Книжная полка Сохранить
Размер шрифта:
А
А
А
|  Шрифт:
Arial
Times
|  Интервал:
Стандартный
Средний
Большой
|  Цвет сайта:
Ц
Ц
Ц
Ц
Ц

Диффузионная кинетика кластеризации точечных дефектов

Покупка
Основная коллекция
Артикул: 489809.0001.99.0013
Доступ онлайн
от 49 ₽
В корзину
Тематика:
ГРНТИ:
Алалыкин, А. С. Диффузионная кинетика кластеризации точечных дефектов / А. С. Алалыкин, П. Н. Крылов, А. С. Федотов. - Текст : электронный // Вестник Удмуртского университета. Серия 4. Физика и химия. - 2005. - №4. - С. 153-164. - URL: https://znanium.com/catalog/product/503051 (дата обращения: 18.06.2024). – Режим доступа: по подписке.
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов. Для полноценной работы с документом, пожалуйста, перейдите в ридер.
ВЕСТНИК
УДМУРТСКОГО
УНИВЕРСИТЕТА

ФИЗИКА
2005. №4

УДК 539.219.3

А. C. Алалыкин, П. Н. Крылов, А. Б. Федотов

ДИФФУЗИОННАЯ КИНЕТИКА КЛАСТЕРИЗАЦИИ
ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ

Проведен теоретический анализ кластеризации точечных дефектов в условиях
диффузии с учетом упругого взаимодействия точечных дефектов и дислокаций. Приведены аналитические выражения эффективных сечений и скоростей
комплексообразования ди- и тривакансий. Определены выражения для сечения и скорости захвата вакансий и дивакансий дислокациями.

Ключевые слова: точечные дефекты, упругое взаимодействие, кластеризация,
эффективные сечения, скорость образования комплекса.

Введение

Известно [1], что скорости реакций образования и распада дефектных
комплексов в полупроводниках зависят как от температуры, так и от зарядовых состояний электрически активных компонентов реакции. В ряде
работ [2] обращалось внимание на тот факт, что дефекты - участники
квазихимических реакций в полупроводниках, как правило, электрически
заряжены, что не может не сказаться на скоростях прямых и обратных
реакций и, следовательно, на концентрациях тех или иных типов комплексов. При расчете скоростей реакций радиационного комплексообразования
влияние зарядовых состояний начальных компонентов реакции учитывалось через добавку кулоновского и деформационного барьеров к барьеру
реакции. Между тем при расчете скоростей реакций большинство ученых
исходят из термодинамики процесса.
В данной работе рассматривается комплексообразование точечных дефектов в условиях диффузии точечных дефектов с учетом их упругого
взаимодействия. Однако способ, описанный в настоящей работе, может
быть применен и при добавлении кулоновского взаимодействия точечных
дефектов.

1. Кинетические коэффициенты упругого взаимодействия
точечных дефектов

Рассмотрим реакцию образования двойных и тройных комплексов однотипных точечных дефектов (например, вакансии). Для реакций комплексообразования можно записать следующее:
для дивакансий

V + V ←→ V2,
(1.1)

для тривакансий

V + V + V ←→ V3,
(1.2)

Доступ онлайн
от 49 ₽
В корзину