Влияние ионной обработки в процессе ВЧ магнетронного распыления на толщину и показатель преломления ITO плёнок
Покупка
Основная коллекция
Тематика:
Физика твердого тела. Кристаллография
Издательство:
Удмуртский Государственный университет
Год издания: 2012
Кол-во страниц: 5
Дополнительно
Скопировать запись
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов
ВЕСТНИК УДМУРТСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2012. Вып. 2 ФИЗИКА. ХИМИЯ Физика конденсированного состояния вещества УДК 539.23 Е.А. Зайцева, Р.М. Закирова, П.Н. Крылов, К.С. Лебедев, И.В. Федотова ВЛИЯНИЕ ИОННОЙ ОБРАБОТКИ В ПРОЦЕССЕ ВЧ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ НА ТОЛЩИНУ И ПОКАЗАТЕЛЬ ПРЕЛОМЛЕНИЯ ITO ПЛЁНОК По спектрам пропускания определены толщина и показатель преломления тонких плёнок оксида индия, легированного оловом. Среднее значение показателя преломления составило 1.92 – 2.03. Температура подложек и ионная обработка в процессе получения ITO плёнок оказывают различное влияние на толщину ITO плёнок и значение показателя преломления. Ключевые слова: ВЧ магнетронное напыление, оксид индия, легированный оловом; прозрачные проводящие плёнки. Введение Оксид индия, легированный оловом, (indium tin oxide – ITO) широко применяется в качестве про зрачных электродов для солнечных элементов, дисплеев, органических световых диодов (OLED) и других оптоэлектронных приборов. Тонкие ITO плёнки являются полупроводниками n-типа с низким сопротивлением порядка 10-4 Ом·см и высокой прозрачностью ~ 85% в видимой области спектра [1]. Цель данной работы – исследование оптическими методами тонких плёнок оксида индия, леги рованного оловом, сформированных в процессе реактивного ВЧ магнетронного распыления с сопутствующей ионной обработкой. Экспериментальная часть Тонкие плёнки оксида индия, легированного оловом, осаждались в течение 2 часов методом ВЧ магнетронного распыления мишени из сплава In-Sn (94% : 6%) в кислородосодержащей газовой смеси (Ar : O2 = 90% : 10%), которая обеспечивалась напуском смеси через ионный источник «Радикал М-100». Давление газовой смеси при напылении составляло 2.5·10-1 Па, мощность ВЧ магнетронного разряда – 300 Вт. Плёнки наносили на подложки из стекла при температурах 25, 50, 100, 150˚ C. Перед осаждением проводили ионную очистку подложек в рабочей смеси (ионы аргона и кислорода) при давлении 10-1 Па, напряжении ионного источника 1,5 кВ и токе разряда 100 мА [2]. Во время процесса распыления подложки поочередно проходили области распыления и ионно го источника. Ток ионного источника во время нанесения плёнок составлял 0, 30, 50, 70 мА. Спектры пропускания ITO плёнок исследовали на спектрофотометре СФ-26. Толщину плёнок определяли с помощью интерференционного микроскопа МИИ-4 и по спектрам пропускания. Методика исследований При измерении толщины прозрачных слоёв с помощью МИИ-4 может возникнуть ряд проблем. В частности, затруднение вызывает анализ интерференционных полос и определение порядка интерференции по разную сторону ступеньки, что приводит к получению неверных значений толщины прозрачной плёнки. Для определения толщины в этом случае требуются дополнительные технологические решения, например, нанесение тонкой металлической плёнки. Одним из способов определения толщины прозрачных плёнок является анализ осцилляций в спектрах пропускания, вызванные интерференцией волн в тонкой плёнке [3; 4]. Имеется много методик, основанных на данном явлении [3; 5-8]. В работе [5] для оценки толщины плёнок авторы использовали формулы, описывающие усло вия формирования полос равного хроматического порядка (такие полосы возникают в случае плоскопараллельных слоёв в непрерывном излучении):