных балансных смесителей на основе диодов 
Шоттки вертикальной конструкции, не имеющих прямых аналогов 
в России. 

 
42. МИС мощного переключателя прием — передача с защитой приемного канала для X-диапазона частот на основе 
pin-диодов / А. Ю. Ющенко, Г. И. Айзенштат, Е. А. Монастырев, В. Г. Божков, А. И. Иващенко // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 
2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 89—90 : рис. — 
Библиогр. в конце ст. (4). — ISBN 978-966-335-371-5. 
В работе представлены результаты разработки МИС мощного 
переключателя прием — передача с защитой приемного канала 
для X-диапазона частот на основе p-i-n-диодов. 

 
43. Монолитная интегральная схема СВЧ-усилителя на арсениде 
галлия 
диапазона 
2,0—6,0 ГГц 
/ 
С. В. Безус, 
С. И. Толстолуцкий, А. В. Толстолуцкая // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы 
конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — Т. 1. — С. 87—88 : 
рис. — Библиогр. в конце ст. (5). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Представлены результаты разработки монолитной интегральной 
схемы двухкаскадного СВЧ-усилителя, выполненной на pHEMT
структуре арсенида галлия размером (2,4 × 1,6) мм
2
 и обеспечивающей коэффициент усиления 16,5 дБ и точку однодецибельной 
компрессии 15 дБм в полосе частот (2,0…6,0) ГГц. 

 
44. Мощные СВЧ-колебания напряжения в полупроводниковом диоде при протекании тока высокой плотности / 
С. Н. Цыранов // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : 

КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2012. — Т. 1. — С. 122—123 : рис. — Библиогр. в конце ст. 
(4). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Численными методами исследована работа диффузионного кремниевого диода p+-p-n+ типа. Через диод с толщиной структуры 
320 мкм, глубиной залегания p-n-перехода 220 мкм и площадью 
0,5 см2 пропускался обратный ток плотностью до 50 кА/см2. Показано, что при плотности тока, лежащей в диапазоне от 3 до 
20 кА/см2, в структуре диода реализуется режим незатухающих 
колебаний напряжения. За пределами диапазона в структуре устанавливается режим стационарного пробоя. Наиболее мощные 
колебания возникают при протекании через диод тока плотностью ~ 15 кА/см2. В расчете на один диод мощность колебаний 
достигает ~ 1 мВт при частоте ~ 10 ГГц и КПД ~ 30 %. Проведено сравнение с экспериментом. 

 
45. Необходимые гибридные приемники прямого детектирования миллиметрового диапазона на основе болометров 
на горячих электронах и диодов Шоттки / Ф. Сизов, 
В. Петряков, В. Забудский, Д. Красильников, М. Смолий, 
С. Дворецкий // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2012. — Т. 1. — С. 110—111 : рис., таблицы. — Библиогр. в 
конце ст. (3). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Созданы неохлаждаемые болометры на горячих электронах (БГЭ) 
на основе эпитаксиального слоя узкозонного полупроводника КРТ, 
выращенного на подложке из материала GaAs. БГЭ гибридизированые с антеннами, напыленными на подложке с низкой диэлектрической проницаемостью, рассматриваются как приемники прямого 
детектирования излучения с частотой 128—144 ГГц. Мощность, 
эквивалентная шуму (NEP) такого детектора в рассматриваемой 

полосе частот, достигает NEP
300K ≈ 2,6 × 10
10
 Вт/Гц½ (с расчет
ным значением коэффициента усиления антенны G ≈ 9 dBi). Для 
сравнения при тех же условиях проведены измерения NEP приемников на основе диодов Шоттки. 

 
46. О возможности работы диодов Ганна в качестве генератора шума / Н. А. Торхов, В. Г. Божков, В. И. Самойлов, 
А. В. Козлова // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : 
КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 
2012. — Т. 1. — С. 112—113 : рис. — Библиогр. в конце ст. 
(2). — ISBN 978-966-335-371-5. 
Показано, что использование однородных профилей легирования 
базы ДГ не позволяет реализовать зарождение домена сильного поля. 
Вместо домена в этом случае реализуется отрицательно заряженный аккумуляционный слой, распространяющийся от катода к аноду, 
и избыток электронов в прианодной области сильного поля. Спонтанное возбуждение и релаксация электронов в этой области вероятно и приводит к возникновению белого шума в достаточно широкой полосе часто. Показано, что для реализации классического домена сильного поля необходимо наличие неоднородной базы. 

 
47. Особенности температурной зависимости ρc(T) в омических контактах к n-GaN (n-AIN) с высокой плотностью дислокаций / А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Ю. В. Жиляев, 
Р. В. Конакова, 
Я. Я. Кудрик, 
В. Н. Пантелеев, 
В. Н. Шеремет // 22-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», 
10—14 сентября 2012 г., Севастополь, Крым, Украина : КрыМиКо’2012 : материалы конф. : в 2 т. — Севастополь, 2012. — 
Т. 1. — С. 97—98 : рис. — Библиогр. в конце ст. (7). — 
ISBN 978-966-335-371-5. 
Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления ρ
c(T) омических контактов Pd-Ti-Pd-Au к широкозонным полу
проводникам n-GaN и n-AIN с высокой плотностью дислокаций. На 
зависимостях ρ
c(T) для обеих контактных систем наблюдаются 

участки экспоненциального спада ρ
c(T), а также участки весьма 

слабой зависимости ρ
c(T) при более высоких температурах. Кроме 

того, в низкотемпературной области для контактов Au-Pd-Ti-Pd-nGaN наблюдается участок насыщения ρ
c(T). Полученные зависимо