Книжная полка Сохранить
Размер шрифта:
А
А
А
|  Шрифт:
Arial
Times
|  Интервал:
Стандартный
Средний
Большой
|  Цвет сайта:
Ц
Ц
Ц
Ц
Ц

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами

Покупка
Основная коллекция
Артикул: 489809.0001.99.0006
Доступ онлайн
от 49 ₽
В корзину
Тематика:
ГРНТИ:
Крылов, П. Н. Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами / П. Н. Крылов, А. М. Лебедева. - Текст : электронный // Вестник Удмуртского университета. Серия 4. Физика и химия. - 2005. - №4. - С. 51-60. - URL: https://znanium.com/catalog/product/503040 (дата обращения: 18.06.2024). – Режим доступа: по подписке.
Фрагмент текстового слоя документа размещен для индексирующих роботов. Для полноценной работы с документом, пожалуйста, перейдите в ридер.
ВЕСТНИК
УДМУРТСКОГО
УНИВЕРСИТЕТА

ФИЗИКА
2005. №4

УДК 537.9

П. Н. Крылов, А. А. Лебедева

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЧЕЧНЫХ
И ЛИНЕЙНЫХ ДЕФЕКТОВ В GaAs ПРИ ЛОКАЛЬНОМ
ВОЗДЕЙСТВИИ ИОНАМИ

С помощью численного моделирования исследован процесс генерации перераспределения точечных и линейных дефектов вблизи планарной границы
“облученная–необлученная области” при локальном воздействии ионами низких энергий на пластину монокристаллического арсенида галлия.

Ключевые слова: ионная обработка, точечные дефекты, упругие напряжения,
пластическая деформация, моделирование.

Введение

Процесс облучения ионами низких энергий играет важную роль в технологии изготовления полупроводниковых элементов. Экспериментальные
работы [1, 2, 8] показывают, что даже при низкоэнергетическом ионном
облучении полупроводников происходит накопление и перераспределение
радиационных и других видов дефектов на расстояниях, существенно превосходящих глубину пробега имплантированных ионов. В результате возникает изменение физических свойств всего материала, что требует комплексного учета кинетики формирования дефектной структуры. Исследования данного вопроса в основном являются экспериментальными и не
дают полного представления о процессах, происходящих при ионной обработке, поскольку являются динамическими и должны рассматриваться в
зависимости от времени.
В данной работе рассматривается компьютерное моделирование влияния процесса ионного облучения ионами низких энергий на структурные
свойства арсенида галлия с помощью модели, предложенной в [9].

1. Формулировка модели

Поскольку толщина пластины d намного меньше ее ширины, рассмотрим двумерную постановку задачи и сформулируем ее основные моменты.
Будем полагать, что пластина находится в вакууме и половина пластины облучается однородным ионным пучком. Выделим поперечное сечение
пластины, перпендикулярное границе между облучаемой и необлучаемой
поверхностями (см. рис. 1). Выберем ось x параллельно поверхности пластины так, чтобы точка x = 0 находилась на границе областей ( x < 0 —
облучаемая, x>0 — необлучаемая поверхности). Ось z направим вглубь

Доступ онлайн
от 49 ₽
В корзину